Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков
Патент 1326102
Авторы
Классы МПК
Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков
Реферат
Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков, заключающийся в формировании тензорезисторов, тонкопленочных проводников и контактных площадок и утоньшении кристаллов путем травления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления, уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных, после формирования схемы пластину со стороны тензосхемы закрывают промежуточным слоем адгезионного материала типа полимерного лака, не доходящем до края пластины от 3 до 5 мм, после чего на указанный слой наносят слой кислотощелочестойкого герметизирующего компаунда, перекрывающего слой адгезионного материала, и проводят травление в щелочном или кислотном травителе до образования необходимой перемычки.