H01L27/02 - содержащие полупроводниковые компоненты, предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления, переключения, или содержащие элементы на пассивных интегральных схемах, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер

Патент ссср 284046

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ союз советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 21а1, 37/68 Заявлено 25,1V.1969 (№ 1326849, 18-10) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 14,Х.1970. Бюллетень ¹ 32 МПК Н 01l 7(00 УДК 621.382(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Дата опубликования о...

284046

Способ изготовления интегральных схем

Союз Советеиик Социалистичеооа Республик (i i654198 Р .. с;: °, (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 02.10.72 (21). 1724551/ /1 83307 6/2 6-2 5 (23) Приоритет - (32) 0 . 02.71 (5!) М. Кл, Н 01 4 27/02 Гааударставиный ааматат СССР аа делам азабрвтаей И OTKPblTNN (3!) 111956 (ЗЗЪ сшл (5З) УДЫ 621.382.. 002 (088. 8) Опубликовано25.03.79.Бюллетень № 11 Дата опубликования...

654198

Свч широкополосный мощный транзистор

СВЧ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР,содержащий ряд транзисторов и входные согласующие элементы, выполненные на полупроводниковой подложке в виде секций МДП-конденсаторов, индуктивно связанных с базами транзисторов, общей базовой металлизацией и проволочными перемычками между собой, и ряда контактных площадок, омически связанных с упомянутой подложкой и индуктивно - с эмиттерами т...

724000

Полупроводниковый переключатель

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН 3(50 Н 01 Ь 27/02 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и ILBTOPCKOHIV СВИДЕТИЗЬСТВМ 1 3 Р Nu>.1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ.(21) 2708597/18-25 (22) 05.01.79 (46) 07.12 83. Ьюл. Р 45. (72) A.Ã. Абдуллаев, Э.А. Азимов, М.С. Гусейнова (71) Научный центр "Каспий" АН АЗССР (53) 621.382(088..8) (56) 1. Авторское свидетель...

772462

Структура интегральной схемы с комбинированной изоляцией элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой - в виде p - n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью п...

1093184

Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией и способ его изготовления

(19)SU(11)1101081(13)A1(51) МПК 5 H01L21/22, H01L27/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении пол...

1101081

Интегральная микросхема

Интегральная микросхема, содержащая полупроводниковую подложку, элементы защиты от статического электричества, соединенные с контактными площадками управляющих элементов интегральной схемы, термодатчик, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного сигнала, она дополнительно содержит полупроводниковую переходную пластину, при этом элементы защиты и термодатчи...

1480685

Интегральная схема свч

Интегральная схема СВЧ, содержащая макрокристалл арсенида галлия с металлизированной нижней поверхностью, на верхней поверхности которого содержатся активные и пассивные элементы, элементы с субмикронными размерами, полевые транзисторы с электродами затвора и стока, соединенными с отрезками микрополосковых линий, и с электродами истока, соединенными с нижней поверхностью через сквозное от...

1526521

Полупроводниковый прибор

Использование: в радиоэлектронных устройствах. Сущность изобретения: прибор содержит два полупроводниковых слоя с различным типом проводимости, каждый из которых снабжен внешним омическим контактом. Слои выполнены различной толщины и в тонком слое сформированы две области противоположного типа проводимости с различающимися в них концентрациями носителей, которые снабжены омическими контак...

2030812

Интегральная структура для бис

Использование: микроэлектроника, для создания БИС высокоэффективным использованием площади кристалла. Сущность изобретения: интегральная структура для БИС содержит полупроводниковую подложку с областями n- и p-типа проводимости для p- и n-канальных транзисторов, соответственно, выполненные в ней функциональные области с областями истоков-стоков p- и n-канальных транзисторов, затворами p-...

2084989

Линия передачи

Изобретение относится к области электронной техники и микроэлектроники, а именно к линиям передачи. Изобретение может быть использовано при построении линий передачи с регулируемым волновым сопротивлением и длиной. Двухпроводная линия содержит две проводящие полоски, между которыми сформирован изолирующий либо полуизолирующий слой, причем либо в верхней полоске выполнены отверстия в напра...

