H01L29/73 - биполярные плоскостные транзисторы

Полупроводниковый прибор

1 11789019 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советских Социалистических Реслублкк (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.04.79 (21) 2747494/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.07.82. Бюллетень № 25 (45) Дата опубликования описания 07.07.82 (51) М. Кл з Н 01L 29/72 Государственный комитет СССР ло делам изобретен...

789019

Интегральный биполярный транзистор

0 П И С А Н И 6 ц865081 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.05.80 (21) 2922174/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл.з Н 01L 29/72 Государственный комитет СССР Опубликовано 23.08.82. Бюллетень № 31 (53) УДК 621.382 (088.8) ао лолам иэобретеиий и открытий Дата...

865081

Биполярный транзистор

(19)SU(11)1005607(13)A1(51) МПК 5 H01L29/73(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: учтена за 3 год с 28.05.1995 по 27.05.1996(54) БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, имеющим, по крайней мере, два p-n-перехода. Из...

1005607

Биполярный транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возмо...

1091783

Биполярный планарный мощный свч-транзистор

(19)RU(11)1256616(13)C(51) МПК 5 H01L29/73Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание мощных СВЧ-транзисторов. Цель изобретения - улучшение энергетических характеристик. На чертеже схематично изображен предла...

1256616

Планарная транзисторная структура

ПЛАНАРИАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, с выносными контактамир содержап1ая высокоомную подложку коллектор первого типа проводимости, расположенные в ней базовую и эмиттерные области соответственно второго и первого типов проводимости, пассивирующее диэлектрическое покрытие , включающее заряд, знак которого противоположен знаку заряда основных носителей в коллекторе, диэлектрическое п...

1272927

Мощный транзистор

Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охв...

1322934

Мощный свч-транзистор

Изобретение относится к конструкциям мощных СВЧ-транзисторов. Целью изобретения является снижение потерь выходной мощности и увеличение КПД путем повышения равномерности согласования выхода. Транзисторный кристалл выполнен на эпитаксиальной пленке nn+ кремния, через коллекторный электрод соединен с держателем. Транзистор содержит два звена согласования выхода, состоящих из ленточных индук...

1347825

Биполярный мощный транзистор

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Целью изобретения является повышение надежности и технологичности без ухудшения его частотных свойств, в транзисторе, содержащем двухуровневую систему металлизации гребенчатого типа, зубцы гребенки эмиттерной металлизации, проходящие поверх слоя изолирующего нижний уровень металлизации от верхнего, расположены над и вдоль эмиттерных...

1389610

Мощный планарный транзистор

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является увеличение коэффициента усиления по мощности. Мощный биполярный транзистор содержит коллектор, базу, эмиттер, диэлектрическое покрытие, дополнительные области, расположенные в приповерхностной области колле...

1393264

Свч-транзистор

СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУ БЛИН (191 (Ц) (51)5 Н 01 L 29/73 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ЦО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .. - К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 30. 08. 92, Бюл. 5"- 32 (2i) 4122186/25 (22) l7.09.86 (72) В.Л.Аронов, В.А.Васипьев, Ю.И,Морозов, И.Б.Десятов и А.В.Родионов (53) 62l.382 {088.8) (56) Федотов Я.А.Основы физики полупро...

1407345

Мощный планарный транзистор

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является повышение надежности путем управления стабилизацией тока. Мощный планарный транзистор содержит коллектор-подложку, область базы с высоколегированной периферийной областью, область эмиттера, диффузионные рез...

1409076

Мощный биполярный генераторный свч-транзистор

Изобретение относится к элекг роииой технике, в частности к конструкции мосщых биполярных генератор иых СВЧ-траняисторов, Целью иэобрете ния является увеличение выходной мост ности путем обеспечения равномерного распределения выходной мощности между кристаллами. В мощном биполярном генераторном СЕЧ-транзисторе с параллельным сложением выходной мощ-- ности отдельных транзисторных...

