Категория

H01S5 - Полупроводниковые лазеры

Подкатегории

H01S5/022 - монтажные, сборочные элементы; корпуса
H01S5/024 - охлаждающие устройства
H01S5/026 - монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы, возбудители (стабилизация выходных параметров H01S 5/06; соединение световодов с опто-электронными элементами G02B 6/42; устройства, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих твердотельных компонентов, сформированных внутри общей подложке или на ней, и предназначенные для светового излучения H01L 27/15)
H01S5/028 - покрытия
H01S5/04 - способы и устройства для возбуждения, например накачка (H01S 5/06 имеет преимущество)
H01S5/042 - электрическое возбуждение
H01S5/062 - изменением потенциала, приложенного к электродам (H01S 5/065 имеет преимущество)
H01S5/0625 - в многосекционных лазерах
H01S5/065 - синхронизация мод; подавление мод; селекция мод
H01S5/068 - стабилизация выходных параметров лазера (H01S 5/0625 имеет преимущество)
H01S5/0683 - посредством мониторинга оптических выходных параметров
H01S5/0687 - стабилизация частоты лазера
H01S5/10 - конструкция или форма оптического резонатора
H01S5/12 - резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) (H01S 5/18 имеет преимущество)
H01S5/14 - лазеры с внешним объемным резонатором (H01S 5/18 имеет преимущество; синхронизация H01S 5/065)
H01S5/16 - лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью (H01S 5/14 имеет преимущество)
H01S5/18 - лазеры с лучеиспускающей поверхностью (SE-лазеры)
H01S5/183 - с вертикальным резонатором (VCSE-лазеры)
H01S5/22 - с чередующимися гребнями и бороздками
H01S5/24 - в виде канавок, например V-образных
H01S5/30 - структура или форма активной зоны; материалы для нее
H01S5/32 - с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S 5/34 имеет преимущество)
H01S5/323 - в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер
H01S5/327 - с соединениями AIIBVI, например ZnCdSe-лазер
H01S5/34 - содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (большие лазеры)
H01S5/343 - в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер
H01S5/40 - размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах H01S 5/02-H01S 5/30 (H01S 5/50 имеет преимущество)
H01S5/42 - решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью
H01S5/50 - конструкции усилителей, не предусмотренные в группах H01S 5/02-H01S 5/30(как ретрансляторы в передающих системах H04B 10/17)

Патенты в этой категории

Патент ссср 349052

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № М. Кл. H Ols 3,/18 С 23с 7/00 Заявлено 06.Х.1966 (№ 1107094/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 23.VIII.1972. Бюллетень № 25 Дата опубликования описания 7.IX.1972 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР УДК...

349052

Устройство для управления диаграммой направленности полупроводникового лазера с электронным возбуждением

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Саветскик Сощиалистическия Республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву (g)) Кл.2 Н 01 $ 3/18 (22) Заявлено.190776 (21) 2385749/18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет Государственный комитет СССР оо делам изобретений н открытий (53)УДК 621.375.8 (088.8) Опубликовано 25,0879. Б оллетень Ио 31 Дата опубликования описания 250879 (72) Авторы ИЗ...

631033

Устройство для изменения частоты полупроводниковых квантовых генераторов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕНЕНИЯ ЧАСТОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ, содержащее полупроводниковый генератор и оптическую жид- KocTHjno камеру высокого давления, состоящую из цилиндрического корпуса, обтюратора с оптическим окном, электрического ввода, поршня с грибковым уплотнением и фиксирующей гайки, о тл и чающееся тем, что, с целью повьшения величины достижимых давлений и...

670049

"интегральная матрица полупроводниковыхлазеров для оптических линий связи4

Союз Советских Социалистических Республик О П И С А Н И Е ()749333 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву I (51)М. Кл. (22)ЗаЯвлено 12, 10,78 (21) 2674579/18-25 с присоединением заявки Ле Н 01 5 3 /18 Йсударствеииый комитет СССР аа делам иэебретеиий и втирытий (23) Приоритет Опубликовано 30,06. 81. Бюллетень,% 24 (53) УДК 621.375..8 (088....

