федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к способам изготовления автоэмиссионных катодов с применением углеродных нанотрубок и может быть использовано для изготовления элементов и приборов вакуумной микро- и наноэлектроники. Способ включает осаждение на подложку электропроводящего буферного слоя, осаждение каталитического слоя, формирование вертикально ориентированного массива углеродных нанотрубок путем плазмохимич...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полевым эмиссионным элементам, содержащим углеродные нанотрубки, используемые в качестве катодов, а также способу их изготовления. Полевой эмиссионный элемент содержит электропроводящую подложку 1, расположенный на ней диэлектрический слой 3, над которым расположен вытягивающий слой 5, в структуре, состоящей из вытягивающего 5 и диэлектрич...

Изобретение относится к способу изготовления радиоприемного устройства с применением углеродных нанотрубок. Технический результат заключается в повышении стабильности работы и срока службы радиоприемного устройства с применением углеродных нанотрубок. Способ изготовления радиоприемного устройства с углеродными нанотрубками включает формирование диэлектрического слоя 2 на поверхности подложки 1, фо...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления суперконденсаторов. Способ изготовления электрода суперконденсатора заключается в нанесении на проводящую подложку буферного слоя, каталитического слоя, затем диэлектрического слоя, вскрытии в диэлектрическом слое матрицы окон до каталитического слоя с поперечным размером 40-60 мкм, осаждении в окнах массивов вертикал...

Использование: для создания элементов и приборов радиоприемной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что радиоприемное устройство, содержащее подложку с нанесенным на нее, по меньшей мере одним, диэлектрическим слоем, в диэлектрическом слое и подложке выполнено углубление, на поверхности диэлектрического слоя с примыканием к углублению на его сторонах выполнены катод, анод, радиоэлек...