Устройство для охлаждения подложек в ваккуме

Устройство для охлаждения подложек в ваккуме

Реферат

 

Изобретение относится к области технологической обработки подложек в вакууме, а более конкретно к устройствам для охлаждения подложек в вакууме. Сущностью изобретения является то, что теплопроводящее вещество - жидкое и расположено в поддоне, между подложкой и жидким теплопроводящим веществом расположена фторопластовая пленка толщиной 0,05-0,1 мм, механически закрепленная на подложкодержателе, а диаметр поддона в 1,1-1,3 раза больше диаметра подложки, подложка расположена в диске с проточкой для фиксации подложки, причем глубина проточки составляет 0,5-0,7 толщины подложки. 1 ил.

Изобретение относится к области технологической обработки подложек в вакууме, а более конкретно к устройствам для охлаждения подложек в вакууме.

Известно устройство охлаждения подложек в вакууме [1] содержащее охлаждаемый подложкодержатель и механические прижимы подложки.

Недостатком аналога является малая эффективность охлаждения ввиду наличия зазора между подложкой и подложкодержателем.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство охлаждения подложек в вакууме [2] содержащее охлаждаемый подложкодержатель, механические прижимы подложки и теплопроводящее вещество, взаимодействующее с подложкой.

Недостатком прототипа является также малая эффективность охлаждения подложки ввиду наличия незначительного зазора между подложкой и подложкодержателем.

В основу изобретения положена задача повысить эффективность охлаждения подложек в вакууме.

Эта задача решается тем, что теплопроводящее вещество жидкое и расположено в поддоне, между подложкой и жидким теплопроводящим веществом расположена фторопластовая пленка толщиной 0,05-0,1 мм, механически закрепленная на подложкодержателе, а диаметр поддона в 1,1-1,3 раза больше диаметра подложки, подложка расположена в диске с проточкой для фиксации подложки, причем глубина проточки составляет 0,5-0,7 толщины подложки.

Введение в устройство охлаждения подложек в вакууме жидкого теплопроводящего вещества, расположенного в поддоне, диаметр которого в 1,1-1,3 раза больше диаметра подложки, а также фторопластовой пленки толщиной 0,05-0,1 мм, расположенной между подложкой и жидким теплопроводящим веществом, обеспечивает совместно с механическим прижимом подложки эффективный теплоотвод с поверхности подложки, при устранении возможности смачивания подложки жидким теплопроводящим веществом, что и обеспечивает повышение эффективности охлаждения подложки.

Сопоставительный анализ заявляемого устройства охлаждения подложек в вакууме и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна".

Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники, позволило выявить совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенное отличие".

На чертеже представлен общий вид устройства охлаждения подложек в вакууме.

Устройство охлаждения подложек в вакууме содержит охлаждаемый подложкодержатель 1, механические прижимы 2 подложки 3 и жидкое теплопроводящее вещество 4, расположенное в поддоне 5 и взаимодействующее с подложкой 3 через фторопластовую пленку 6 толщиной 0,05-0,1 мм. Фторопластовая пленка 6 механически закреплена на подложкодержателе 1, например, посредством кольца 7 и винтов 8. Диаметр поддона 4 в 1,1-1,3 раза больше диаметра подложки 2. Механические прижимы 2 связаны с кольцом 7 также винтами 9. Подложка 3 расположена в кольце 10 с проточкой 11 для фиксации подложки 3, причем глубина проточки 11 составляет 0,5-0,7 толщины подложки.

Устройство охлаждения подложек в вакууме работает следующим образом. Передача холода от подложкодержателя на подложку 3 осуществляется посредством жидкого теплопроводящего вещества 4 и фторопластовой пленки 6, посредством которой подложка 3 предохраняется от смачивания жидким теплопроводящим веществом 4. Механические прижимы 2 осуществляют поджатие подложки 3 через кольцо 10 таким образом, что кольцо 10 совместно с подложкой 3 всегда оказывается утопленной во фторопластовой пленке 6, покрывающей жидкое теплопроводящее вещество 4, что обеспечивает плотное контактное взаимодействие подложки 3 с жидким теплопроводящим веществом 4 через фторопластовую пленку 6.

Применение предлагаемого устройства охлаждения подложек в вакууме повышает эффективность охлаждения подложки за счет увеличения площади контакта между подложкой и теплопроводящим веществом.

Источники информации: Ивановский Г.Ф.Петров В.И.Ионно-плазменная обработка материалов.-М.Радио и связь,1986,с.232,с.194.

Там же,с.195.

Формула изобретения

Устройство для охлаждения подложек в вакууме, содержащее охлаждаемый подложкодержатель, механические прижимы подложки и теплопроводящее вещество, взаимодействующее с подложкой, отличающееся тем, что оно снабжено поддоном диаметром, в 1,1 1,3 раза превышающим диаметр подложки, фторопластовой пленкой толщиной 0,05 1 мм, размещенной между подложкой и теплопроводящим веществом и механически закрепленной на подложкодержателе, и кольцом с проточкой для фиксации подложки, глубиной 0,5 0,7 толщины подложки, причем теплопроводящее вещество размещено на поддоне в жидком состоянии.

РИСУНКИ

Рисунок 1