C30B15/34 - выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей

Способ получения моно- и поликристаллов

ОПИСА ИЗОБРЕТ Союз Советских Социалистических Респтблик К АВТОРСКОМУ ТВИД Зависимое от авт. свидетельс 12с, 2 12g, 17/18 Заявлено 23.1Х.1961 (№ 74565 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 13.xl.1967. Бкко1 В Old ВОИ 548.55,66.065.5 Ксмитет пс делам изсбретений и сткрытий при Сввете Министров СССР Дата опубликования описани Авторы изобретения Б. М, Гольцман и К...

149759

Патент ссср 151299

ОПИСА и WE ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик 151299 Зависимое or авт. свидетельства № Заявлено 14 ° IX I96I (3 744783/23-4) Кл, 12С 2 с присоединением заявки № Комитет по д изобретений и от при Совете Мии СССР " Ь "ЕО; Ц;л Лвтор изобретения Т.Г.Петров Заявитель СПОС ОБ ЕИРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТйШОВ ИДАННОГО IIPGQKIH ИЗ РАСТВОРОВ...

151299

Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (юй)ю С 30 В 15/34 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2008049/26 (22) 26.03.74 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.Р,Добровинская, Л.А.Литвинов, В.В.Пищик,Е.А.Тучинский и Ю,Т.Гринченко (54)(57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ ИЗ РАСПЛАВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ НИТИ...

475075

Устройство для вытягивания профилированных кристаллов

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 15/34 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2 120960/26 (22) 04,04.75 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (72) Е.P.Äîáðîâèíñêàÿ, Л.А.Литвинов и В.В.Пищик (56) Патент США М 3687633, кл. 23-273, 29.08.72. Авторское свидетельство СССР М 475075, кл. В 01 J 17/1...

613544

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, т...

650273

Способ получения полых кремниевых труб

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛЬК КРЕМНИЕВЫХ ТРУБ вытягиванием их из расплава на вращаемую затравку вформе кольца при боковом и донном нагреве тигля с расплавом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения постоянства толщины стенки трубы по всей длине, для нагрева тигля с расплавом устанавливают отношение удельных тепловых потоков , подводимых к боковым стенкам тигля и к его донной части,...

687654

Формообразователь для выращивания монокристаллических лент тугоплавких окислов

ФОРМООБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛЙЧ1?СКИХ ЛЕНТ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ,включающий две симметрично расположенные пластины из тугоплавкого металла с капиллярным зазором между ними, отличающ и и с я тем, что, -с цель*?' улучшения структурного совершенства получаемых лент, верхние торцы пластин со стороны капиллярного зазора выполнены со cKocaivm под углом. 10-40 к вертикальн...

839324

Устройство для получения профилированных кристаллов

1 УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВi вытягиванием из расплава на затравку,включающее камеру роста, размещенные в внутри нее тигель для расплава, снабженный формообразоеателем, нагреватель тигля, съемные затравкодержатели с затравками, соединенные со штоком механизма вытягивания, и средство подпитки расплава, отличающееся тем, что, с целью повышения производитель...

845508

Устройство для получения монокристаллических волокон

Устройство для получения монокристаллических волокон по авт. св. № 736424, отличающееся тем, что, с целью увеличения интенсивности теплоотвода по вытягиваемым волокнам и повышения за счет этого производительности процесса, нижние края охлаждаемых элементов дополнительно снабжены с внутренней стороны валиками из легкоплавкого металла или сплава.

888606

Устройство для выращивания ориентированных кристаллических слоев

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-еувЂ” (22) Заявлено 020780 (21) 2966306/23-26 (51) М. Кл з С 30 В 15/34 с присоединением заявки ¹â€” (23) ПриоритетвЂ” Государственный комитет СССР ио делам изобретений и открытий Опубликовано 07 1 2д 2 Бюллетень ¹ 4 5 (53) УДК 6 21 3 1 5 Дата опубликов...

949979

Устройство для выращивания профилированных монокристаллов

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАВЩВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее тигель для расплава с крьшкой , размещенные в нем формообразователи , укрепленные на крышке и имеющие капиллярную систему, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения производительности, формообразователи установлены коаксиально друг другу, а высота каждого Последующего...

1009117

Способ затравливания при выращивании профилированных монокристаллов

С В 29 0 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСИУВЛИК ГОСУДАРСЛИЖНОЕ IIATEHTHOE ВЕДОМСТВО СССР (f OCIIATEHT COCA) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕ ПЛЬСТВУ 1 (21) 3350635/М (22) 04.1181 (46) 15.12:93 Бюп. Ne 4546 (72) Андреев ЕЛ„Литвинов ЛА; ПищеЖ8, (19) Я). (11) (51) 5 С Â1 2 (54) СООСОБ ЗАТРАВЛИВАНИЯ ПРИ ВЫРАаюнпаааВвсеавни Юа(Р 49 OO tA. Ф 3048859 Изобретение относ...

