Иевлев Валентин Михайлович (RU)
Изобретатель Иевлев Валентин Михайлович (RU) является автором следующих патентов:
Способ синтеза пленок карбида кремния на кремниевой подложке
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Способ синтеза пленок карбида кремния на кремниевой подложке включает нагрев кремниевой подложки в среде углеродосодержащих газов пакетами импульсов излучения ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм, длительностью импульсов 10-2 с, в течение 1,5-2...
2341847Способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия
Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов. Способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия включает высокочастотное магнетронное распыление мишени из гидроксиапатита Са10(РO4)6(ОН)2 в течение 15-150 мин с использованием в качестве рабочего газа аргона при его давлении в раб...
2372101Способ изготовления композиционных мембран на основе тонких пленок металлов
Изобретение относится к способам изготовления селективных мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии водорода сквозь тонкую пленку палладия или его сплава. Способ включает конденсацию в вакууме на очищенную технологическую подложку тонкой пленки палладия или его сплава. После чего проводят отделение пленки от подложки путем полного или частичного растворения подложки в растворах фло...
2381055Способ упрочняющей обработки аморфных сплавов на основе железа
Изобретение относится к области металлургии, в частности к технологии обработки материалов, и может быть использовано в технологических процессах упрочняющей обработки аморфных металлических сплавов различного назначения. Заявлен способ упрочняющей обработки аморфных сплавов на основе железа. Способ включает отжиг, при этом перед отжигом проводят импульсную фотонную обработку излучением ксеноновы...
2422553Способ получения монокристалла нитрида тугоплавкого металла и изделия из него, получаемого этим способом
Изобретение предназначено для химической, электротехнической, радиоэлектронной промышленности, материаловедения и может быть использовано для получения различных изделий: проволоки, проволочной спирали, лент, тонкостенных трубок, лодочек для работы в агрессивных средах и/или для работы при повышенных температурах. Способ получения монокристалла нитрида тугоплавкого металла и изделия из него, полу...
2431002Способ получения нанокристаллических пленок рутила
Изобретение относится к технологии получения нанокристаллических пленок рутила и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, а также при получении защитных и других функциональных покрытий. Способ включает формирование методом магнетронного распыления или электронно-лучевого испарения нанокристаллической пленки титана на оксидированной поверхности пластины из кремния и оксиди...
2436727Способ формирования тонкой фольги твердого раствора pd-cu с кристаллической решеткой типа csci
Изобретение относится к технологии создания селективных газовых мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии атомов газа (водорода) сквозь тонкую металлическую пленку (из палладия или сплавов на его основе), которые используются в устройствах глубокой очистки водорода от сопутствующих примесей, сепарации водорода из водородсодержащих смесей газов, в микрореакторах. Способ формирования...
2535843Способ создания композиционной мембраны для очистки водорода
Изобретение относится к созданию селективных мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии газов сквозь тонкую пленку металлов или их сплавов. Способ включает нанесение на двухслойную керамическую подложку со сквозной пористостью селективной пленки металла или его сплава методом магнетронного распыления мишени и конденсации в вакууме. В качестве подложки используют керамику из оксида а...
2538577Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой, включает проведение фотонной обработки упомянутой подложки излучением ксеноновых ламп с диапазоном изл...
2556183Способ получения пористой алюмооксидной керамики
Изобретение относится к технологии пористых керамических материалов и может быть использовано для изготовления изделий, эксплуатируемых в качестве высокотемпературной теплоизоляции (или теплозащиты), термостойкого огнеприпаса, носителей катализаторов, фильтров для очистки жидких и газовых сред. Для изготовления пористой алюмооксидной керамики получали шихту смешиванием алюминиевой пудры марки ПАП,...
2610482Способ изготовления композиционных мембран на основе тонких пленок металлов
Изобретение относится к технологии создания селективных мембран, функционирующих за счет избирательной диффузии водорода сквозь тонкую пленку палладия или его сплава, и может быть использовано в устройствах глубокой очистки водорода от сопутствующих примесей, сепарации водорода из водородсодержащих примесей, например в микрореакторах. Способ изготовления композиционной водородопроницаемой мембраны...
2644640