ЙООН Сей Сеунг (US)

Изобретение относится к электронным схемам, а более конкретно к ассоциативным запоминающим устройствам. Техническим результатом является достижение высокой производительности при небольшом энергопотреблении. Смешанное последовательно-параллельное ассоциативное запоминающее устройство (АЗУ) включает в себя последовательные и параллельные ячейки АЗУ, организованные во множество (N) столбцов и множе...

Изобретение относится к оперативной памяти. Техническим результатом является управление уровнем сигнала транзистора WL для операций считывания и записи. Раскрыты системы, схемы и способы управления напряжением словарной шины в транзисторе словарной шины в магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM). Первое напряжение может подаваться на транзистор...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости считывания за счет снижения напряжения разрядной линии. Способ управления устройством памяти, имеющим разрядную линию, включающую в себя первый участок и второй участок, состоящий в том, что предварительно заряжают первый участок разрядной линии до первого напряжения; предварительно заряжают...

Данная группа изобретений относится к средствам считывания данных из матрицы памяти. Технический результат заключается в снижении тока утечки в магнитном оперативном запоминающем устройстве. Он достигается тем, что прикладывают сигнал считывания к битовой шине, соединенной с матрицей памяти, включающей в себя множество ячеек памяти, причем каждая из множества ячеек памяти содержит устройство на м...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении области (площади) устройства, увеличении матричной плотности и упрощении маршрутизации линии истока за счет уменьшения числа линий истока. Устройство памяти содержит первую колонку ячеек памяти включающую в себя первую ячейку памяти; вторую колонку ячеек памяти, включающую в себя вторую ячейку памяти; п...

Изобретение относится к компьютерной технике и может быть использовано для адаптации ширин импульсов словарной шины в запоминающих системах. Технический результат заключается в увеличении характеристик производительности, потребляемой мощности и стабильности работы запоминающих ячеек. Раскрыты системы, схемы и способы для адаптации ширин импульсов словарной шины (WL), используемых в запоминающих...

Изобретение относится к области регулирования параметров схемы памяти на основе сопротивления. Техническим результатом является повышение эффективности улучшения границ усилителя считывания. Способ определения набора параметров схемы памяти на основе сопротивления включает в себя выбор первого параметра на основе первого предварительно заданного ограничения по конструкции схемы памяти на основе с...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении стабильности записи и уменьшении размеров ячейки битов в STT-MRAM. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), имеющее линии истока, причем каждая линия истока по существу расположена параллельно словарной шине, соединенной с первым рядом ячеек битов,...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении потребляемой мощности. Полупроводниковое устройство памяти с двойным напряжением, содержащее множество формирователей записи, принимающих входные сигналы данных низкого напряжения; множество разрядных шин, соединенных с множеством формирователей записи, причем множество формирователей записи сконфигуриро...