1048859

Способ выращивания профилированных кристаллов

(19)SU(11)1131259(13)A3(51) МПК 5 C30B15/34(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патентуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ Изобретение относится и предназначено для получения монокристаллов путем выращивания из расплава методом Степанова и может быть использовано на предприятиях химической,...

1131259

Устройство для выращивания монокристаллических лент сапфира

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 09) (!!) (51)5 С 30 В 15 34 29 20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНЯТИЙ (46) 23.04.9! . Бюл. В 5 (21) 379551 9! 26 (22) 13.07.84 {72) И.В. Алябьев, В.С, Папков, В.Ф. Перов и Б.И. Шевченко (53) 62!.315.592(088,8). (56) Е.P. Добровинская; Л.А. Литвинов, В.В. Пищик....

1213781

Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон

Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон из расплава, включающее лодочку для расплава, снабженную формообразователем, содержащим вертикальные пластины, установленные в лодочке параллельно друг другу и образующие капилляр, и токоподводы, присоединенные к торцам лодочки, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока использования лодочки и формообразователя и повы...

1215378

Устройство для выращивания профилированных кристаллов корунда

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3882032/26 (22) 10.04.85 (46) 1.5.1193 Бритт Ню 41-42 (72) Бутинев ЕИ.; Литвинов ЛА; Пищик 8.8. (19) Я3 (11) 1284281 А1 (51) (54} УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА (57) Изобретение относится к о...

1284281

Способ получения монокристаллических трубок и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов , а более конкретно к технологии получения трубчатых кристаллов, и обеспечивает получение монокристаллических трубок с периодически изменяющимся по высоте составом. Расплав подают к отдельным участкам фронта кристаллизации, при этом к каждому участку подают расплав различного состава. Эти расплавы находятся...

1306173

Устройство для выращивания профилированных кристаллов с внутренней полостью

Изобретение касается технологии полупроводниковых материалов, в частности устройства для выращивания профилированных кристаллов с внутренней полостью, и позволяет улучшить качество кристаллов и повысить производительность труда Устройаво соаоит из тигля с размещенным в нем пучком капилляров и расположенного на его верхнем торце формообразоватепя в виде коаксиальных колец с капилл...

1313027

Способ получения монокристаллических лент сапфира

Изобретение относится к элект- ipoHHoft технике, производству специальных материалов для изготовления диэлектрических подложек. Цель изобретения - упрощение процесса. Способ включает вытягивание лент из расплава через формообразователь на затравку при одновременном подпитьшании расплава измельченным исходным материалом . .Измельчение материала осуществляют при -нагревании его до...

1345682

Устройство для группового выращивания профилированных кристаллов

Изобретение относится к области получения монокристаллов вытягиванием из расплава с применением формообразователей и позволяет улучшить качество кристаллов за счет уменьшения асимметрии теплового поля. Устройство включает тигель с крышкой. В крышке закреплен пучок капилляроВс На его торце симметрично оси тигля установлены основные формообразователи. По оси тигля размещен лополнит...

1382052

Устройство для выращивания профилированных кристаллов

Изобретение относится к технологии получения профилированных кристаллов вытягиванием из расплава и обеспечивает упрощение затравления и повышение выхода годных кристаллов. Устройство состоит из тигля с формообразователем и затравкодёржателем со средством захвата затравки. Последнее выполнено в виде тйг. Нижний конец тяг имеет полки для затравки. Верхний конец шарннрио присоединен...

1443488

Устройство для группового выращивания профилированных кристаллов на основе меди

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов пытягиванием из расплава. Обеспечивает увеличение скорость выращивания. Устройство содержит установленные на платформе формообраэователи. Платформа с формообразователями размещена в тигле с расплавом. Формообраэователи имеют сужающуюся верхнюю часть. Ее высота составляет (2-4) d, где d -с толщина выращиваемого кристалла....

1445277

Способ затравления при выращивании профилированных монокристаллов корунда методом степанова

Изобретение относится к способам затравления при выращивании профилированных монокристаллов корунда методом Степанова и способствует повышению их структурного совершенства. От предварительно выращенного кристалла отрезают плоскую пластину заданной ориентации, которая служит затравкой. Затравку устанавливают свободно на торец формообразователя, помещенного в систему подпитки расплавом в ви...

1503355

Устройство для получения профилированных кристаллов из эвтектических композиций

Изобретение относится к технологии получения кристаллов вытягиванием из расплава. Обеспечивает повышение однородности микроструктуры кристаллов. Устройство содержит тигель с формообразователем (Ф) и нагреватель. Ф выполнен сплошным. К его боковой поверхности прикреплены съемные элементы с капиллярными каналами. Устройство позволяет вести процесс вытягивания кристаллов при плоском...

1551749

Устройство для выращивания профилированных монокристаллов

Изобретение относится к технологии получения кристаллических изделий методом Степанова, обеспечивает увеличение прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий, имеющих неправильную, геометрическую форму с удлиненными выступами. Устройство включает камеру роста, тигель для расплава с формообразователем. Последний выполнен в виде основания и насадки. Насадка имеет форм...

1591537

C30B15/34 - выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей

Патенты в этой категории