PatentDB.ru — поиск по патентным документам

САНИ Мехди Хамиди (US)

Изобретатель САНИ Мехди Хамиди (US) является автором следующих патентов:

Схема сопряжения между цифровой и аналоговой схемами

Схема сопряжения между цифровой и аналоговой схемами

Схема, генерирующая сигнал сопряжения между первой и второй интегральными схемами (ИС). Технический результат заключается в усовершенствовании сопряжения между ИС с использованием меньшего количества линий сигнала, генерирующих пониженный шум. Схема содержит схему опорного сигнала (622), которая выдает спорный сигнал, схему сопряжения (600) и аналоговую схему передачи сигнала (626). Схема сопряжен...

2315422

Энергонезависимый многопороговый триггер кмоп с управлением утечкой

Энергонезависимый многопороговый триггер кмоп с управлением утечкой

Изобретение относится к многопороговым цепям КМОП и к устройствам, функционирующим в активном и ждущем режимах. Интегральная цепь содержит мультипороговый триггер КМОП (МПКМОП), комбинирующий цепи КМОП с низким пороговым уровнем (LVT) с цепями КМОП с высоким пороговым уровнем (HVT). Цепи LVT составляют основную часть цепей тракта сигнала триггера для гарантии высокой производительности триггера. Т...

2321944

Устройство сопряжения токового режима для высокоскоростной связи вне микросхем

Устройство сопряжения токового режима для высокоскоростной связи вне микросхем

Изобретение относится к пересылке данных от микросхемы к микросхеме, которая использует метод токового режима вместо общепринятых методов дифференциальной передачи сигналов режима напряжения. Технический результат - снижение потребляемой мощности и уменьшение электромагнитных помех. Импульс тока вводится в один из двух проводов передачи на основании значения сигнала, подлежащего передаче (наприм...

2369977

Управление уровнем сигнала транзистора словарной шины для считывания и записи в магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Управление уровнем сигнала транзистора словарной шины для считывания и записи в магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к оперативной памяти. Техническим результатом является управление уровнем сигнала транзистора WL для операций считывания и записи. Раскрыты системы, схемы и способы управления напряжением словарной шины в транзисторе словарной шины в магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Первое напряжение может подаваться на транзистор...

2419894

Магниторезистивная оперативная память с передачей спинового вращательного момента и способы разработки

Магниторезистивная оперативная память с передачей спинового вращательного момента и способы разработки

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента. Техническим результатом является уменьшение времени отклика (считывания/записи). Раскрыты системы, схемы и способы для определения напряжений считывания и записи для заданного транзистора числовой шины в магниторезистивной RAM с передачей спинового вращательного м...

2427045


Операция записи для магниторезистивного оперативного запоминающего устройства с переносом спинового момента с уменьшенным размером ячейки бита

Операция записи для магниторезистивного оперативного запоминающего устройства с переносом спинового момента с уменьшенным размером ячейки бита

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении стабильности записи и уменьшении размеров ячейки битов в STT-MRAM. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), имеющее линии истока, причем каждая линия истока по существу расположена параллельно словарной шине, соединенной с первым рядом ячеек битов,...

2471260

Запоминающее устройство для применений основанной на сопротивлении памяти

Запоминающее устройство для применений основанной на сопротивлении памяти

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении производительности чтения усилителя считывания MRAM. Запоминающее устройство, содержащее ячейку памяти, включающую в себя основанный на сопротивлении элемент памяти, соединенный с входным транзистором, причем входной транзистор имеет первую толщину оксида так, чтобы дать возможность работы ячейки памяти...

2476940