1417721

Мощный высокочастотный транзистор

Изобретение относится к области полупроводников электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др. Цель - улучшение энергетических параметров путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными транзисторными структурами. Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, баз...

1424656

Резонансно-туннельный транзистор

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в вычислительной технике и технике СВЧ. Цель изобретения увеличение быстродействия достигается тем, что по крайней мере один из потенциальных барьеров квантовой гетероструктуры, а именно барьер, ограничивающий потенциальную яму со стороны базового слоя, выполнен из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся...

1568825

Биполярный транзистор

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Целью изобретения является увеличение надежности биполярных транзисторов за счет снижения перегрева центральных областей транзисторной структуры, что достигается в биполярном транзисторе с полосковыми эмиттерными электродами и двухуровневой системой металлизации эмиттерные контактные окошки расположены по отношению в каждому эмиттерному э...

1582926

Способ выключения транзисторов

Изобретение относится к радиотехнике и преобразовательной технике и мохет быть использовано для управления ключевым режимом биполярных фанзисторор. Целью изобретения является повышение быстродействия и снижение мощност; G цепях управления. Способ выключения тоаг.-2 зисгоров основан на использовании явленияуправляемого лавинного разряда на пере х с л: е э м м т т е п - б а з а . В...

1702457

Входной элемент планарно-эпитаксиальной интегральной схемы

Использование: изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении биполярных полупроводниковых приборов и интегральных. Сущность изобретения: полупроводниковая структура, выполненная по планарно-эпитаксиальной технологии, включает область с активным элементом, две изолирующие области одного типа проводимости, между которыми расположена т...

1759197

Мощная вч и свч транзисторная структура

Использование: конструкции мощных ВЧ- и СВЧ- полупроводниковых приборов, обеспечивающих равномерность распределенного тепла. Сущность изобретения: контакты эмиттерных полосок с металлизацией сформированы на противоположных краях полосок, а поверхностное сопротивление RS эмиттерных полосок удовлетворяет определенному условию. 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в ч...

1766220

Высоковольтный транзистор

Использование: полупроводниковая техника, использующая высоковольтные транзисторы. Сущность изобретения: в биполярный транзистор введены полевой электрод над областью коллектора на защитном диэлектрике вне зоны области пространственного заряда охранных колец. Полевой электрод соединен с контактом к базовой области. Дополнительно можно ввести второй полевой электрод, расположенный над баз...

1780472

Интегральная схема

Использование: конструкции интегральных схем, содержащие биполярные транзисторы. Сущность изобретения: интегральная схема включает основной и защитный биполярные транзисторы одного типа проводимости, выполненные на полупроводниковой подложке. В эпитаксиальном слое сформированы области баз и эмиттеров основного и защитного транзисторов. Область коллектора является общей для транзисторов....

1819072

Полупроводниковый прибор

Использование: в полупроводниковой технике при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе высокопроводящие участки сформированы внутри базового слоя регулярно на глубине не менее ширины области объемного заряда эмиттерного перехода и толщиной не более разности между расстоянием от поверхн...

2045111

Мощный свч-транзистор (варианты)

Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы т...

2054756

Транзистор

Использование: интегральная микроэлектроника, конструкция сверхбыстродействующих транзисторов. Сущность изобретения: транзистор содержит коллектор из полупроводникового материала, базу из материала с металлической проводимостью и эмиттер, состоящий из проводящего материала и дополнительного слоя туннельнотонкого диэлектрика толщиной, отвечающей соотношению d больше или равно Ei/q пр, где...

2062531

Мощный биполярный транзистор

Использование: в полупроводниковой технике и в частности в конструкциях мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: в пространстве, заключенном между краем эмиттера и базовым контактом, создается сильнолегированная базовая область таким образом, что расстояние от края эмиттера до границы сильнолегированной базовой области уменьшается в на...

2065643

H01L29/73 - биполярные плоскостные транзисторы

Патенты в этой категории