ПИЩИК В.В.
Изобретатель ПИЩИК В.В. является автором следующих патентов:

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов по методу вернейля
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯМОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ, состоящее Изпитателя порошка-, горелки основной,горелки дополнительной, расположенной аксиально вокруг основной, печи и вытягивающего устройства, отличающееся тем, что, с целью достижения уменьшения градиента температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла, основная и дополнительная горелки...
248637
Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (юй)ю С 30 В 15/34 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2008049/26 (22) 26.03.74 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.Р,Добровинская, Л.А.Литвинов, В.В.Пищик,Е.А.Тучинский и Ю,Т.Гринченко (54)(57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ НИТИ...
475075
Устройство для вытягивания профилированных кристаллов
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 15/34 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2 120960/26 (22) 04,04.75 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.P.Äîáðîâèíñêàÿ, Л.А.Литвинов и В.В.Пищик (56) Патент США М 3687633, кл. 23-273, 29.08.72. Авторское свидетельство СССР М 475075, кл. В 01 J 17/1...
613544
Устройство для получения профилированных кристаллов
1 УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВi вытягиванием из расплава на затравку,включающее камеру роста, размещенные в внутри нее тигель для расплава, снабженный формообразоеателем, нагреватель тигля, съемные затравкодержатели с затравками, соединенные со штоком механизма вытягивания, и средство подпитки расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения производитель...
845508
Устройство для выращивания профилированных монокристаллов
1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАВЩВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее тигель для расплава с крьшкой , размещенные в нем формообразователи , укрепленные на крышке и имеющие капиллярную систему, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения производительности, формообразователи установлены коаксиально друг другу, а высота каждого Последующего...
1009117
Устройство для группового выращивания профилированных кристаллов
Изобретение относится к области получения монокристаллов вытягиванием из расплава с применением формообразователей и позволяет улучшить качество кристаллов за счет уменьшения асимметрии теплового поля. Устройство включает тигель с крышкой. В крышке закреплен пучок капилляроВс На его торце симметрично оси тигля установлены основные формообразователи. По оси тигля размещен лополнит...
1382052
Устройство для выращивания профилированных кристаллов
Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов. Устройство состоит из тигля с формообразователем и затравкодёржателем со средством захвата затравки. Последнее выполнено в виде тйг. Нижний конец тяг имеет полки для затравки. Верхний конец шарннрио присоединен...
1443488
Способ обработки изделий из монокристаллов корунда
Изобретение относится к получению изделий из монокристаллов корунда и позволяет повысить изделий за счет локального упрочнения зон, содержащих напряжения. Способ включает перемещение через зону напряжений нагревателя шириной 0,2-0,4 ширины зоны, нагретого до 2050-2100°С, с усилием, равным 1,0-1,3 предела текучести монокристалла. Получены изделия - стоматологические имплан...
1603863