C30B13 - Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B 15/00; под защитной жидкостью C30B 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)

Способ получения монокристаллических прутков германия

Класс 408, 1 „, № 109262 СССР Описдни изоврктения К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ K). А. ь11ифрин-Крыжаловский, А. И. Пипко и В. Д. Мочалов СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСХАЛЛИЧЕСКИХ ПРУТКОВ ГЕРМАНИЯ Зкккасно 2 )(кк Д!3ИЖСННС Hil(РСВ 11СЛЯ .(IР< K))Ни(Я»1

109262

Патент ссср 155003

¹ 155003 Класс С 22b; 40d, 1,„ С 22b; 40а, 9в, СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа Лги 1б1 И. Н. Иванов, М. А. Козлов, 1Ч. А. Кузьмин, А. Н. Белов, Т. П. Школьникова и Б. Д. Черных АППАРАТ ДЛЯ НЕПРЕРЫВИОЙ ЗОН НОЙ ОЧИСТКИ 1йЕТАЛЛОВ Заявлено 28 мая 1962 г. за М Г80770»22-2 в Комитет ио делам изобретений и открытий ири Совете Министров СССР 0111...

155003

Патент ссср 161120

Подпасна» группа 6 1б Л. С. Милевский, В. H. Крылов и В, Д. Хвостикова СПОСОБ СОЗДАНИЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ФОНА В ПРОЦЕССЕ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАЗЛАГАЮЩИХСЯ СО ЕДИ H EH И й Предмет изобретения Известны способы создания низкотемпературного фона в процессе синтеза и зонной перекристаллизации разлагающихся интерметаллических соединений, например путем нагрева всей ампулы на...

161120

Патент ссср 161925

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 0ПК4:АНИЕ у430Б РЕТЕН ЙЯ «««ТО«««ОМ«««И««Т««««Т«« Класс 40а, 15ев № 161925 МПК С 22b Заявлено 27.1Ч.1963 (¹ 833420(22-2) ГОСУААРСТВЕННЫ И КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЪ|ТИЙ СССР Опубликовано 01.1V.1964. Бюллетень № 8 УДК Подписная группа № 1б В. Н. Вигдорович и Л. М. Ферштер АППАРАТ ДЛЯ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ ВЕЩЕСТВ Изве...

161925

Способ очистки легкоплавких веществ

ОПИСАНИЕ l90574 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства М0 Заявлено ЗО.IX.1965 (№ 1029891/22-1) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 29.Xll.1966. Бюллетень № 2 Дата опубликования описания 22,II.!967 Кл. 40а, 9/02 40d, 3/02 Комитет па делзгл изобретений и открытий при Совете Министров СС...

190574

Устройство для зонной очистки веществ

2760l7 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскит Социалистическиз Ресоурлик Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 06. т !.1968 (№ 1246445/23-26) Кл. 12g, 17/08 с присоединением заявки ¹ Комитет оо лелам Л 1ПК В 01) 17/16 УДК 66.049.4.05 (088,8) Приоритет Опубликовано 14.У!!.1970. Бюллетень № 23 Дата опубликования описания 6.Х.1970 изооретений и...

276017

Способ получения бикристаллов

365967 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Вема е Социалистически» Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 12.VI1.1969 (М 1347858(23-26) М11К В 01j 17/00 с присоединением заявки № Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Приоритет Опубликовано 11.VI.1971. Бюллетень № 19 Дата опубликования описания 29Х11.1971 УДК 548.55(088....

305907

Патент ссср 412904

1 ясаке, о .: кр> 1 5иблио ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 412904 Саюэ Советских Соцкалмстмыескмх Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” Заявлено 29.XI I.1970 (№ 1604106/23-26) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано ЗОЛ.1974. Бюллетень № 4 Дата опубликования описания 4Х1.1974 М. Кл. В 01d 9/00 В Olj 17/12 Государственный комитет Совета...

412904

Устройство для электронной плавки

Союз Совегскнх Соцналнстнмескнх РВСПУбЛНК 68022? Ф 1 и ато сноию свидвппьспд (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 1001,,7 (21) 2441694/22-26 с присоединением заявки И9вЂ” (23) Приоритет Опубликовано 2310.80 Бюллетень N9 39 Дата опубликования описания 251080 (51)М. Кп З С 30 В 13/00 Государственный комитет СССР по делам нзооретенпй и открытий е,. ДЯ )САДК 6 69...

680227

Устройство для зонной очистки и слива расплава

Союз Советскик Социалистические Республик ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

899738

Способ получения плоских монокристаллов тугоплавких металлов

(19)SU(11)1061526(13)A1(51) МПК 6 C30B13/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ Изобретение относится к бестигельным способам выращивания из расплава монокристаллов тугоплавких металлов и полупроводников и может найт...

1061526

Устройство для зонной плавки

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗОННОЙ ПЛАВКИ, включающее горизонтально расположенный герметичный контейнер и нагреватель , установленный с внешней сторбны контейнера с возможностью возвратно-поступательного перемещения, о тличающееся тем, что, с целью повышения чистоты материала слитка путем разделения готового слитка на мерные части без разгерметизации контейнера, последний снабжен ;поперечньми...

