Способ травления поверхности изделий из диэлектрических материалов

Способ травления поверхности изделий из диэлектрических материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области технологии оптических деталей, а именно к способам ионно-лучевой обработки деталей, изготовленных из диэлектрических материалов, и может быть использовано в оптике и оптоэлектронике. С целью повышения скорости процесса травления поверхности изделий из диэлектрических материалов ведут путем воздействия сколлимированным пучком ионов, в который введен поток электронов, причем воздействие ведут ступенчато до достижения постоянного значения величины съема материала на каждой ступени с выдержкой между ними, равной времени воздействия. Время травления сокращается в 10 раз. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИ Х

РЕСПУБЛИН (51)4 С 03 С 23/00 Н 01 L, 21/306 н,р

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АSTOPCKOlVlY СВИДЕТЕЛЬСТВУ материала кой между действия. в 10 раз.

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4196318/23-33 (22) 31.12 ° 86 (46) 07.12.89. Бюп. У 45 (72) E.С.Журкин, В,А.Киселев и Л.В.Сергеев (53) 666,1.056(088 ° 8) (56) Патент ГДР У 74998, кл. С 23 С 15/00, опублик. 1973.

Техническое описание к установке

USI-10NIC фирмы PAI 1973. (54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИИ ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к области технологии оптических деталей, а именно к способам ионно-лучевой обИзобретение относится к области технологии оптических деталей, а именно к способам ионно-лучевой обработки деталей, изготовленных из диэлектрических материалов, и может быть использовано в оптике и опто— электронике.

Целью изобретения является повышение скорости травления.

Травление понерхности изделий из диэлектрических материалов ведут путем воздействия сколлимированным пучком ионов, в который введен поток электронон, причем воздействие ведут ступенчато до достижения постоянного значения величины съема материала на каждой ступени с выдержкой между ни-, ми, равной времени воздействия.

На фиг.! представлена зависимость величины удаленного слоя h от времени обработки поверхностей CdTe, где кривая 1 — травление по обычной методике, „„SU„„1527201 A 1 работки деталей, изготовленных из диэлектрических материалов, и может быть использовано в оптике и оптоэлектронике. С целью повышения скорости процесса травления поверхности изделий из диэлектрических материалов ведут путем воздействия сколлимированным пучком ионов, в который введен поток электронов, причем воздействие ведут ступенчато до достижения постоянного значения величины съема на каждой ступени с выдержними, равной времени возВремя травления сокращается

2 ил. кривая 2 — по предложенному способу; на фиг.2 — функционапьная схема, реализующая способ °

Способ осуществляется следующим образом.

В процессе обработки поверхности измеряют величину съема материала,при достижении постоянного значения величины съема выключают ионный пучок и фиксируют время обработки поверхности. Затем последовательно повторяют действие по обработке поверхности до достижения требуемой величины съема.

Измерение в процессе обработки поверхности величины съема материала позволяет определить момент времени, соответствующий накоплению положительного заряда на поверхности изделия, который приводит к торможению ионов в возникшем поле, вследствие чего процесс ионного травления замедляется

1527201

Следовательно, предложенный способ позноляет повысить эффектинность обработки.

Формула изобретения

Л, war

0,5

0,4

0,2

0,2

0,1

0 6 12 !6 2 N >6 t,лин, Фив. 1 фин. 2

Составитель Г. Буронцева

Техр ед Jl. Ñåðäiîêoâà Ксрректор Т.Малец

Редактор В.Данко

Заказ 7474/31

Тираж 418

Подписное

ВН164ПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101 или прекращается. Выключение ионного пучка приводит к компенсации поверхностного положительного заряда эа счет притяжения этим зарядом электро5 нов, эмиттированных с ними нейтрали— затора.

На фиг.2 обозначены: 1 — ионный источник, 2 — нейтралиэатор, 3 — обрабатываемая деталь, 4 - прибор контроля величины съема.

Пример. Были обработаны двояковыпуклые линзы из стали марки

ТК-121 с просветляющим покрытием МдР с целью коррекции спектральной характеристики путем съема лишней толщины просветляющего . покрытия. Дпя обеспечения съема 60 нм было проведено

5 циклон, каждый из которых состоял из включения ионного пучка на время, равное 1 мин, и выключения его на то же время при постоянна включенном нейтрализаторе. Таким образом, общее время обработки соответствовало

10 мин. Скорость травления MgF< ионами аргона с энергией 730 эВ составляла 12 нм/мин ° При этом изменения качестна обработанной поверхности не наблюдалось.

Величина съема при обработке аналогичных деталей известным способом эа время 10 мин составляла 12 нм . Качество обработанной поверхности н некоторых случаях ухудшалось.

Способ травления поверхности иэделий из диэлектрических материалон путем воздействия сколлимированным пучком ионов, в который введен поток электронов, отличающийся тем, что, с целью понышения скорости транления, воздействие пучком ионон ведут ступенчато до достижения постоянного значения величины съема материала на каждой ступени с выдержкой между ними, равной времени воздейстния.