Бакланов М.Р.

 Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют лу...

 Травитель для поликристаллического кремния, легированного кислородом, содержащий водный раствор дифторида ксенона, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности кремниевых подложек и снижения стоимости технологического процесса, он дополнительно содержит плавиковую кислоту при следующих соотношениях компонента, мас.%: Плавиковая кислота - 0,75 - 10 Дифторид ксенона - 0,05...

 Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%: Бром - 0,1-2,5 Ацетонитрил - 97,5-99,9

 1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс...

 1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном...

 Использование: для получения атомарно-очистной поверхности кремния в технологии вакуумной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Сущность изобретения: кремниевые пластины обрабатывают в жидкостном травителе. Образовавшийся окисный слой и поверхность кремния удаляют при комнатной температуре травлением в дифториде ксенона. При этом достигается высокая степень обезуглероживания поверхности. Затем...

 Использование: в полупроводниковой технике и при изготовлении одиночных и многоэлементных фотоприемных устройств. Сущность изобретения: способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев. Между ближайшим к подложке проводящим n+GaAs слоем и многослойной периодической структурой наносят туннельно-тонкий стоп-слой AlAs толщиной 2-5 нм. Тр...