PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") (RU)

Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ определения плотности твердых материалов и устройство для его осуществления

Способ определения плотности твердых материалов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам измерения плотности образцов твердых материалов и применяющимся для этого устройствам. Способ определения плотности твердых материалов включает последовательное определение веса сосуда с жидкостью, определение веса образца исследуемого материала, определение веса сосуда с жидкостью и помещенным в жидкость образцом исследуемого ма...

2559175

Завихритель потока текучей среды

Завихритель потока текучей среды

Изобретение относится к транспортировке текучих сред по трубопроводам и может быть использовано в устройствах воздействия на поток текучей среды в трубопроводе. Завихритель содержит цилиндрический корпус, внутри которого концентрично установлены три лопатки треугольной формы. Лопатки закреплены по большому катету на стержне, расположенном на оси корпуса, и закреплены в основании. Основание выпол...

2562352

Сверхмощный свч прибор клистронного типа

Сверхмощный свч прибор клистронного типа

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным СВЧ-приборам, предназначенным для получения сверхбольших импульсных и средних мощностей. Технический результат - повышение КПД и импульсной и средней выходной мощности. Сверхмощный СВЧ-прибор клистронного типа содержит соленоид и электронную пушку, содержащую несколько катодов, эмитирующая поверхность каждого из которых име...

2562798

Мощный полевой транзистор свч

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев: по меньшей мере одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя InyGa1-yAs толщиной...

2563319

Полупроводниковая гетероструктура

Полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими характеристиками - толщиной слоев, составом - качественным и количественным, концентрацией легирующей при...

2563544


Мощный полевой транзистор свч

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих слоев, формирующих канал полевого транзистора, в составе собственно канального слоя...

2563545

Способ изготовления диэлектрического резонатора свч

Способ изготовления диэлектрического резонатора свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат - повышение точности получения значения величины температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора СВЧ. Для этого способ осуществляет приготовление шихты заданного керамического диэлектрического материала, формирование из шихты заготовки диэлектрического резонатора посредством прессования, спекание и последующее...

2568260

Генератор управляемый напряжением

Генератор управляемый напряжением

Изобретение относится к генераторам управляемым напряжением. Технический результат заключается в расширении диапазона перестройки частоты при сохранении нижнего предела диапазона частот и возможности создания генератора в монолитном исполнении. В генератор дополнительно введены полевой транзистор с барьером Шотки - третий, две индуктивности - вторая и третья, разделительный конденсатор и низкоча...

2568264

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры для мощного полевого транзистора СВЧ включает расположение предварительно обработанной монокристаллической полуизолирующей подложки арсенида галлия на подложкодержатель в реакторе газофазной эпитаксии, запуск газа-носителя - водорода, нагрев подложкодержателя до рабочей температуры, запуск ростовых...

2570099

Иммерсионный магнитный объектив эмиссионного электронного микроскопа

Иммерсионный магнитный объектив эмиссионного электронного микроскопа

Изобретение относится к электронным линзам, а точнее к иммерсионным магнитным объективам, и может быть использовано при формировании эмиссионного изображения исследуемого объекта на люминесцентном экране эмиссионного электронного микроскопа. Технический результат - повышение электронно-оптического увеличения при сохранении оптической базы микроскопа, улучшение качества эмиссионного изображения...

2572806


Сепаратор газовый вихревого типа

Сепаратор газовый вихревого типа

Изобретение относится к области улавливания мелкодисперсных, аэрозольных и растворенных жидких частиц, а также механических примесей из газового потока с использованием центробежных сил и может применяться в нефтяной, газовой, химической и других отраслях промышленности. Сепаратор газовый вихревого типа содержит вертикальный цилиндрический корпус, разделенный горизонтальной перегородкой на верхн...

2574628

Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры

Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на подложкодержателе в реакторе системы реактивного ионного травления с обеспечением контактирования слоя арсенида...

