PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПИЩИК В.В.

Изобретатель ПИЩИК В.В. является автором следующих патентов:

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯМОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ, состоящее Изпитателя порошка-, горелки основной,горелки дополнительной, расположенной аксиально вокруг основной, печи и вытягивающего устройства, отличающееся тем, что, с целью достижения уменьшения градиента температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла, основная и дополнительная горелки...

248637


Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити

Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (юй)ю С 30 В 15/34 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2008049/26 (22) 26.03.74 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.Р,Добровинская, Л.А.Литвинов, В.В.Пищик,Е.А.Тучинский и Ю,Т.Гринченко (54)(57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ НИТИ...

475075

Устройство для вытягивания профилированных кристаллов

Устройство для вытягивания профилированных кристаллов

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 15/34 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2 120960/26 (22) 04,04.75 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.P.Äîáðîâèíñêàÿ, Л.А.Литвинов и В.В.Пищик (56) Патент США М 3687633, кл. 23-273, 29.08.72. Авторское свидетельство СССР М 475075, кл. В 01 J 17/1...

613544

Устройство для получения профилированных кристаллов

Устройство для получения профилированных кристаллов

  1 УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВi вытягиванием из расплава на затравку,включающее камеру роста, размещенные в внутри нее тигель для расплава, снабженный формообразоеателем, нагреватель тигля, съемные затравкодержатели с затравками, соединенные со штоком механизма вытягивания, и средство подпитки расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения производитель...

845508


Устройство для выращивания профилированных монокристаллов

Устройство для выращивания профилированных монокристаллов

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАВЩВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее тигель для расплава с крьшкой , размещенные в нем формообразователи , укрепленные на крышке и имеющие капиллярную систему, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения производительности, формообразователи установлены коаксиально друг другу, а высота каждого Последующего...

1009117

Устройство для группового выращивания профилированных кристаллов

Устройство для группового выращивания профилированных кристаллов

  Изобретение относится к области получения монокристаллов вытягиванием из расплава с применением формообразователей и позволяет улучшить качество кристаллов за счет уменьшения асимметрии теплового поля. Устройство включает тигель с крышкой. В крышке закреплен пучок капилляроВс На его торце симметрично оси тигля установлены основные формообразователи. По оси тигля размещен лополнит...

1382052

Устройство для выращивания профилированных кристаллов

Устройство для выращивания профилированных кристаллов

  Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов. Устройство состоит из тигля с формообразователем и затравкодёржателем со средством захвата затравки. Последнее выполнено в виде тйг. Нижний конец тяг имеет полки для затравки. Верхний конец шарннрио присоединен...

1443488

Способ обработки изделий из монокристаллов корунда

Способ обработки изделий из монокристаллов корунда

  Изобретение относится к получению изделий из монокристаллов корунда и позволяет повысить изделий за счет локального упрочнения зон, содержащих напряжения. Способ включает перемещение через зону напряжений нагревателя шириной 0,2-0,4 ширины зоны, нагретого до 2050-2100°С, с усилием, равным 1,0-1,3 предела текучести монокристалла. Получены изделия - стоматологические имплан...

1603863