КАМЕЛЬ Дени (FR)

Изобретение относится к способу перекристаллизации для получения самоподдерживающихся кристаллических кремниевых лент с размером зерна более 1 мм. Сущность изобретения: способ получения самоподдерживающейся кристаллической кремниевой тонкой пленки включает по меньшей мере стадии, заключающиеся в: (1) получении пластины материала, образованной по меньшей мере из трех разных наслоенных друг на друг...

Настоящее изобретение относится к способу соединения деталей из углеродного материала с использованием тугоплавкого припоя на основе карбида кремния, которые применяются в микроэлектронике и солнечных фотоэлектрических устройствах. Способ соединения по меньшей мере двух деталей из углеродного материала с размером частиц менее 10 мкм, имеющих открытую пористость от 0% до 40% по объему включает сл...

Настоящее изобретение относится к новым материалам, обладающим многослойной структурой, предназначенным для контакта с жидким кремнием при процессах его плавления и отвердевания, в частности, выращивания кристаллов кремния для применения в фотогальванике. Элемент материала включает первый (поддерживающий) слой с открытой пористостью 25-40%, состоящий из графитовых гранул размером 1-10 мкм; повер...

Изобретение относится к способу получения твердых полупроводников, более конкретно к кремнию в форме слитков или полос, используемых для производства субстратов фотогальванических элементов. Способ получения твердых полупроводников включает в себя стадии приготовления расплава полупроводника из первой порции полупроводника, которая содержит легирующие добавки, отверждения расплавленного полу...