Феоктистов Николай Александрович (RU)

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является формирование пленки карбида кремния кубического политипа на поверхности кремниевой подложки, а также снижение внутренних напряжений, а следовательно, уменьшение поверхностной концентрации дефектов. Сущность изобр...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, включающем нагрев подложки и синтез пленки на поверхности подложки в газовой среде, содержащей соединения углерода, в качестве...

Изобретение относится к технологии нанесения пленок на подложки, конкретно - к предварительной обработке подложек (нанесению центров зародышеобразования) для последующего роста поликристаллических алмазных пленок, применяемых в ядерной технике, в мощных непрерывных технологических CO2-лазерах, в электрохимии. Способ включает создание суспензии с весовой концентрацией наноалмазных частиц в раствор...

Изобретение относится к твердотельной электронике, а именно к полупроводниковым приборам, используемым для выпрямления, усиления генерирования или переключения электромагнитных колебаний, способным работать при повышенных температурах и уровнях мощности, а также для приема и генерирования света в видимом и ультрафиолетовом диапазоне длин волн. Прибор имеет в своем составе электроды, монокристалли...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, осуществляется в газопроницаемой камере, размещенной в реакторе, в который подают смесь газов, включающую оксид углерода и кремнийсодержащий газ, при этом давление в реакторе 20-600 Па, температура 950-1400°C. Подложки...

Изобретение относится к области черной металлургии, в частности к термической обработке прокатных валков, и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих двухслойные прокатные валки. Способ термической обработки чугунных двухслойных прокатных валков включает проведение отпуска путем нагрева до температуры ниже Ас1, выдержки и охлаждения, при этом предварительно в чугуне рабочего слоя ва...