Репинский С.М.

 Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%: Плавиковая кислота - 0,75 - 10 Дифторид ксенона - 0,05...

 Полирующий травитель монокристаллов германата висмута, содержащий соляную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладких поверхностей и упрощения технологического процесса обработки кристаллов, он дополнительно содержит многоатомный предельный спирт - этиленгликоль или глицерин при следующих соотношениях компонентов, мас.%: Соляная кислота - 5 - 35 Многоатомный...

 Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%: Бром - 0,1-2,5 Ацетонитрил - 97,5-99,9

 Способ осаждения пленок нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование и подачу в зону осаждения парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью безотходного использования реагентов, исключения загрязнений атмосферы и исключения использования инертного газа-носителя, парогазовую смесь формируют,...

 Способ получения слоев нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев до рабочей температуры, формирование и подачу в зону осаждения потока парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении с поддержанием общего давления в реакторе подачей на вход реактора аммиака, удаление остаточных продуктов реакции через выход реактора, отличающийся тем, ч...

 1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс...

 Использование: технология получения полупроводниковых приборов, производство твердотельных газовых датчиков диоксида серы. Сущность изобретения: модифицированные слои диоксида кремния получают в изотермических условиях в присутствии паров органических соединений, содержащих аминогруппы. Слои могут быть сформированы и модифицированы одновременно при температуре 120-200oC. общем давлении 0,...