749333

Способ определения ресурса работы инжекционных лазеров

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ) 5е где t,ð" вЂ” усредненное значение ресурса работы, экспериментально определенное для 1 вЂ” 5 /о образ-, цов при 40 вЂ” 90 С; ит* = т вЂ” т; то* вЂ” температура, при которой испытывались образцы. Зависимость мощности генерируемого .излучения снимают до частоты следования импульсов, прй которой величина мощности уменьшается...

753329

Способ определения ресурса работы инжекционных лазеров

86796 ОЙ ИСААКИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соав Советских Социалистических Ресиу">лик (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 25.04.79 (21) 2759298/18-25 с присоединением заявкивЂ” 1 (23) ПриоритствЂ” (43) Опубликовано 07.02.82. Бюллетень № 5 (45) Дата опубликования описания 07.02.82 (51) М.Кл Н 01 $3/18 3осударственимй квинтет СССР fl0 делам нзайр...

786796

Лазер

07962 ЛШ Ю ОПИСАНИЕ ИЗОЬРЕтЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сеез Сееетских Сениалистнческих. Реснтблин (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.02.79 (21) 2724036/18-25 с присоединением заявки №вЂ”. Кл. Н 01$3/18 (43) Опубликовано 30.06.82. Бюллетень № 24 (45) Дата опубликования онисаяия 30.06.82 УДК 621.375.8 (0e8.8) ле делам нзебретеннй н еткрытнй (72) Авторы из...

807962

Способ управления частотой излучения инжекционного полупроводникового лазера

1. СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЧАСТОТОЙ ИЗЛУЧЕНИЯ ИНЖЕКЦИОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА, включающий накачку его импульсами тока и регулирование режима тепловвделения в активной области лазера, о т л ичающий с я тем, что, с целью повьппения быстродействия управления частотой, величину тепяовьщеления регулируют , изменяя ток накачки в течение каждого импульса тока. 2.Способ по п. 1, о т л...

921419

Способ определения срока службы инжекционных лазеров

Союз Советских Сощеалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ () )) 982124 (6I ) Двполиительное к авт. свид-вувЂ” (22)Заявлено 14.04.81 (21) 3293465/18-25 (5t)M. Кл. H 01 S 3/18 с присоединением заявки ИвЂ” 3Ьоударстоаамх комктот сс Вр, ю new изобретений н открыткй (23) Приоритет вЂ” . (53) УД К621. 375.. 8(088.8) Опубликовано 15.12.82. Бюлле...

982124

Способ формирования световых импульсов полупроводникового лазера

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕТОВЫХ ИМПУЛЬСОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА , включающий накачку полупроводникового монокристалла изуч-ением, отличающийся тем, что, с целью сокращения длительности,формируемых световых импульсов при неизменной длительности накачки, накачку производят, по крайней мере, двумя одновременно действующими пучками излучения, размер каждого из которых не превышает д...

1072722

Инжекционный лазер

I. ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР на основе полупроводниковой стрз ктуры с отражающими торцами и металличес кими контактами, включаюпрй две пассивные области, между которыми заключена активная область, образу щая с одной из них р-п-переход, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности в одномодовом режиме и диаграммы направленности, в объеме одной КЗ пассивных и активной област...

1179875

Генератор оптических импульсов

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (51)5 Н О1 8 3 19 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР 1 (21) 3975123/24-25 (22) 04.11.85 (46) 30.01.90. Бюл. К - 4 (72) Н.А.Войло, М.Д.Фиштейн и Н.П.Шевченко (53) 621.375.8(088.8) (56) Техническое описание генератора оптических и электрических импульсов...

1355073

Способ регулирования температуры лазерного диода и устройство для его осуществления

Изобретение относится к способам и устройствам для регулирования температуры лазерных диодов, применяемых в печатающих устройствах. Цель изобретения - повышение надежности работы лазерного диода за счет повышения точности контроля температуры и упрощение способа. Для этого после каждого импульса накачки пропускают через лазерный диод постоянный ток, величина которого меньше тока н...

1530104

Способ генерации импульсов излучения в полупроводниковом лазере

Изобретение относится к области лазерной физики и может быть использовано в системах оптической обработки информации и метрологии. Цель изобретения - уменьшение длительности излучаемых импульсов и увеличение частоты их следования. Цель достигается тем, что потенциалы, прикладываемые к усиливающей и поглощающей частям активного слоя внутри оптического резонатора таковы, что напряже...

