Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Сущность изобретения: устройство считывания сигнального заряда с матричного ПЗИ-фотоприемника, имеющего n строк и m столбцов, содержит n×m входных контактов, ключи выборки, первые, вторые и третьи ключи, многофазный генератор импульсов, п...

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительную к инфракрасному излучению структуру, содержащую подложку, верхний слой которой образован из CdTe, рабочий детекторный слой толщиной около 10 мкм, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где х=xд=0,2-0,3, изолирующий слой толщиной 0,1-0,2 мкм, изг...

Способ заключается в том, что регистрируемое излучение направляют на фотоприемную матрицу и осуществляют его регистрацию через экран, формирующий тепловое изображение объекта, от которого регистрируют излучение. Фотоприемная матрица охлаждена до криогенных температур. Экран подогревают до температуры, вызывающей дополнительный поток квантов от экрана к фотоприемной матрице и обеспечивающей повыше...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу формирования графеновых полевых эмиттеров, используемых в различных электровакуумных устройствах, базирующихся на эмиссии электронов. В предложенном способе изготавливают пленочные плоские элементы, содержащие формообразующий и функциональный графеновые слои. При этом плоские пленочные элементы формируют на подложке с требуемым...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и сток...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных полупроводниковых микросхем, соединенных между собой множеством контактов для улучшения качества гибридизации полупроводниковых микросхем и повышения их долговечности в процессе многократного использования при различных температурах. Сущность изобретения: укрепляющий элемен...

Способ относится к нанотехнологии слоистых материалов и предназначен для получения нанометровых углеродных слоев на непроводящих подложках для массового производства приборов по планарной технологии. Сущность изобретения: в способе получения углеродного слоя на непроводящей подложке подложку графита окисляют фторированием при условиях, обеспечивающих ей диэлектрические свойства. Получают интеркал...

Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для хранения информации при отключенном питании. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с истоком и стоком, сформированными в ней, и последовательно выполненные на подложке между истоком и стоком туннельный слой, запоминающий...

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Сущность изобретения: в способе считывания сигнального заряда с матричного ПЗИ-фотоприемника, имеющего n×m элементов, организованных в n строк и m столбцов, заключающемся в получении массива сигналов с элементов, кадра, за время кадра Т,...

Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с заливной горловиной, на внешней поверхности которого размещена охлаждаемая платформа, или стыкуемым с микрокриоге...

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии подложку кремния с вицинальной поверхностью помещают в вакуум и проводят термоэлектрический отжиг, формируя на поверхности подложки моноатомные ступени, разделенные широкими террасами с первоначальной повер...

Варианты узла резьбового соединения конструктивных элементов и гайки могут использоваться при монтаже оборудования различного назначения. В узле резьбового соединения содержится два фиксирующих крепежных элемента. Один из них - гайка - связан непосредственно с болтом или шпилькой резьбой и выполнен с использованием двух резьбовых форм, обеспечивающих каждая разные величины затягивающего усилия пр...

Изобретение относится к области мембранных технологий и может быть использовано для производства микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики, а также при изготовлении элементов электронно-оптических преобразователей и рентгеновской оптики. В способе получения кремниевой микроканальной матрицы анодное травление пластины монокристаллического кремния дыро...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке оборудования для изготовления гибридных полупроводниковых микросхем методом перевернутого кристалла (flip-chip). Сущность изобретения: наклоняюще-качающее приспособление для гибридизации микросхем методом перевернутого кристалла состоит из основания, имеющего прямоугольный выступ с первым о...

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных микросхем. Сущность изобретения: индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы соединяют две части гибридной микросхемы, которая состоит из первой и второй частей гибридной микросхемы. На внутренних поверхностях первой и второй частей гибридной микросхемы нанесены...

Изобретение относится к оптико-электронным системам формирования и обработки инфракрасных изображений для компенсации дефектных фоточувствительных элементов (ФЧЭ) фотоприемных устройств (ФПУ). Техническим результатом является снижение аппаратных затрат на реализацию компенсации дефектных ФЧЭ, повышение качества тепловизионного изображения, повышение надежности компенсации дефектного элемента неза...

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A3B5 содержит полупроводниковую подложку А3В5, расположенный на ее рабочей поверхности диэлектрический слой, являющийся анодным окислом, полученный анодированием подложки в...

Изобретение относится к технике формирования изображений в тепловизионных системах, работающих в ИК-диапазонах спектра, и предназначено для обработки сигналов фотоприемников. Техническим результатом является расширение арсенала технических возможностей. Результат достигается тем, что сигналы с фотоприемника преобразуют из аналоговой формы в цифровую и затем обрабатывают. Процесс обработки подразд...

Изобретение относится к медицинской технике. Способ предназначен для изготовления лезвий или игл, используемых в микрохирургии и для исследований или анализа биологического материала. В процессе изготовления острия лезвия или иглы осуществляют раскрой кристаллического материала при расположении режущей или колющей кромки в плоскости спайности. Используют кристаллический материал в виде пленки, а...

