ТЕНК ЭДМУНД ЭДМУНДОВИЧ
Изобретатель ТЕНК ЭДМУНД ЭДМУНДОВИЧ является автором следующих патентов:
![Полупроводниковое запоминающее устройство Полупроводниковое запоминающее устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f5cc43306102a440eb0cdaf1b3edcd0d.jpg)
Полупроводниковое запоминающее устройство
СОЮЗ СЬЮТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (!9) (И) СЮ 11 С 11/40 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫЛИ ЫТСОВЖЗ. Я ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ I > i .H ABT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 1) 3302364/18 24 (22.) 1 9.06,8 1. (46) 30.03.83. Бюл. N» 12 (7 2) Э. Э. Тенк (53) 68 1.3 27. 66(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР No. 788176, кл. g ll С 13./40, 1978. 2....
1008791![Запоминающее устройство Запоминающее устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/90e13b82e5fe2a3c8b86137257d6bd3d.jpg)
Запоминающее устройство
ЗАПОМИНАИЦЕЕ УСТРОЙСТВО, содержа11 ее матричный накопитель, адресные шины которого являются входами первой группы устройства, разряд: .j QCIJI ные шины подключены к разрядному крммутатору , управляющие входы которого являются входами второй группы устройства , триггер, входы-выходы которого являются числовыми выходами устройства , формирователь импульсов, рыход которого соединен...
1109804![Матричный коммутатор Матричный коммутатор](https://img.patentdb.ru/i/200x200/89c30984e073a9af1f6e0b12d9e55735.jpg)
Матричный коммутатор
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Л0„„1210218 А (51)4 Н 03 К 17/62 / з,„„ /7 „. :, .я . ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3762868/24-21 ,(22) 29.06.84 (46).07.02.86. Бвл, ¹ 5 (72) P.Ñ. Кильметов, А.Г. Краснопольский, P À. Лашевский, Е.Б. Механцев, Э.Э. Тенк и B.С. Хорик (53) 621.382(0...
1210218![Запоминающее устройство Запоминающее устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/94d820237ad01e83fe95fe15c4a0f12a.jpg)
Запоминающее устройство
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам. Может быть использован.о в быстродействующих запоминающих устройствах на Л1ДГ1-транзистора в интегральном исполнении . Целью изобретения является повышение быстродействия устройства. Оно содержит накопитель, дешифраторы строк и столбцов, входы которых являются адресными входами устройства, формир...
1269209![Ячейка памяти с внутренней регенерацией Ячейка памяти с внутренней регенерацией](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ea86066c12e02137fd77b2ba2b4617cc.jpg)
Ячейка памяти с внутренней регенерацией
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запомиг нающих устройств. Цель изобретения упрощение ячейки памяти - достигается тем, что, в ячейке памяти, содержащей три транзистора и накопительный элемент на конденсаторе, конденсатор подключен к затвору и кистоку : третьего транзистора подсоединением стока второго транзистора к од...
1274001![Ячейка памяти Ячейка памяти](https://img.patentdb.ru/i/200x200/9bd124c452019e80e2069e4089cc94df.jpg)
Ячейка памяти
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении интегральных полупроводниковых запоминающих устройств. Ячейка памяти содержит два ключевых транзистора, адресный транзистор, накопительный конденсатор , адресные и информационные входы, a также шины постоянного и импульсного питания и позволяет с более высоким быстродействием записыват...
1275545![Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e004869befd293f9a257099b15b2c30b.jpg)
Оперативное запоминающее устройство
Изобретение относится к вычислительной технике. Целью изобретения является повьшение быстродействия запоминающего устройства. Устройство содержит накопитель информации на МДП-транзисторах, разрядный коммутатор, блок ключей, формирователь импульсов, ключевые элементы на транзисторах, триггер и усилитель считывания. Повышение быстродействия достигается за счет того, что при появлен...
1283854![Запоминающее устройство Запоминающее устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/dce729cbebe82ac54bdfb75b2e012586.jpg)
Запоминающее устройство
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти с коррекцией ошибок. Цель изобретения - повышение надежности устройства. Поставленная цель достигается введением в устройство разделительных элементов 14 на конденсаторах. В случае замыкания транзистора элементов памяти 1, 2 на шину нулевого потенциала или подложку выходит из строя тольк...
1293760![Полупроводниковое оперативное запоминающее устройство Полупроводниковое оперативное запоминающее устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7c4d7266cf745e1046b0a0df8ed78a19.jpg)
Полупроводниковое оперативное запоминающее устройство
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании интегральных полупроводниковых запоминающих устройств . Целью изобретения является повышение надежности устройства и увеличение выхода годных. Устройство содержит ячейки памяти информационных 1 и контрольного 2 разрядов, дешифратор 3, инверторы 5 и блок 4 коррекции . Достижение цели изобретения...
1295446![Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d614154e06351039932699e4b3e13070.jpg)
Оперативное запоминающее устройство
Изобретение относится к вычислительной технике, Б частности к устройствам памяти на полупроводниковых приборах. Целью изобретения является повьшение быстродействия оперативного запоминающего устройства. Устройство содержит матричный накопитель 1, разрядный коммутатор 2, элемент 3 задержки , одновибратор 4, триггер 5, , ключевые элементы 6, 7 МДП-транзисторЫ 8, 9, конденсаторы 10...
1429167![Адресный формирователь Адресный формирователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/be9c049a75b3a5f5d40adacd4ff635c0.jpg)
Адресный формирователь
Изобретение относится к вычислительной технике и микроэлектронике и может быть использовано при проектировании постоянных запоминающих устройств. Цель изобретения - расширение области применения формирователя за счет формирования сигнала выборки по нескольким адресам. Это достигается тем, что в каждом элементе 1 памяти формирователя содержится второй запоминающий транзистор 4. Низ...
1607013