1614056

Полупроводниковый лазер

Г:0(ОЗ СO(l(ТСКИХ СО((ИЛЛИС!И (ГСКИХ (EC(1YBflMK (5() Н 01 S 3/18 (ОСУДЛРСТВ(«Л-(ЫЙ КОМИТГТ ПО ИЭОБРГТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ((РИ ГКНТ СССР ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ г (46) 23.07,92.Бюл. N 27 (21) 472 6327/25 (22) 27.07,89 (72) P.ß.Êó÷åðoo и М.Ф.Малхозоо (53) 621.375.8 (088.8) (56) Носов (О,Р. Оптоэлектроника, вЂ” M.: Радио и связь, 1989, с. 128. Носов IO,...

1686997

Инжекционный лазер

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным источникам, в том числе с одномодовым одночастотным излучением. Предложен инжекционный лазер с гетероструктурой, в которой между ограничительными легированными подслоями наибольшего оптического ограничения, ближайшими к активному слою, задан уровень фоновой примеси и в...

2168249

Драйвер полупроводникового лазера

Изобретение относится к оптоэлектронике. Предложенный драйвер содержит регулятор тока накачки полупроводникового лазера, датчик тока, датчик мощности прямого излучения лазера, датчик температуры лазера, дифференциальные, линейный и экспоненциальный, усилители, сумматор, дискриминатор и входы для управляющего напряжения и для сигнала уставки максимального тока. Результаты сравнений сигнало...

2172514

Боевая индивидуальная экипировка

Изобретение относится к средствам индивидуального оснащения личного состава силовых структур. Предложена боевая индивидуальная экипировка, содержащая обмундирование, средства борьбы с противником в ближнем бою, бронежилет, защитный шлем и системы радиоэлектронного обеспечения и жизнеобеспечения. Она дополнительно содержит портативные оптические устройства (ПОУ), сгруппированные в комплект...

2174667

Способ изготовления инжекционного лазера

Изобретение относится к способам изготовления инжекционных лазеров на основе гетероструктур. Способ включает выращивание первого ограничительного слоя, содержащего легированный подслой первого типа электропроводности и состава, обеспечивающего наибольшее оптическое ограничение излучения, активного слоя, второго ограничительного слоя, содержащего легированный подслой второго типа электропр...

2176841

Способ регулирования диапазона рабочих частот лазерной модуляции

Изобретение относится к способам, обеспечивающим регулирование полосы лазерной модуляции эффективных высокомощных полупроводниковых инжекционных лазеров, в том числе с одномодовым, одночастотным излучением. Способ включает создание гетероструктуры с активным слоем и прилегающими к нему с двух сторон ограничительными слоями, включающими с каждой стороны по крайней мере по одному ограничите...

2176842

Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный

Изобретение относится к лазерной технике. Предложен излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный, содержащий в герметичной оболочке, состоящей из корпуса с выводами и крышки со стеклом, решетку лазерных диодов, установленных на плоскости корпуса, перпендикулярной к оси излучения. Решетка лазерных диодов выполнена в виде одинаковых блоков лазерных диодов, минимальное число которых оп...

2187183

Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком

Изобретение относится к устройствам квантовой электроники, в частности к полупроводниковым лазерам с накачкой электронным пучком (ПЛЭН), и может найти широкое применение в информационных устройствах передачи и отображения информации (телевидение, печать и т.д.). Лазерная мишень выполнена в виде прозрачной для генерируемого излучения подложки, на которой выращены в определенной последовате...

2191453

Полупроводниковый лазер

Изобретение относится к области полупроводниковой квантовой техники, а именно к полупроводниковым лазерам. Предложен полупроводниковый лазер, содержащий лазерный диод с контактными пластинами, формирователь импульсов тока, закрепленные в полом корпусе с крышкой с оптическим стеклом, а также выводы. При этом корпус снабжен пазами, в которых закреплена керамическая плата формирователя импул...

2194347

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом (варианты)

Изобретение относится к области электронной техники. Предложен полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя. Согласно первому варианту...

2197046

Полупроводниковый лазер с широким периодически секционированным полосковым контактом

Изобретение относится к области лазерной техники, в частности к системам диодной накачки, к медицинским лазерам, а также к лазерным системам, используемым в информатике, оргтехнике и индустрии развлечений. Полупроводниковый лазер содержит высокоотражающее зеркало, активный элемент, снабженный периодически секционированным электродом, коллимирующую линзу и волноводно-решеточное зеркало, ус...

2197772