Морозов В.Ф.

  4 » т»/» т " « % Ф 1, "» «" Д(; » 7,„ «,г, „, -,"),, « « ЮЖМ ЯФ» м Ф««жилищи»«юла««» « »«ам»»» ««» ПЙТ1: НТ liA И ЗОБ Р1ТЙ И ОПИСАНИЕ каркаса для связывания бревен в плоты К патенту В, Ф. Морозова, заявленному 1 октября 1929 года (заяв. свид. № 55593). О выдаче патента опубликевано 30 ноября 1930 года. Действие патента распространяется на 15 лет от 30 ноября 1930 года. Тш. в...

  Класс 80d, f3 И 35044 АВТОРСНОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТ(НИЕ ОПИСАНИЕ станка для резки слюды. К авторскому свидетельству В. Ф. Морозова и А. А. Капустника, заявленному 13 апреля 1933 года (спр. о перв. № 127095). О выдаче авторского свидетельства олубликовако 28 февраля 1934 года. (б29) 1 Для резки листового материала уже известны станки с вращающимися ножами и соответствующи...

  Класс 80d, 3 ¹ 35045 АВТОРСНОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ ОПИСАНИЕ приспособления для поддерживания отслаиваемой пластинки СЛЮД61 В CTBHKBX С КЛИНОВИДНЫМ НОЖОМ. К авторскому свидетельству В. Ф. Моппаоаа заявленному 16 апреля 1933 года (спр. о перв. № 127297). О выдаче авторского свидетельства опубликовано 28 февраля 1934 года. фиг.2. Эксперт и редактор Н, Н. Васильев Ленпром...

  И 113767 Класс 18b, 14вт ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. Ф. Морозов и Г. Д. Мельцер ГИДРОГРАНУЛЯТОР ДЛЯ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО ШЛАКА Заявлено 4 ноября 1957 г. за № 585550 в Ком пет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Предмет изобретения При использовании известных способов удаления и транспортировки шлака от доменных и мартеновских печей раз...

 Использование: микроэлектроника, а именно технология БиКМОП приборов, у которых на одном кристалле формируются комплиментарные биполярные и полевые транзисторы. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП прибора за счет того, что оставляют первый слой поликремния и подзатворный окисел в карманах полевых транзисторов с перекрытием слоем поликремния полевого окисла на величину, рав...

 Использование: микроэлектроника, технология БиКМОП ИС, в которой на одном кристалле формируются n-канальные и р-канальные полевые и npn биполярные транзисторы. Предлагаемый способ изготовления БиКМОП структуры обеспечивает получение высоких параметров npn биполярного и полевых транзисторов и одновременно существенно сокращает маршрут изготовления структуры. Сущность изобретения: в способе...

 Изобретение относится к переработке отходов, а именно к термической деструкции некондиционных цис-1,4-полиизопрена, бутилкаучука и тройного этилен-пропиленового каучука, 10-90 мас.% исходного каучука подают в экструдер (температура головки не выше 120°С), а оттуда - в реактор вместе с оставшейся частью исходного каучука. Температура в реакторе 150-380°С, давление атмосферное. Легколетучие...

 Использование: микроэлектроника, БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Техническим результатом изобретения является сокращение числа слоев поликристаллического кремния, что делает более рентабельным промышленное производство структур биполярны...

 Использование: микроэлектроника, а именно БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Сущность изобретения: в пластине кремния, включающей области коллектора, области базы и эмиттера, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, изолирующий поле...