Тосиба Мемори Корпорейшн (JP)

Согласно одному варианту осуществления раскрыто магнитное запоминающее устройство. Магнитное запоминающее устройство включает в себя подложку и предусмотренную на подложке контактную вставку. Контактная вставка включает в себя первую контактную вставку и предусмотренную на первой контактной вставке вторую контактную вставку, имеющую меньший диаметр, чем у первой контактной вставки. Магнитное запом...

Группа изобретений относится к магнитной памяти и способу управления магнитной памятью. Магнитная память содержит массив ячеек, включающий в себя множество ячеек памяти, расположенных вдоль первого и второго направлений, при этом массив ячеек включает в себя первую область и вторую область вокруг первой области, и каждая ячейка памяти включает в себя элемент с магниторезистивным эффектом в качеств...

Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам. Техническим результатом является реализация запоминающего устройства, выполненного с возможностью высокоскоростной работы и обладающего большой емкостью. Устройство содержит блоки памяти, каждый из которых включает в себя массив ячеек памяти; линии слов, соединенные со строками каждого из блоков памяти; схему-защелку адреса, выпол...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении количества сдвиговых регистров, используемых для запаздывания. Полупроводниковое запоминающее устройство, способное исполнять первый режим с первым запаздыванием и второй режим со вторым запаздыванием, большим, чем первое запаздывание, содержит блок контактных площадок, выполненный с возможностью принима...

Использование: для создания элемента памяти. Сущность изобретения заключается в том, что полупроводниковое запоминающее устройство включает массив ячеек, включающий в себя множество элементов изменения сопротивления, сформированных над полупроводниковой подложкой, множество первых транзисторов ячеек, сформированных на полупроводниковой подложке и обеспеченных в ассоциации с элементами изменения со...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении включения запоминающего устройства в состав системы без увеличения количества выводов или уменьшения скорости работы. Полупроводниковое запоминающее устройство содержит блоки памяти, каждый из которых включает в себя массив ячеек памяти; линии слов, соединенные со строками в каждом из блоков памяти; пер...

Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление. Первый столбец запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, отличается от смежного второго столбца запоминающих элементов, выстроенн...