ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO)

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти. Техническим результатом является возможность локализации погрешностей во время считывания или адресации в единственном информационном слове, устранение возмущений на неадресуемых ячейках. Энергонезависимое запоминающее устройство содержит электрически поляризуемый диэлектрический материал, находящийся в...

Изобретение относится к средствам, обеспечивающим возможность адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей. Средство для обеспечения возможности адресации в устройстве, содержащем один или более объемных элементов, представляющих собой ячейки памяти, ячейки дисплеев, диоды, транзисторы и/или переключаю...

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал. Техническим результатом является повышение надежности считывания данных из запоминающих устройств, содержащих ячейки с электрически поляризуемой средой, возможность раз...

Изобретение относится к способу передачи информации в форме файлов по сетям передачи данных или в форме файлов данных, хранящихся на физически транспортируемых средствах хранения данных. Сущность заявленного способа состоит в том, что информация в форме файлов данных классифицируется с использованием уникального классифицирующего ключа данных для каждого файла данных, причем для осуществления пере...

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение степени поляризации ферроэлектрической ячейки памяти и снижение напряженности поля. Ферроэлектрический запоминающий контур содержит ферроэлектрическую ячейку памяти в виде тонкой ферроэлектрической полимерной пленки, два электрода, при этом, по меньшей мере, один...

Использование: для изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала. Сущность изобретения: способ изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала включает следующие этапы: осаждение электропроводящего материала на подложку из полупроводникового материала, формирование рельефа первых параллельных полосковых электродов с шагом, определяемым соответствующими правилами конструирования...

Использование: в приборах с матричной адресацией. Сущность изобретения: прибор с матричной адресацией содержит одно или более запоминающих устройств с ячейками памяти, выполненными с возможностью переключения в нескольких направлениях и построенными в виде массива пассивных элементов с матричной адресацией. Ячейки памяти содержат запоминающую среду в виде ферроэлектрического или электретного тонко...

Изобретение относится к способу определения логического состояния выбранных ячеек памяти, имеющихся в запоминающем устройстве с матричной адресацией. Техническим результатом является возможность бездеструктивного считывания логического состояния выбранных ячеек памяти, адресуемых по схеме пассивной матричной адресации, и отсутствие необходимости обратной записи после каждой операции считывания. Ус...

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. Техническим результатом является минимизация усталостных процессов в запоминающих устройствах, основанных на органических и, в частности, полимерных электретах и ферроэлектриках. Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур содержит ячейку памяти с ферроэлектрически...

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти. Техническим результатом является сокращение времени для получения доступа к устройству хранения данных, отсутствие влияния пьезоэлектрической активации ячеек памяти конкретной запоминающей матрицы на другие запоминающие матрицы, вх...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу изготовления электродов для электродной решетки. Согласно способу изготовления электродов с большим коэффициентом формы для электродной решетки, содержащей параллельные электроды с высокой плотностью расположения, электроды формируют путем многократного выполнения последовательности технологических операций, предусматривающей использова...

Настоящее изобретение относится к устройствам и аппаратам, содержащим функциональные элементы, образующие планарный набор, в котором адресация функциональных элементов осуществляется через первую электродную решетку с параллельными полосковыми электродами, контактирующими с одной стороной функциональных элементов, и через вторую электродную решетку с аналогичными электродами, которые ориентированы...

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей. Устройство содержит стопу запоминающих массивов, сформированных из двух или более ленточных конструкций, с...

Изобретение относится к энергонезависимым запоминающим устройствам. Техническим результатом изобретения является улучшение усталостных характеристик и способность работы на высоких частотах. Согласно изобретению энергонезависимое запоминающее устройство (10) содержит электрически поляризуемый диэлектрический запоминающий материал (11), обладающий ферроэлектрическими или электретными свойствами и с...

Настоящее изобретение относится к устройствам, содержащим функциональные элементы, образующие планарный набор. В электродной решетке, содержащей первый и второй тонкопленочные электродные слои (L1, L2) с электродами (ε) в форме полосковых электрических проводников в каждом слое, электроды (ε) отделены друг от друга только тонкой пленкой (6) из электрически изолирующего материала, т...

Изобретение относится к способу считывания информации из устройства с пассивной матричной адресацией и может быть применено в сенсорных устройствах с индивидуально адресуемыми ячейками на основе поляризуемого материала. Техническим результатом является устранение мешающих напряжений и токов утечки при деструктивном считывании ячеек и обеспечение параллельного считывания из нескольких ячеек. Устрой...

Изобретение относится к устройству объемного хранения данных. Техническим результатом является высокая плотность хранения данных. Устройство содержит множество запоминающих устройств (М) с матричной адресацией, каждое из запоминающих устройств содержит две электродные решетки в виде слоев параллельных электродов, образующих управляющие шины и шины данных, при этом электроды каждой электродной реше...

Изобретение относится к способам сохранения данных в энергонезависимой ферроэлектрической памяти с произвольной выборкой. Техническим результатом является возможность поддержания целостности хранящихся данных. Каждый из способов заключается в том, что записывают множество идентичных копий данных в множество зон памяти, производят считывание всей первой управляющей линии, содержащей, по меньшей мер...

Изобретение относится к способу изготовления ферроэлектрических ячеек памяти и к ферроэлектрическому запоминающему устройству. Техническим результатом является возможность обеспечения высокой плотности ячеек, а также возможность нанесения верхних электродов без повреждения ферроэлектрического запоминающего материала. Указанное запоминающее устройство содержит ферроэлектрические ячейки памяти, по м...

Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам. Сущность изобретения: интегрированные транзисторно/запоминающие структуры содержат один или более слоев полупроводникового материала, два или более электродных слоев, а также запоминающий материал, контактирующий с электродами, находящимися в указанных электродных слоях. По меньшей мере, один слой полупроводникового мате...

В соответствии со способом управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством при считывании данных из ячеек памяти данного устройства на первый и второй наборы электродов подают первое множество разностей напряжения. При записи или обновлении данных в ячейках памяти на первый и второй наборы электродов подают второе множество разностей напряжения. В обоих этих случаях первое и...

Изобретение относится к устройству считывания заряда и к энергонезависимому запоминающему устройству с пассивной матричной адресацией. Техническим результатом является улучшение сбалансированности по заряду, контроль выходного сигнала и обеспечение автоматического смещения в синфазном режиме, автоматическая коррекция смещения нулевого уровня. Устройство считывания заряда содержит два опорных средс...

Изобретение относится к способу, направленному на ослабление мешающих напряжений, возникающих в устройстве хранения данных, имеющем пассивную матричную адресацию. Техническим результатом является повышение быстродействия. В данном способе подача электрических потенциалов осуществляется координированным во времени образом, соответствующим протоколу подачи импульсов. При выполнении операции адресаци...

Изобретение относится к способу управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством, использующим пассивную матричную адресацию. Техническим результатом является минимизация мешающих напряжений. Способ заключается в том, что перед и/или после исполнительного цикла, генерирующего помеху, осуществляют цикл, предшествующий помехе, и/или цикл, следующий за помехой, причем во время у...

Изобретение относится к способу адресации к ферроэлектрической или электретной ячейке памяти путем выполнения операции считывания из ячейки или записи в нее. Техническим результатом является повышение качества хранения данных в краткосрочной перспективе. При осуществлении начальной операции записи ячейку памяти устанавливают в одно из двух устойчивых поляризационных состояний, которым приписывают...