2576412

Устройство предварительной сепарации и фильтрации

Устройство предварительной сепарации и фильтрации

Изобретение относится к нефтяной и газовой промышленности и может быть использовано для предварительного разделения газожидкостной смеси в системе сбора и подготовки продукции нефтяных и газовых скважин. Устройство предварительной сепарации и фильтрации включает трубопровод, патрубки для подвода газожидкостной смеси и отвода жидкости и газа, а также перегородки. Трубопровод выполнен вертикальным...

2578686

Свч-аттенюатор

Свч-аттенюатор

Использование: для использования аттенюатор с фиксированным затуханием при измерениях в волноводных трактах с высоким уровнем мощности. Сущность изобретения заключается в том, что СВЧ-аттенюатор содержит металлический прямоугольный волновод, поглотитель и экран, при этом волновод выполнен с высотой b узкой стенки и шириной а широкой стенки, в котором образованы два сопряженных друг с другом иде...

2578729

Способ обработки поверхности алмаза

Способ обработки поверхности алмаза

Изобретение относится к технологии обработки алмаза и может быть использовано в микроэлектронной технике СВЧ. Способ обработки поверхности алмаза включает взаимное расположение в одной плоскости исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали, обеспечение непосредственного контакта упомянутых поверхностей, термическую обработку исходной поверхности алмаза на заданную глубину, об...

2579398


Катодно-подогревательный узел

Катодно-подогревательный узел

Изобретение относится к области электронной техники. Катодно-подогревательный узел для мощного клистрона содержит несколько отдельных катодных модулей заданного размера, каждый из которых состоит из катодного блока элементарных катодов, подогревателя, держателя, экрана и которые соосно расположены пролетным трубам клистрона. Часть держателя каждого отдельного катодного модуля на высоту (0,2-2...

2579430

Иммерсионный магнитный объектив эмиссионного электронного микроскопа

Иммерсионный магнитный объектив эмиссионного электронного микроскопа

Изобретение относится к электронным линзам, а точнее к иммерсионным магнитным объективам, и может быть использовано при формировании эмиссионного изображения исследуемого объекта на люминесцентном экране эмиссионного электронного микроскопа с большим электронно-оптическим увеличением при изучении топологии поверхности, например, термокатодов. Технический результат - повышение электронно-оптиче...

2579458

Корпус для полупроводникового прибора свч

Корпус для полупроводникового прибора свч

Использование: для полупроводниковых приборов СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что корпус для полупроводникового прибора СВЧ содержит высокотепло- и электропроводное основание, рамку по периметру одной из поверхностей высокотепло- и электропроводного основания со сквозными отверстиями для металлокерамических вводов/выводов, по меньшей мере одну металлическую контактную площадку на уп...

2579544

Свч синтезатор частот

Свч синтезатор частот

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в приемопередающих устройствах СВЧ диапазона частот. Техническим результатом является повышение устойчивой работы при перестройке частоты входного СВЧ сигнала. СВЧ синтезатор частот содержит СВЧ генератор, управляемый напряжением (ГУН), направленный ответвитель, СВЧ смеситель, источник входного СВЧ сигнала, первый делитель ча...

2580068

Установка химической очистки и сушки изделий

Установка химической очистки и сушки изделий

Изобретение относится к химической очистке и сушке изделий. Установка содержит смежные ванны предварительного и чистового обезжиривания и промывки и камеру сушки, устройства подогрева, устройства контроля и регулирования температуры обезжиривающего раствора и его уровня и выполнена в герметичном корпусе, имеющем закрывающуюся крышку и вытяжную вентиляцию. Дно каждой ванны имеет наклон в сторону...

2580259


Свч-нагрузка

Свч-нагрузка

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано как оконечная нагрузка в волноводных трактах с высоким уровнем мощности и в качестве эталонной измерительной согласованной нагрузки. Техническим результатом является уменьшение коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) и длины СВЧ-нагрузки при конструктивном и технологическом упрощении. Для этого СВЧ-нагрузка содержит металличес...