2108639

Гибридная интегральная схема газового сенсора

Использование: электронная техника, в миниатюрных измерительных преобразователях концентрации газа. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема газового сенсора содержит подложку в виде периферийной части в форме кольца и центральной части в форме диска, соединенных тремя перемычками, расположенными под углом 120o и имеющими разветвления у периферийной части под углом 120o. На цент...

2137117

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит нижней обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы под углублением служит диэлектриком конденсатора, а верхняя обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью то...

2137256

Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ диапазона на обратной стороне платы под выступом основания выполнено углубление с отверстиями в дне определенных размеров, при этом верхняя часть выступа основания, свободная от кристалла, электрически соединена с дном углубления, причем заземление части контактных площадок к...

2148872

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Использование: электронная техника, полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы, экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне и отверстием и металлическое основание с выступом. Отверстие в плате имеет сужение на высоте 1 - 300 мк...

2148873

Многослойная гибридная интегральная схема свч и квч диапазонов

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: многослойная гибридная интегральная схема СВЧ и КВЧ диапазонов содержит пакет скрепленных между собой твердых диэлектрических плат с топологическим рисунком металлизации по меньшей мере на одной стороне плат и навесными кристаллами бескорпусных полупроводниковых приборов, расположенными в углублениях плат и закреплен...

2148874

Свч-модуль

Использование: при создании переключателей (выключателей), модуляторов, фазовращателей и других модулей СВЧ, при создании устройств КВЧ-диапазона с гибридными и монолитными интегральными схемами, выполненными по технологии finline, т. е. размещаемыми в продольном сечении (Е-плоскости) волновода. В СВЧ-модуле отдельные участки (элементы) схем располагаются по разные стороны металлической п...

2158044

Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона глубина углублений в металлическом основании выбрана такой, что лицевая поверхность кристаллов и металлическое основание расположены в одной плоскости, диэлектрическая плата имеет экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне в местах, прилегающих к металлич...

2161346

Мощная гибридная интегральная схема

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема содержит металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и по меньшей мере с одной монтажной площадкой, расположенной в углублении на лицевой стороне платы на теплоотводе. Кристалл бескорпусного электронного прибора расположе...

2161347

Гибридная интегральная схема свч диапазона

Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ диапазона содержит диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и углублениями, в которых с помощью связующего вещества закреплены кристаллы бескорпусных полупроводниковых приборов. Лицевая поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с повер...

2183367

Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона

Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, в которой диэлектрическая плата выполнена из двух частей, герметично соединенных обратными сторонами, кристаллы расположены в углублениях с отверстиями в дне, заполненными электропроводящим материалом. Углубления выполнены на лицевых поверхностях обеих частей платы. Крышк...

2185687

Масштабируемое устройство обработки данных

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: масштабируемое устройство обработки данных, в частности устройство хранения данных, содержит один или более тонкопленочных приборов, которые образуют, по существу, плоский слой, формируемый множеством подслоев тонкопленочного материала. При этом два или более тонкопленочных прибора образуют интегральную стопку, состоящую, по существу,...

2201639

Постоянная память и постоянное запоминающее устройство

Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти. Техническим результатом является обеспечение возможности многоуровнего кодирования заданных ячеек памяти или адресов ячеек памяти и возможность создания объемного запоминающего устройства. Электрически адресуемая энергонезависимая постоянная память содержит совокупность ячеек памяти, пассивную матрицу, ко...

2212716

Постоянная память и постоянные запоминающие устройства

Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти. Техническим результатом является обеспечение возможности многоуровнего кодирования заданных ячеек памяти или адресов ячеек памяти и возможность создания объемного запоминающего устройства. Электрически адресуемая энергонезависимая постоянная память содержит совокупность ячеек памяти, пассивную матрицу, ко...

2216055

Электронный компонент и применение содержащейся в нем защитной структуры

Изобретение относится к электротехнике, в частности предназначено для защиты электронных компонентов, в которых значительная часть не закрыта корпусом. Электронный компонент содержит диэлектрический слой, выполненный на подложке, токопроводящие поверхности, выполненные на диэлектрическом слое, и токопроводящую защитную структуру, размещенную в плоскости над токоподводящими поверхностями т...

2220476

Патенты в этой категории