Болтарь Константин Олегович (RU)

Использование: изобретение относится к области оптического приборостроения. Сущность способа заключается в подборе сред, находящихся в оптическом контакте и образующих границу раздела с отрицательной производной зависимости угла полного внутреннего отражения (ПВО) от длины волны в оптически более плотной среде. В способе используют две пары оптических сред, одну - образующую границу раздела с поло...

Изобретение относится к области оптического приборостроения и может быть использовано при построении приборов для спектральной фильтрации оптических излучений, например, перестраиваемых по длине волны оптических фильтров, монохроматоров. Сущность способа заключается в подборе сред, находящихся в оптическом контакте и образующих границу раздела с отрицательной производной зависимости угла полного в...

Изобретение относится к оптико-электронным системам формирования и обработки инфракрасных изображений, для которых актуальна задача устранения неоднородности сигналов, обусловленных различиями в чувствительности к входному потоку и в темновом токе элементов фотоприемных устройств (ФПУ). Изобретение может использоваться в тепловизионных системах с матричными ФПУ, в условиях меняющейся сцены. Технич...

Изобретение относится к области оптического приборостроения и может быть использовано при построении приборов для спектральной фильтрации оптических изображений, например, перестраиваемых по длине волны оптических фильтров, тепловизоров, работающих в заданных узких спектральных диапазонах. Сущность изобретения заключается в том, что в фильтрующеем устройстве, перестраиваемом по длинам волн в преде...

Изобретение относится к технологии сборки фотоприемных устройств ИК-диапазона и кремниевой БИС считывания, где актуальной проблемой является получение надежного гальванического соединения элементов фотоприемной матрицы и матрицы считывания. Сущность изобретения: в способе сборки фотоприемного устройства, включающем напыление слоя индия на полупроводниковые материалы, формирование индиевых столбов...

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят фотолитографическую обработку по слою индия с последующей сушкой в термостате или на горячей подложке....

Устройство относится к области оптического приборостроения. Отображающий спектрометр содержит интерферометр 1, образованный двумя параллельными пластинами, на которые нанесено отражающее покрытие, объектив 2, входное окно 3, полосовой фильтр 4, матричный приемник излучения 5 и монитор тепловизора 6. Предложен оптимальный расчет расстояния между пластинами интерферометра d, фокусного расстояния о...

Изобретение предназначено для испытания безотказности инфракрасных многоэлементных фотоприемных устройств (ИК МФПУ), в которых матрица фоточувствительных элементов установлена внутри герметизированного корпуса, стыкуется с мультиплексором или растром с помощью проводящих индиевых микростолбиков, а ее рабочая температура ниже температуры окружающей среды. Сущность изобретения: для испытания безотк...

Изобретение относится к испытаниям сохраняемости инфракрасного (ИК) многоэлементного фотоприемного устройства (МФПУ), содержащего клеевые соединения в вакуумированной полости, с рабочей температурой фоточувствительных элементов ниже температуры окружающей среды, предназначенного для регистрации ИК-излучения. Сущность изобретения: для проведения испытания задают количество циклов хранения, включаю...

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения и регистрации инфракрасного (ИК) излучения нескольких диапазонов спектра. Устройство содержит матрицу фоточувствительных элементов с коротковолновым рабочим фоточувствительным слоем (3) и длинноволновым рабочим фоточувствительным слоем (4). Матрица фоточувствительных элементов состоит из трех разновысоких областе...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для испытания безотказности электронных и иных устройств, модель отказов которых соответствует экспоненциальному закону. Согласно изобретению испытывают устройство, для которого известны начальное R1 и конечное R0 значения контролируемого параметра и среднее время наработки до отказа Tcp. Испытание устройства проводят в течен...

Изобретения относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и могут использоваться для создания матричных фотоприемников различного назначения. Способ изготовления матричного фотоприемника заключается в том, что фоточувствительный элемент гибридизируют с БИС мультиплексора индиевыми столбиками, образуя тем самым заготовку фотоприемника, и утоньшают базовую область фоточувстви...

Изобретение относится к способам измерения параметров инфракрасных матричных фотоприемных устройств (ИК ФПУ), работающих в режиме накопления. Способ измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительных элементов матричных ИК ФПУ включает установку ФПУ на заданном расстоянии от излучающей поверхности протяженного абсолютно черного тела (АЧТ), выставление первой заданной температу...

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых микроконтактов пластину с матрицами БИС или фотодиодными матрицами защищают перфорированной в местах контактов пленкой фоторезиста, напыляют слой индия толщиной, соответствующей высоте микроконтактов, метод...

Изобретение относится к многоэлементным или матричным фотоприемникам (МФП) на основе антимонида индия, чувствительным в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Конструкция МФП позволяет повысить выход годных и улучшить однородность параметров МФП в серийном производстве за счет увеличения квантовой эффективности и устранения эффекта «памяти» и влияния клеевого соединения на величину фототоков фоточувств...

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного обращаемого фоторезиста, который после экспонирования через фотошаблон с рисунком микроконтактов подвергается...

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. В способе изготовления микроконтактов матричных фотоприемников согласно изобретению формируют на пластине с матрицами БИС или фотодиодными матрицами металлический подслой (например, Cr+Ni) круглой формы, защищают кристалл пленкой фоторезиста с окнами круглой...

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными БИС считывания вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзис...

Изобретение относится к технологии гибридизации ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа (flip chip) и может быть использовано для выравнивания зазоров между кристаллами БИС и МФЧЭ, что приводит к увеличению надежности соединения и стойкости к термоциклированию соединения кристаллов, с помощью так называемых индиевых "подушек" на обоих кристаллах. Способ перевернутого монтажа дополнен нов...

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур InGaAs/InP на поверхность р+-In 0,53 Ga 0,47 As осуществляют путем нанесения фотолитографическим способо...

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlxGa1-xN. Изготовление осуществляют по меза-технологии ионным травлением до слоя n+ -AlGaN, затем поверхность меза...

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, при этом микроконтакты выполняют в форме вытянутых прямоугольников с...

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом, дополнительно содержащим в качестве комплексообразователя винную кислоту, в качестве смазывающей добавки этиленгли...

Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения и регистрации инфракрасного (ИК) излучения в нескольких спектральных поддиапазонах инфракрасной области спектра от 3,5 до 12,7 мкм. Многокристальное многоцветное фотоприемное устройство (ФПУ) с расширенной спектральной характеристикой квантовой эффективности содержит кристаллы матриц фоточувствительных элементов...

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Способ изготовления индиевых микроконтактов согласно изобретению включает напыление слоя индия на полупроводниковые пластины с контактными площадками, формирование плоских индиевых площадок толщиной напыленн...