2580465

Способ изготовления эмиссионно-активного сплава катода

Способ изготовления эмиссионно-активного сплава катода

Изобретение относится к области электронной техники. Способ изготовления эмиссионно-активного сплава катода для электровакуумных приборов СВЧ включает приготовление исходных компонентов сплава заданного соотношения на основе, по меньшей мере, двух компонентов, при этом одного из них - тугоплавкого металла, другого - щелочноземельного металла, соединение исходных компонентов сплава катода в ин...

2581151

Генератор свч

Генератор свч

Изобретение относится к электронной технике, к генераторам СВЧ на транзисторе с электронной перестройкой частоты напряжением и может быть использовано в системах связи и радиолокационных станциях. Достигаемый технический результат - расширение диапазона перестройки частоты при сохранении линейного закона перестройки частоты от управляющего напряжения и уровня выходной мощности. Генератор СВЧ...

2582879

Способ изготовления металлопористого катода

Способ изготовления металлопористого катода

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления металлопористых катодов для вакуумных электронных приборов. Технический результат - повышение равномерности распределения плотности токоотдачи и долговечности катодов. Способ изготовления металлопористого катода включает запрессовку вольфрамового порошка при давлении 8-15 т/см2 в корпус, представляющий из с...

2583161

Ферритовый материал

Ферритовый материал

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания ферритовых материалов с большими величинами ширины линии спиновых волн, предназначенных для использования в СВЧ-диапазоне, в том числе при изготовлении ферритов для приборов высокого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн. Получение ферритового материала с большой величиной ширины линии спиновых волн с намагниченнос...

2588262


Способ обработки поверхности алмаза

Способ обработки поверхности алмаза

Изобретение относится к способам обработки поверхности алмаза для его использования в электронной технике СВЧ. Способ включает взаимное расположение в одной плоскости исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали, обеспечение непосредственного контакта упомянутых поверхностей, термическую обработку исходной поверхности алмаза на заданную глубину, обеспечивающую заданную конеч...

2593641

Трубное устройство предварительной сепарации

Трубное устройство предварительной сепарации

Изобретение относится к нефтяной и нефтегазоперерабатывающей промышленности и может быть использовано для предварительного разделения смеси на газ и жидкость в системах сбора и подготовки продукции нефтяных и газовых скважин. Устройство содержит трубопровод, в котором размещены завихритель и патрубки для подвода газожидкостной смеси и отвода жидкости и газа, центробежный сепаратор, выполненный в...

2596754

Хлоридный флюс для пайки

Хлоридный флюс для пайки

Изобретение может быть использовано для низкотемпературной пайки металлов и сплавов припоями различных марок в широком интервале температур. Хлоридный флюс содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: хлористый цинк 33-41, хлористый аммоний 4-12, гидрохлорид диэтиламина 28-30, щавелевая кислота 15, глицерин 0-5, вода - остальное. В составе флюса отсутствуют токсичные компоненты. Флюс имее...

2599063

Установка низкотемпературной пайки в жидком теплоносителе

Установка низкотемпературной пайки в жидком теплоносителе

Изобретение может быть использовано при низкотемпературной пайке в жидком теплоносителе деталей мягкими припоями, в частности каркасов для корпусов микросборок СВЧ-диапазона. Камера каждой из двух ванн устройства выполнена в виде куба и размещена в кожухе с теплоизоляцией. Устройства подогрева расположены по одному на задней и передней стенке каждой камеры и два - на дне. На боковых стенках каме...

2599065

Генератор свч

Генератор свч

Изобретение относится к электронной технике и может использоваться как генератор с электронной перестройкой частоты. Технический результат - расширение диапазона перестройки частоты и обеспечение высокой выходной мощности. Генератор СВЧ содержит линию передачи на выходе, три полевых транзистора с барьером Шотки, пять индуктивностей, два резистора, четыре емкости. 3 ил.

