Кальнов Владимир Александрович (RU)

Изобретение относится к химии полимеров и может быть использовано в электронной технике, оптике, медицинской технике. Описан способ нанесения тонких пленок из политетрафторэтилена на поверхность твердых тел путем формирования пленки непосредственно из паров тетрафторэтилена при давлениях 0,1-20 торр под действием пучка электронов с энергией 1-1000 кэВ в рабочей камере, отделенной от источника элек...

Изобретение относится к технологии получения углеродсодержащих защитных покрытий пиролизом органосилоксановых соединений и может быть использовано в планарной технологии твердотельной электроники, а также может найти применение в литографических процессах при формировании органосилоксановых актинорезистов и углеродсодержащих маскирующих покрытий на их основе для изготовления фотошаблонов или ион...

Изобретение относится к приборам микро- электромеханических систем (МЭМС), в частности к их изготовлению на стандартных пластинах кремния. Способ включает выполнение в объеме кремниевой пластины канавок и удаление кремния с обратной стороны пластины для вскрытия дна канавок. При этом канавки выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, а затем проводят...

Изобретение относится к химии и технологии кремнийорганических соединений, а именно к способам получения органосилсесквиоксанов полиэдрической структуры и дискретных частиц на их основе. В предложенном способе получения органосилсесквиоксанов кубического строения в качестве исходных продуктов используют трехфункциональные органохлорсиланы или их смеси с тетрафункциональным хлорсиланом при их моль...

Изобретение относится к химии и технологии неорганических кремнекислородных соединений и может быть использовано для получения мелкодисперсных кремнеземов из попутных хлорсиланов химико-металлургических хлоридных производств поликремния и других металлов и химико-технологических производств органохлорсиланов. Способ включает гидролиз, последующую конденсацию и осаждение частиц в растворителе. В к...

Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах состоит в прямом травлении резиста непосредственно в процессе экспонирования пучком электронов в вакууме. В качестве резистов используют полимеры, способные к цепной деполимеризации (например, полиалкилметакрилаты, полиметилизопропенилкетон, поли-альфа-метилстирол). Экспонирование проводят в области температуры стеклов...