1105519

Способ получения монокристаллических труб из тугоплавких металлов и сплавов на их основе

(19)SU(11)1213780(13)A1(51) МПК 6 C30B13/00, C30B29/52(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТРУБ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ НА ИХ ОСНОВЕ Изобретение относится к технике получения монокристаллов тугоплавких металлов методом электронной...

1213780

Способ получения монокристаллов in sb <bi>

Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./...

1360266

Устройство для разделения слитка высокочистого органического вещества зонной плавкой

Изобретение может быть использовано при получении и фракционном разделении особо чистых гидролизующихся, летучих, токсичных и самовозгорающих на воздухе веществ. Обеспечивает более полное отделение фракции слитка с коэффициентом распределения примесей больше единицы и разделения слитка на фракции без разгерметизации устройства. Устройство содержит контейнер для исходного слитка. К...

1587081

Устройство для очистки веществ методом зонной плавки

Изобретение относится к технике получения чистых веществ и обеспечивает повышение экономичности за счет снижения требований к точности изготовления контейнера. Устройство содержит трубчатый контейнер, снабженный приводами вращения и осевого перемещения, зонные нагреватели, выполненные в виде роликов, контактирующих с поверхностью контейнера. Оси роликов закреплены на рычагах, кото...

1604866

Способ получения термоэлектрического материала на основе халькогенидов сурьмы и/или висмута

Изобретение относится к получению термоэлектрических материалов (ТЭМ) на основе халькогенидов сурьмы и/или висмута, применяемых для прямого преобразования электрической энергии в тепловую и используемых в холодильных устройствах, агрегатах для конденсирования воздуха и др., обеспечивает повышение производительности процесса при одновременном улучшении электрических и механических свойств...

1651594

Способ выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов

COIO3 СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 1658668 А1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ flPM ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 2 (46) 1;.04. З. Ьк. Л 14 (21) 4702506/26 (22) 11.04.89 (72) Н.П. Катрич, А.Я. Данько. 10,П, Мирошников, В.Е. Качала, Г.Т. Адонкин и А.H. Калашников : (56) Авторское свидетельство ЧССР N 208233, кл. С 30...

1658668

Устройство для очистки полупроводниковых материалов

Изобретение относится к технологии, полупроводниковых материалов и обеспечивает повышение производительности за счет исключения холостого хода зонных нагревателей. Устройство содержит контейнер с исходным материалом, окруженный зонными нагревателями. Зонные нагреватели выполнены в виде лент, намотанных с одинаковым шагом и совмещенных по шагу •на две трубы. Трубы установлены коакс...

1712472

Способ получения ориентированных пленок кремния на окисленном кремнии методом боковой эпитаксии

Изобретение относится к выращиванию пленок кремния, может быть использовано в электронной технике для производства полупроводниковых интегральных схем или чувствительных элементовтензопреобразователей на базе структур кремний на диэлектрике и позволяет повысить выход годных пленок за счет устранения пирамид роста на подложке. Пластину кристаллического кремния окисляют, затем в ок...

1724744

Способ зонной очистки изотопнообогащенного германия

Использование: получение кристаллов для полупроводниковой техники. Сущность изобретения: исходный слиток германия-74 подвергают серии зонных проходов в средней части. Непроплавленный начальный участок отдел я ют и переставляют к конечному непроплавленному участку и повторяют серию проходов. Получают с лито к,очищенный до концентрации примесей 1015 . 1 табл., 3 ил. СОЮЗ СОВЕТС...

1781331

Способ получения кристаллического фторида кальция

Использование: получение фторида кальция для выращивания эпитаксиальных пленок. Сущность изобретения: исходную фторид кальция в тигле протягивают со скоростью 8-80 град/см. Процесс ведут в вакууме 10 - 10 мм рт.ет. Получают слиток длиной 160 мм, очищенный от примесей железа , магния, кремния. 1 ил. 2 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ...

1798394

Способ получения кристаллических пластин селенида цинка

Использование: изготовление элементов . ИК-оптики, элементов лазеров. Сущность изобретения: пластины выращивают зонной плавкой со скоростью 7-20 мм/ч с плоским фронтом кристаллизации, находящимся под углом у к направлению движения зоны. Угол равен 50 v+b, где уугол в град, v - скорость движения зоны в мм/ч, (-1,3) а(-1,5);50 . Получают кристаллы с содержанием газовых включений 0,...

1808888

Способ получения монокристаллов боридов редкоземельных металлов

Использование: при выращивании моно- и крупноблочного кристалла соединений бора методом бестигельной зонной плавки с последующей рекристаллизацией. Сущность изобретения: в процессе бестигельной зонной плавки осуществляют охлаждение кристаллизируемой части переплавляемого стержня до 1200 1300°С. Процесс рекристаллизации осуществляют непосредственно в процессе бестигельной зонной плавки пр...

2040599

Способ изготовления фаз системы y-ba-cu-o методом бестигельной зонной плавки

Название: способ изготовления фаз системы Y-Ва-Cu-О методом бестигельной зонной плавки. Сущность: с целью повышения степени текстурирования и получения однофазных образцов предлагается в исходную смесь, состоящую из Y-, Ва- и Cu-содержащих реактивов, добавлять Bi-содержащий реактив, например Bi2O3, в определенной пропорции. При этом в процессе зонной перекристаллизации скорость перемещени...

2062308

Подкатегории

Патенты в этой категории