2604520


Устройство для прессования порошковых материалов изделий электронной техники

Устройство для прессования порошковых материалов изделий электронной техники

Изобретение относится к прессованию изделий электронной техники из порошкового материала. Устройство содержит расположенное горизонтально основание пресса, нижний пуансон, размещенный основанием на горизонтальной поверхности основания пресса, и верхний пуансон, матрицу с замкнутой рабочей полостью. Нижний и верхний пуансоны выполнены в виде прямоугольных параллелепипедов. Матрица состоит из четы...

2604552

Сверхвысокочастотное электровакуумное устройство для генерирования электрических импульсов напряжения

Сверхвысокочастотное электровакуумное устройство для генерирования электрических импульсов напряжения

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным приборам СВЧ, и может быть использовано, например, в радиолокации, радиопротиводействии и в других областях техники. Технический результат - получение простого в эксплуатации сверхвысокочастотного электровакуумного устройства для генерирования сверхкоротких электрических импульсов напряжения со сверхвысокой частотой повторе...

2604833

Способ изготовления неиспаряемого геттера

Способ изготовления неиспаряемого геттера

Изобретение относится к изготовлению неиспаряемого геттера. Формируют слои материала из первого порошка титан-ванадий, имеющего среднеарифметический размер гранул не более 70 мкм, и второго порошка – из смеси первого порошка титан-ванадий и интеркалированного углерода. Засыпают в пресс-форму последовательно порошок титан-ванадий, порошок из смеси порошка титан-ванадий и интеркалированного углерода...

2620234

Способ регенерации цилиндрического металлостеклянного ввода свч-энергии

Способ регенерации цилиндрического металлостеклянного ввода свч-энергии

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способу регенерации цилиндрических металлостеклянных вводов СВЧ-энергии (в дальнейшем - «ввод энергии»). Технический результат предлагаемого изобретения заключается в упрощении и ускорении процесса регенерации ввода энергии, повышении его качества и улучшении условий труда. Технический результат достигается тем, что предлагается спосо...

2622900

Способ изготовления композиционного материала для изделий электронной техники свч

Способ изготовления композиционного материала для изделий электронной техники свч

Изобретение относится к изготовлению композиционного материала для изделий электронной техники СВЧ на основе металлической матрицы в виде алюминиевого сплава и неметаллического наполнителя в виде карбида кремния. Способ включает уплотнение в разъемной пресс-форме шликерным литьем смеси фракций 1÷15 мкм и 35÷50 мкм карбида кремния гексагональной структуры сингонии 6Н со связующим в виде натриевого...

2625377


Способ получения прессованного металлосплавного палладий-бариевого катода

Способ получения прессованного металлосплавного палладий-бариевого катода

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторично-эмиссионных катодов. Путем плавки получают интерметаллид Рd5Ва, размалывают в атмосфере инертного газа или СО2 с получением порошка, полученный порошок смешивают с порошком палладия и проводят механоактивацию полученной смеси в планетарной или вибромельнице в течение 5-15 минут. Пол...

2627707

Способ получения катодного сплава на основе металла платиновой группы и бария

Способ получения катодного сплава на основе металла платиновой группы и бария

Изобретение относится к изготовлению металлосплавных катодов для приборов СВЧ-электроники. Способ получения катодного сплава на основе металла платиновой группы и бария включает прессование навески порошка металла платиновой группы, очистку поверхности бария от оксидов, совместную дуговую плавку прессовки и бария в атмосфере аргона с использованием нерасходуемого вольфрамового электрода. Перед пр...

2627709

Сверхвысокочастотное циклотронное защитное устройство

Сверхвысокочастотное циклотронное защитное устройство

Изобретение относится к области высокочастотной радиоэлектроники, а именно к устройствам защиты от воздействия входной мощности большого уровня в СВЧ-радиоприемных устройствах, в частности в приемниках радиолокационных станций 8-миллиметрового диапазона длин волн. Технический результат - повышение частоты ЦЗУ и расширение области применения ЦЗУ в приемниках РЛС 8-миллиметрового диапазона длин во...

