ГУДЕСЕН Ханс Гуде (BE)

 Использование: технология микроэлектронных приборов. Технический результат заключается в создании дешевого гибкого крупномасштабного производства электрических соединений в тонкопленочных структурах. Сущность: в матрице, содержащей два или более материалов в пространственно отдельных структурах материалов, каждая структура материала облучается излучением с заданной интенсивностью и/или ча...

 Изобретение относится к масштабируемому интегрированному устройству обработки данных, в частности микрокомпьютеру. Устройство содержит несущую подложку, процессорный модуль и запоминающий модуль, сформированные соответственно в по меньшей мере одном слое (Р) процессора, запоминающем слое (М) или объединенных слоях (МР) процессора/памяти, которые образуют основные слои в устройстве. Каждый...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: масштабируемое устройство обработки данных, в частности устройство хранения данных, содержит один или более тонкопленочных приборов, которые образуют, по существу, плоский слой, формируемый множеством подслоев тонкопленочного материала. При этом два или более тонкопленочных прибора образуют интегральную стопку, состоящую, по существу,...

 Изобретение относится к устройству хранения и обработки данных и способу его изготовления. Устройство содержит расположенные на подложке модули памяти ПЗУ и/или ОЗМС, и/или ПЕРЕЗАПИСЫВАЕМЫЕ, и/или модули обработки. Модули памяти и/или обработки создают в виде одного или множества основных слоев, расположенных поверх подложки. Устройство содержит в себе активные компоненты, обеспечивающие...

 Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем. Разработаны способы формирования электропроводящих и/или полупроводниковых двумерных или трехмерных структур и их уничтожения. Сконструирован генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования указанных структур. Технический результат изобрете...

 Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти. Техническим результатом является обеспечение возможности многоуровнего кодирования заданных ячеек памяти или адресов ячеек памяти и возможность создания объемного запоминающего устройства. Электрически адресуемая энергонезависимая постоянная память содержит совокупность ячеек памяти, пассивную матрицу, ко...

 Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти. Техническим результатом является обеспечение возможности многоуровнего кодирования заданных ячеек памяти или адресов ячеек памяти и возможность создания объемного запоминающего устройства. Электрически адресуемая энергонезависимая постоянная память содержит совокупность ячеек памяти, пассивную матрицу, ко...

 Использование: в устройствах памяти и обработки данных. Сущность изобретения: в устройстве памяти и/или обработки данных, содержащем, по меньшей мере, два слоя (L), образующих стопу, расположенную на подложке или образующую отдельную структуру типа сэндвича, в которой указанные слои образуют контуры памяти и/или обработки данных с межслойными соединениями или соединениями с контурами, вып...

 Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа. Его использование позволяет получить технический результат в виде определения и контроля поляриз...

 Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал. Его использование позволяет получить технический результат в виде разработки протоколов подачи импульсов напряжения в функции от времени для управления шин х и у...

Изобретение относится к способу передачи информации в форме файлов по сетям передачи данных или в форме файлов данных, хранящихся на физически транспортируемых средствах хранения данных. Сущность заявленного способа состоит в том, что информация в форме файлов данных классифицируется с использованием уникального классифицирующего ключа данных для каждого файла данных, причем для осуществления пере...

Использование: для изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала. Сущность изобретения: способ изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала включает следующие этапы: осаждение электропроводящего материала на подложку из полупроводникового материала, формирование рельефа первых параллельных полосковых электродов с шагом, определяемым соответствующими правилами конструирования...

Использование: в приборах с матричной адресацией. Сущность изобретения: прибор с матричной адресацией содержит одно или более запоминающих устройств с ячейками памяти, выполненными с возможностью переключения в нескольких направлениях и построенными в виде массива пассивных элементов с матричной адресацией. Ячейки памяти содержат запоминающую среду в виде ферроэлектрического или электретного тонко...

Изобретение относится к способу определения логического состояния выбранных ячеек памяти, имеющихся в запоминающем устройстве с матричной адресацией. Техническим результатом является возможность бездеструктивного считывания логического состояния выбранных ячеек памяти, адресуемых по схеме пассивной матричной адресации, и отсутствие необходимости обратной записи после каждой операции считывания. Ус...

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости. Техническим результатом является минимизация усталостных процессов в запоминающих устройствах, основанных на органических и, в частности, полимерных электретах и ферроэлектриках. Ферроэлектрический или электретный запоминающий контур содержит ячейку памяти с ферроэлектрически...

Изобретение относится к устройству хранения данных, к способу осуществления бездеструктивного считывания данных и способу придания поляризации парам субъячеек памяти. Техническим результатом является сокращение времени для получения доступа к устройству хранения данных, отсутствие влияния пьезоэлектрической активации ячеек памяти конкретной запоминающей матрицы на другие запоминающие матрицы, вх...

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу изготовления электродов для электродной решетки. Согласно способу изготовления электродов с большим коэффициентом формы для электродной решетки, содержащей параллельные электроды с высокой плотностью расположения, электроды формируют путем многократного выполнения последовательности технологических операций, предусматривающей использова...

Настоящее изобретение относится к устройствам и аппаратам, содержащим функциональные элементы, образующие планарный набор, в котором адресация функциональных элементов осуществляется через первую электродную решетку с параллельными полосковыми электродами, контактирующими с одной стороной функциональных элементов, и через вторую электродную решетку с аналогичными электродами, которые ориентированы...

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей. Устройство содержит стопу запоминающих массивов, сформированных из двух или более ленточных конструкций, с...

Изобретение относится к энергонезависимым запоминающим устройствам. Техническим результатом изобретения является улучшение усталостных характеристик и способность работы на высоких частотах. Согласно изобретению энергонезависимое запоминающее устройство (10) содержит электрически поляризуемый диэлектрический запоминающий материал (11), обладающий ферроэлектрическими или электретными свойствами и с...

Настоящее изобретение относится к устройствам, содержащим функциональные элементы, образующие планарный набор. В электродной решетке, содержащей первый и второй тонкопленочные электродные слои (L1, L2) с электродами (ε) в форме полосковых электрических проводников в каждом слое, электроды (ε) отделены друг от друга только тонкой пленкой (6) из электрически изолирующего материала, т...

Изобретение относится к устройству объемного хранения данных. Техническим результатом является высокая плотность хранения данных. Устройство содержит множество запоминающих устройств (М) с матричной адресацией, каждое из запоминающих устройств содержит две электродные решетки в виде слоев параллельных электродов, образующих управляющие шины и шины данных, при этом электроды каждой электродной реше...

Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам. Сущность изобретения: интегрированные транзисторно/запоминающие структуры содержат один или более слоев полупроводникового материала, два или более электродных слоев, а также запоминающий материал, контактирующий с электродами, находящимися в указанных электродных слоях. По меньшей мере, один слой полупроводникового мате...

В соответствии со способом управления ферроэлектрическим или электретным запоминающим устройством при считывании данных из ячеек памяти данного устройства на первый и второй наборы электродов подают первое множество разностей напряжения. При записи или обновлении данных в ячейках памяти на первый и второй наборы электродов подают второе множество разностей напряжения. В обоих этих случаях первое и...

Изобретение относится к способу, направленному на ослабление мешающих напряжений, возникающих в устройстве хранения данных, имеющем пассивную матричную адресацию. Техническим результатом является повышение быстродействия. В данном способе подача электрических потенциалов осуществляется координированным во времени образом, соответствующим протоколу подачи импульсов. При выполнении операции адресаци...