Изобретение относится к модуляционным способам спектральных измерений, в частности оптических постоянных, и предназначено для определения параметров поверхности и слоев тонких пленок, например, полупроводниковых гетероструктур. Посредством модуляционной спектроскопии с использованием р-компоненты линейно поляризованного излучения измеряют спектры угла θ1, соответствующего минимуму зависимости коэ...

Способ предназначен для создания наноустройств, в частности трубчатых зондов, применяемых в сканирующей микроскопии, а также используемых в медицине, биохимии, цитологии и генетике при проведении исследований с инъекциями и/или отбором образцов тканей и жидкостей на клеточном уровне. На кристалле-подложке изготавливают многослойную пленочную структуру с внутренними механическими напряжениями. Фор...

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения канальной матрицы после анодного травления пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы водорода и ф...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов. Сущность изобретения: в способе получения слоя поликристаллического кремния расположенный на подложке стекла или кремния со слоем диоксида кремния слой амор...

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой канальной матрицы после анодного травления пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы в...

Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при изготовлении приемников ИК-излучения. На подложке InAs формируют слоистую структуру, содержащую подзатворный диэлектрик (SiO2). Последовательно изготавливают на подзатворном диэлектрике затворы и контактные столбы (In). Затворы выполняют в виде последовательности слоев: слой материала, формирующего непосредственно затвор...

Изобретение относится к технологиям изготовления полупроводниковых приборов, в частности каталитически активных слоев, и может быть использовано для получения гетероструктур микро- и наноэлектроники, высокоэффективных катализаторов с развитой высокопористой поверхностью носителя, а также для получения новых наноматериалов. Предварительно формируют рабочую газовую среду, содержащую летучий металло...

Система содержит оптическую систему, матричное фотоприемное устройство, блок электронной обработки, управления, синхронизации и дальнометрирования, лазер импульсный, систему, коллимирующую лазерное излучение, телевизионный монитор и блок питания. Оптическая система формирует изображение объектов. Блок электронной обработки, управления, синхронизации и дальнометрирования электрически связан с матр...

Изобретение может использоваться в тепловизионных приборах, в которых актуальна задача коррекции тепловизионного изображения, связанная с компенсацией постоянной составляющей сигнала фоточувствительных элементов. Оптическая система для тепловизионных приборов содержит оптические компоненты, строящие промежуточное изображение и осуществляющие перенос промежуточного изображения в плоскость изображе...

Способ может быть использован для формирования и обработки изображений. В способе принимают регистрируемый поток излучения и обрабатывают сигнал фотоприемника по формуле , где Si,j - выровненный массив изображения; Tini,j - выходной массив изображения, поступающего с многоэлементного фотоприемника, формируемый в результате воздействия регистрируемого излучения; Tfoni,j - массив скомпенсированных...

Способ заключается в том, что путем подачи напряжения питания между катодом и анодом зажигают высоковольтный разряд в газоразрядной ячейке. При этом катод и анод выполняют в виде протяженных электродов на длину лазерной среды, причем используют сетчатый катод и сплошной анод. В разрядном промежутке между сплошным анодом и сетчатым катодом формируют в сильном поле катодного падения потенциала тлею...

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в физической электронике, квантовой электронике, для имплантации атомов в поверхность твердого тела, плазмохимии, диагностических измерениях. Технический результат: увеличение на порядки интенсивности потока пучка атомов или молекул. Предлагаемый способ получения пучка атомов или молекул в тлеющем разряде заключается в том, что путем п...

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для систем обработки оптической информации. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных фотоприемников инфракрасного излучения содержит многоканальную систему считывания в составе m каналов считывания, трех дешифраторов с n ячейками, сдвигового регистра с m ячейками, общей шины з...

Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой в рабочей камере и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с контейнером под сорбент, имеющим с баллоном общую стенку. Общая стенка снабжена отверстием для...

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100). Активная зона светоизлучающего элемента представляет собой наноразмерные кристаллиты (нанокристаллиты) полупроводникового дисилицида железа, упруго в...

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100). Активная зона светоизлучающего элемента представляет собой наноразмерные кристаллиты (нанокристаллиты) полупроводникового дисилицида железа, упруго в...

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100). Активная зона светоизлучающего элемента представляет собой наноразмерные кристаллиты (нанокристаллиты) полупроводникового дисилицида железа, упруго вс...

Изобретение относится к способам изготовления светоизлучающего элемента с длиной волны из ближней инфракрасной области спектра. Диодная светоизлучающая структура формируется на монокристаллическом кремнии с ориентацией поверхности (111) или (100). Активная зона светоизлучающего элемента представляет собой наноразмерные кристаллиты (нанокристаллиты) полупроводникового дисилицида железа, упруго вс...