КОЖЕВНИКОВ АНАТОЛИЙ СЕРГЕЕВИЧ
Изобретатель КОЖЕВНИКОВ АНАТОЛИЙ СЕРГЕЕВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для контроля криволинейныхповерхностей
Союз Советских Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ < 831530 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (51)М. Кл 3 В. 23 (} 15/00// G 01 В 7/28 (22) Заявлено 0904.79 (21) 2 749858/25-08 с присоединением заявки Нов (23) Приоритет Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий Опубликовано 2305.81. Бюллетень N9 19 Дата опублик...
831530
Устройство для правки фасонного шлифовального круга
Союз Соретскнх Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
952557
Способ изготовления режущих частей вырубных штампов
Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.03.81 (21) 3260622/25-27 (51) М. К, В 21 К 5/12 В 21 J 5/12 с присоединением заявки №вЂ” Государственный комитет (23) Приоритет— СССР Опубликовано 15.10.82. Бюллетень № 38 Дата опубликования описания 25.10.82 (53) УДК 62!.735 (088. 8) ио делам изобр...
965584
Вращающийся резец
1. ВРАЛЩЙЦИЙСЯ РЕЗЕЦ, со-, держалщй корпус, чашечный режущий элемент, консольно закрепленный на оси, установленной в корпусе на двух радиальных опорах и упорном подшипнике, расположенном на противоположном от чашечного режущего элемента конце оси и опирающемся на крьшку корпуса, и самоустанавливающуюся опору с упругим элементом , отличающийся тем, что, с целью повышения долговечн...
1151362
Ротационный резец
1. РОТАЦИОННЫЙ РЕЗЕЦ по авт. св. № 1100048, отличающийся тем, что, с целью увеличения его долговечности и стойкости , ближайший к режущему элементу упорный подшипник установлен на подложке, имеющей в торце два сегментных паза, расположенных диаметрально один напротив другого и симметрично относительно оси резца. 2.Резец по п. 1, отличаю-щ и и с я тем, что по меньшей мере в одном...
1154054
Приспособление для крепления пластинчатых электродов
Изобретение относится к электроэрозионной обработке и может быть использовано при многоэлектродной обработке на копировально-прошивочных станках. Целью изобретения является сокращение вспомогательного «времени на замену электродов. Для выставки электроды 1 устанавливаются в пазы боковых плит 2. Прижим их к базовой поверхности пазов осуществляется зажимными планками 4 путем их пер...
1465211
Способ термической обработки штампового инструмента
Изобретение относится к металлургии и может быть использовано для упрочнения штампового инструмента, преимущественно пресс-форм для литья под давлением. Цель изобретения - повышение ударной вязкости. Штамповую сталь повышенной теплостойкости 4<SP POS="POST">.</SP>5 МФС подвергают улучшению с закалкой от температур АС<SB POS="POST">1</SB>+(860-870°С) и о...
1569343
Способ изготовления абразивного инструмента гальваническим методом
Изобретение относится к технологии изготовления абразивного инструмента гальваническим методом и может быть использовано в частности при изготовлении алмазных правящих роликов. Цель изобретения - повышение износостойкости и режущей способности инструмента. Абразивный инструмент изготавливают гальваническим методом путем декапирования, нанесения абразивных зерен и окончательного их...
1590366
Устройство для крепления пластинчатых электродов- инструментов
Изобретение относится к машиностроению , конкретно к электротехнологии, и предназначено для крепления пластинчатых электродов (Э). Целью является повышение точности установки электродов и сокращение вспомогательного времени. Для этого каждый пластинчатый электрод 35, установленный в автономную ячейку Э, фиксируется посредством пазов-ловителей, выполненных на поворотных рычагах 4-...
1734967
Способ получения кристаллических пластин селенида цинка
Использование: изготовление элементов . ИК-оптики, элементов лазеров. Сущность изобретения: пластины выращивают зонной плавкой со скоростью 7-20 мм/ч с плоским фронтом кристаллизации, находящимся под углом у к направлению движения зоны. Угол равен 50 v+b, где уугол в град, v - скорость движения зоны в мм/ч, (-1,3) а(-1,5);50 . Получают кристаллы с содержанием газовых включений 0,...
1808888
Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка
Сущность изобретения: кристаллы селенида цинка выращивают из расплава с последующим отжигом кристалла в градиенте температуры непосредственно в устройстве для выращивания. Непосредственно по окончании вытягивания кристалла устанавливают температуру верха кристалла 1240-1280°С, градиент температуры в направлении к низу кристалла 2-4 град/см и отжиг ведут путем охлаждения н...
1810402