PatentDB.ru — поиск по патентным документам

КРАССНИТЦЕР Зигфрид (AT)

Изобретатель КРАССНИТЦЕР Зигфрид (AT) является автором следующих патентов:

Способ и устройство для изготовления очищенных подложек или чистых подложек, подвергающихся дополнительной обработке

Способ и устройство для изготовления очищенных подложек или чистых подложек, подвергающихся дополнительной обработке

Изобретение относится к изготовлению по меньшей мере одной очищенной подложки, особенно, очищенных таким образом режущих частей инструментов, очищенные подложки которых могут быть подвергнуты дополнительной технологической обработке до и/или после очистки, например, посредством нагрева и/или нанесением на них покрытия. Технический результат - обеспечение повышенной плотности плазменного травления...

2423754

Электродуговой источник и магнитное приспособление

Электродуговой источник и магнитное приспособление

Изобретение относится к электродуговым источникам и может быть использовано для искрового напыления. Технический результат состоит в повышении коэффициента использования мишени и уменьшении образования брызг. Электродуговой источник содержит мишень (1), переднюю поверхность (2) мишени для вакуумного испарения материала мишени, заднюю сторону мишени с охлаждающей пластиной (4), центральную зону (Z...

2448388

Вакуумная камера на рамном основании для установок для нанесения покрытий

Вакуумная камера на рамном основании для установок для нанесения покрытий

Изобретение относится к вакуумной камере для установок для нанесения покрытии. Камера включает в себя раму камеры. В раму механически разъемно и герметично вставлены вставные панели, причем некоторые из вставных панелей несут функциональные элементы. Рама камеры включает в себя, по меньшей мере, одну основную поверхность с консолями, вырезанную из отформованной цельной металлической панели. Конс...

2486278

Способ производства заготовок с травленной ионами поверхностью

Способ производства заготовок с травленной ионами поверхностью

Изобретение относится к области обработки материалов посредством ионной бомбардировки. Обеспечены планетарные устройства (22) для перемещения для заготовок, установленные на вращающемся устройстве (19) внутри вакуумной камеры. Обеспечен источник (24) облака, включающего ионы, (CL), таким образом, что центральная ось (ACL) облака пересекает ось вращения (А20) вращающегося устройства (19). Облако...

2504860

Способ очистки для установок для нанесения покрытий

Способ очистки для установок для нанесения покрытий

Изобретение относится к способу предварительной обработки вспомогательных поверхностей установки для нанесения покрытий. Вспомогательные поверхности установки для нанесения покрытий еще перед процессом нанесения покрытия подвергают предварительной обработке путем нанесения на вышеуказанные вспомогательные поверхности антиадгезионного слоя, в качестве которого используют суспензию графитового пор...

2510664


Устройство зажигания для дуговых источников

Устройство зажигания для дуговых источников

Изобретение относится к устройству зажигания для зажигания разряда током большой силы электродугового испарителя в установке нанесения покрытий вакуумным напылением. Зажигание осуществляется посредством механического замыкания и размыкания контакта между катодом и анодом. Контакт устанавливается посредством пальца зажигания, перемещаемого по вынужденной траектории. С помощью вынужденной...

2516453

Модифицируемая конфигурация магнитов для электродуговых испарителей

Модифицируемая конфигурация магнитов для электродуговых испарителей

Изобретение относится к области газоразрядной техники, в частности к электродуговому испарителю для получения покрытий из твердых материалов на инструментах. Электродуговой испаритель снабжен предусмотренной на мишени системой магнитных полей для создания магнитных полей на поверхности мишени и над ней. Система магнитных полей включает в себя краевые постоянные магниты и по меньшей мере одну рас...

2550502

Мишень для искрового испарения с пространственным ограничением распространения искры

Мишень для искрового испарения с пространственным ограничением распространения искры

Изобретение относится к мишени для электродугового источника (ARC) с первым телом (3) из подлежащего испарению материала, которое содержит по существу в одной плоскости предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность в этой плоскости окружает центральную зону. В центральной зоне предусмотрено выполненное в виде диска второе тело (7), изолированное от первого тела (3...

2562909

Источник плазмы

Источник плазмы

Изобретение относится к источнику плазмы, который плавающим образом расположен на вакуумной камере, причем источник плазмы содержит корпус источника и в корпусе источника предусмотрена размещенная изолированно от него нить накала. Причем предусмотрены средства для измерения падения потенциала между корпусом источника и нитью накала. Измеренное падение потенциала может применяться для регулирования...

2622048

Способ предоставления последовательных импульсов мощности

Способ предоставления последовательных импульсов мощности

Изобретение относится к способу предоставления импульсов мощности для PVD-распыляемого катода, который содержит компонент приема мощности и частичный катод, при этом во время интервала нарастания мощности генератора мощность в компоненте приема мощности снижается, а затем мощность снижается на частичном катоде, причем переключение осуществляется таким образом, что отдача мощности от генератора, пр...

2631670


Способ реактивного распыления

Способ реактивного распыления

Изобретение относится к способу реактивного распыления, в котором посредством ионной бомбардировки с поверхности первой мишени выбивается материал и переходит в газовую фазу, при этом к мишени прилагается отрицательное импульсное напряжение таким образом, что на поверхности мишени возникает электрический ток с плотностью тока, составляющей более 0,5 А/см2, так что переходящий в газовую фазу матери...

2632210

Способ гомогенного нанесения покрытий hipims

Способ гомогенного нанесения покрытий hipims

Настоящее изобретение относится к импульсному магнетронному распылению. Способ физического нанесения покрытия из газовой фазы путем распыления в вакуумированной камере для нанесения покрытий включает следующие этапы: a) подготовка генератора с заданной постоянной отдачей мощности, предпочтительно, по меньшей мере после подключения и по окончании интервала увеличения мощности, b) подключение г...

2633516

Источник плазмы

Источник плазмы

Изобретение относится к устройству формирования плазмы. Устройство содержит источник плазмы с полым телом (1) источника плазмы и блоком (5) эмиссии электронов для эмиссии свободных электронов в полое тело источника плазмы, при этом полое тело (1) источника плазмы имеет первый газовый вход (7а) и отверстие (10) источника плазмы, которое образует отверстие к вакуумной камере, а также анод с полым те...

2643508