2631923

Переключатель свч мощности

Переключатель свч мощности

Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к переключателям СВЧ мощности, и может быть использовано для переключения СВЧ сигналов между каналами приема (передачи) в СВЧ приемниках (передатчиках). Технический результат заключается в обеспечении согласования по СВЧ входов/выходов переключателя, что позволит применять его совместно с устройствами, нагрузки которых обязательно должны быть соглас...

2632259

Способ изготовления композитного катодного материала

Способ изготовления композитного катодного материала

Изобретение относится к электронной технике, в частности к катодам, работающим в режиме автотермоэлектронной эмиссии. Cпособ изготовления композитного катодного материала включает подготовку порошка активного компонента и нанопорошка матричного металла, смешивание и перемешивание порошка активного компонента с нанопорошком матричного металла и последующую обработку полученной смеси, при этом в кач...

2639719


Способ очистки перед пайкой припоя, выполненного в виде фольги или ленты

Способ очистки перед пайкой припоя, выполненного в виде фольги или ленты

Изобретение может быть использовано при подготовке поверхности фольги, ленты припоя после прокатки перед низкотемпературной бесфлюсовой пайкой, в частности, при сборке изделий РЭА и СВЧ-техники. В первой ванне ультразвукового комплекса проводят обезжиривание при температуре 180-200°С в течение 5-7 мин моющим средством, содержащим, мас.%: щелочь KОН или NaOH 15-25, глицерин 50-60, вода – остальное....

2644486

Способ получения катодного материала на основе металла платиновой группы и бария

Способ получения катодного материала на основе металла платиновой группы и бария

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторичноэмиссионных катодов для мощных приборов СВЧ-электроники, в частности ламп бегущей волны, магнетронов и т.п. Способ получения катодного материала на основе металла платиновой группы и бария включает получение путем плавления интерметаллида металла платиновой группы с барием, его размо...

2646654

Прессованный металлосплавный палладий-бариевый катод и способ его получения

Прессованный металлосплавный палладий-бариевый катод и способ его получения

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторичноэмиссионных катодов для мощных приборов СВЧ-электроники. Прессованный металлосплавный палладий-бариевый катод выполнен трехслойным из двух сплошных палладиевых лент и размещенной между ними ленты с расположенными между собой на равных расстояниях сквозными отверстиями, формирующими я...

2647388

Способ металлизации диэлектрического материала компонента электронной техники свч

Способ металлизации диэлектрического материала компонента электронной техники свч

Использование: для металлизации диэлектрического материала компонента электронной техники СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает формирование защитного слоя на поверхности диэлектрического материала компонента, за исключением его лицевой поверхности, посредством погружения его в раствор на основе полимерного материала, расположенный на подложке-носителе из высокотемперату...

2654963

Интегральная схема свч

Интегральная схема свч

Заявлена интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из алмаза, на обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, в диэлектрической подложке из алмаза выполнены сквозные металлизированные отверстия, посредством которых интегральная схема заземлена, элементы интегральной схемы выполне...

2654970


Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки

Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки

Заявлен приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки, содержащий, по меньшей мере, четыре одноканальных модуля, каждый из которых содержит последовательно соединенные защитное устройство и малошумящий усилитель приемного канала, выходной усилитель мощности передающего канала, два переключателя прием/передача, двунаправленный фазовращатель, схему управления, элементы электрической...

2657336

Клеевая композиция для электронной техники свч

Клеевая композиция для электронной техники свч

Изобретение относится к клеевой композиции для электронной техники СВЧ. Композиция содержит связующее - модифицированную эпоксидную смолу - продукт взаимодействия эпоксититанкремнийорганической смолы с тетрабутоксититанатом, при соотношении компонентов 1:0,06 соответственно, металлический наполнитель - порошок тонкодисперсного серебра, разбавитель - продукт взаимодействия фенола с эпихлоргидрином,...

2662513