C30B31/20 - легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами

Способ получения кристаллов фотохромного

. ==>осюз.. (я 1 иа(т":: 5: ?тэ-тФхнич ; .w» библиекаиа l .":ÁÀ О Л КСАН и Е 4GQl37 ИЗОБРЕ1ЕН ИЯ Союз Советски?к Социалистически?т Республик К АВТОРСКОМУ CBVЕ ЕТЕЛЬ ЛЗ" Ф+"Ф „4 д Государстеенний комитет Сонета Mti?!HGTpQB СССР ее делам изооретений и открытий Зависимое от авт. сви "(ã,cльства № б Ел. В 01j I;/00 Заявлено 01.ll.1972 (¹ 1739751/23-20?) с П1?исоединение.;t 3351...

400137

Способ легирования теплообменника и устройство для его осуществления

1. Способ легирования теплообменника путем нанесения на его поверхность легирующего материала и обработки ее лазерным лучом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества легирования, легирующий материал предварительно переводят в газообразное состояние и наносят его одновременно с обработкой поверхности лазерным лучом путем бомбардирования поверхности образованными газами, при этом д...

826810

Способ получения легированного кремния

Способ получения легированного кремния путем выращивания его, облучения медленными нейтронами и отжига, отличающийся тем, что, с целью получения материала n- или p-типа проводимости с заданной степенью компенсации, в кремний в процессе выращивания вводят германий, атомарную долю которого x определяют из соотношения где К - заданная степень компенсации полученного материала; КGe - степень...

1005511

Способ обработки материалов

СПОСОБ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ, включающий нанесение пленки диффузанта на их поверхность и облучение лазером, работающим в режиме . модулированной добротности, отличающийся тем, что, о целью повышения коррозионной стойкости, износостойкости, твердости материала, пленку диффузанта наносят ввиде последовательных слоев различных элементов или их сплавов толщиной 10 -10 А и облучение ве...

1055784

Способ получения ядерно легированного германия

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ, включающий облучение германия естественного изотопного состава нейтронами о т л ичающийся тем, что, с целью повышения степени компенсации облучение проводят резонансными нейтронами или резонансными и тепловыми нейтронами . СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (!9) (I!) (59 4 С 30 В 31 20 Н 01 L 21/263 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ...

1100959

Способ получения электропроводного алмаза

Способ получения электропроводного алмаза, включающий облучение его нейтронами и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения заданного электросопротивления в диапазоне 1011 - 10-1Ом см независимо от природы исходного алмаза, облучение ведут флюенсом нейтронов 3 1019 - 1,5 1021 нейтрон/см2 с энергией более 0,5 МэВ при температуре 70 - 500oC, а отжиг при давлении 10-1 - 1...

1137788

Способ получения лазерной среды на основе кристаллов al2o 3

Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм об...

1322728

Способ получения высокоомного кремния

Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней измене...

1331140

Способ обработки оксида алюминия

Способ обработки оксида алюминия для электронно-оптического излучателя, включающий нейтронное облучение и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра малоинерционного излучения при длительности импульсов свечения под действием электронного облучения < 5 нс, флюенс нейтронов выбирают в интервале 1 1019 - 1 1020 н/см2, а термообработку проводят при 130...

1550953

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния

Использование: в технологии изготовления полупроводниковых материалов для приборов электронной и электротехнической промышленности. Сущность изобретения: для повышения коэффициента использования нейтронов в способе нейтронно - трансмутационного легирования кремния, включающем возвратно-поступательное перемещение контейнеров со слитками кремния через зону облучения по каналу реактора и кон...

2008373

Способ термобарического отжига комплексных радиационных дефектов в ядерно-легированных полупроводниковых кристаллических веществах

Изобретение может быть использовано в ядерной технологии. Слиток поли- или монокристаллического полупроводникового материала помещают в сосуд высокого давления, подключенный к гидрокомпрессионной установке, заливают и кристаллизуют висмутовую или из висмутового сплава оболочку вокруг слитка полупроводникового материала с приблизительно равными по величине стенкой оболочки и диаметром слит...

2141544

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния

Заявляемое изобретение относится к технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления полупроводниковых приборов для электронной и электротехнической промышленности. Сущность изобретения состоит в том, что в способе нейтронно-трансмутационного легирования кремния, в...

2193609

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности. Сущность изобретения: в способе нейтронно-трансмутационного легирования кремния, включающем циклическое облучение нейтронным пото...

2193610

Способ получения резистентного кремния

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей. Способ может найти применение при производстве полупроводниковых приборов, работающих в полях ионизирующего излучения: в космосе, атомных реакторах и др. Сущность изобретения. способ получения резистентного кремния n-типа прово...

2202655

Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках после нейтронно-трансмутационного легирования

Изобретение относится к области радиационных технологий, преимущественно к нейтронно-трансмутационному легированию (НТЛ) полупроводников, и может быть использовано для определения концентрации легирующей примеси (т.е. стабильного дочернего изотопа), образующейся в результате облучения полупроводникового материала тепловыми нейтронами в ядерном реакторе с последующим радиоактивным распадом...

2208666

Облучательное устройство уран-графитового реактора для радиационного облучения материалов

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК. Устройство содержит проходной тракт с сильфонным компенсатором, расположенную внутри проходного тракта и жестко соединенную с ним наружную оболочку в виде последовательно соединенных гильзы, тракта наращивания и головки, причем гильза верхней часть...

2255389

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV. Монокристаллы антимонида индия, легированного оловом, получают путем облучения полным спектром реакторных нейтронов с последующим нагревом, отжигом и охлаждением. Нагрев ведут со скоростью 20÷40 град/мин до температуры отжига, определяемой по формуле Тотж=450+(lgNSn-14)·7[°С], где NSn - концентрация вво...

2344209

Способ и устройство для нейтронного легирования вещества

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния тепловыми нейтронами, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности. Способ нейтронного легирования вещества включает замедление быстрых нейтронов источника веществом замедлителя, формирование потока тепловых нейтронов в выделенную область и облучение...

2514943

Способ получения легированного алмаза

Изобретение относится к технологическим процессам получения легированных алмазов, которые могут быть использованы в электронике и приборостроении, а также в качестве ювелирного камня. Легированный алмаз получают методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) на подложку в реакционной камере 2. Легирующий компонент 7 берут в твердом состоянии и размещают в камере легирования 3, в которой...

2537491

Способ получения кремния с изотопическим составом 28si, 30si

Изобретение относится к технологии трансмутационного легирования полупроводниковых материалов, в частности к получению кремния с определенным изотопическим составом, который может быть использован для создания квантовых битов информации на ядерных спинах атомов фосфора, полученных трансмутацией отдельных атомов такого кремния. Для этого монокристалл кремния облучается тепловыми нейтронами. После о...

2646411

C30B31/20 - легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами

Патенты в этой категории