Пархоменко Юрий Николаевич (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания нанокомпозитных покрытий с заранее заданной удельной проводимостью. В вакуумной камере с помощью плазмотрона создают поток плазмы паров кремнийсодержащего жидкого углеводорода в присутствии аргона с парциальным давлением, более чем в три раза превышающим парциальное давление паров кремнийсодержащего жидкого угл...

Изобретение может быть использовано в химической, парфюмерной, текстильной промышленности. Исходный порошок кремния подают в поток плазмообразующего газа под давлением с постоянной скоростью. Процесс испарения кремния до образования атомного пара ведут при температуре плазмы СВЧ-разряда 4000-6000°С. Конденсацию атомного пара кремния осуществляют в токе газообразного хладагента, подаваемого в реа...

Изобретение может быть использовано для изготовления кварцевых контейнеров с защитным покрытием для высокотемпературных процессов. В качестве исходного углеродсодержащего соединения используют органосиланы с атомным соотношением кремния и углерода, равным 1,0:(1,0÷4,0). Формирование покрытий осуществляют последовательным, многократным чередованием процессов смачивания поверхности контейнера орга...

Изобретение относится к технологии получения углеродсодержащих защитных покрытий пиролизом органосилоксановых соединений и может быть использовано в планарной технологии твердотельной электроники, а также может найти применение в литографических процессах при формировании органосилоксановых актинорезистов и углеродсодержащих маскирующих покрытий на их основе для изготовления фотошаблонов или ион...

Изобретение относится к металлургии титана и может быть использовано при переработке титансодержащего сырья хлорным методом с получением тетрахлорида титана. Способ включает подготовку шихты, загрузку ее в хлоратор с расплавом хлоридов металлов, хлорирование подачей хлорсодержащего агента через 4 хлороподвода в расплав хлоридов металлов с непрерывным обновлением расплава с получением парогазовой...

Настоящее изобретение может быть применено в наземных и космических солнечных энергоустановках на основе кремниевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечного излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения. Конструкция фотоэлектрического модуля включает нижнее защитное покрытие, на котором с помощью скрепляющей полимерной пленки закреплены кремниевые солнечные элементы...

Изобретение относится к области материалов и элементов спиновой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в гетероструктуре: ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник. В устройствах спиновой электроники спин используется в качестве активного элемента для хранения, обработки...

Изобретение относится к химии и технологии кремнийорганических соединений, а именно к способам получения органосилсесквиоксанов полиэдрической структуры и дискретных частиц на их основе. В предложенном способе получения органосилсесквиоксанов кубического строения в качестве исходных продуктов используют трехфункциональные органохлорсиланы или их смеси с тетрафункциональным хлорсиланом при их моль...

Изобретение относится к химии и технологии неорганических кремнекислородных соединений и может быть использовано для получения мелкодисперсных кремнеземов из попутных хлорсиланов химико-металлургических хлоридных производств поликремния и других металлов и химико-технологических производств органохлорсиланов. Способ включает гидролиз, последующую конденсацию и осаждение частиц в растворителе. В к...

Изобретение относится к термоэлектрическим материалам. Сущность изобретения: способ получения термоэлектрического материала р-типа на основе твердых растворов Вi2Те3-Sb2Те3 включает синтез твердого раствора сплавлением взятых в стехиометрическом соотношении исходных компонентов Bi, Sb, Те в запаянных ампулах, защищенных слоем пироуглерода, в атмосфере аргона, помещенных в трехзонную, качающуюся о...

Изобретение может быть использовано в оптике, оптоэлектронике, солнечной энергетике. Сначала готовят золь нанокремния введением наноразмерных частиц порошка кремния в водно-спиртовой раствор и диспергированием посредством ультразвуковой обработки. Для образования устойчивого золя нанокремния в водно-спиртовом растворе его центрифугируют. Размер частиц нанокремния в золе 3-50 нм. В полученный усто...

Изобретение относится к получению термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом горячей экструзии. Материал может использоваться для термоэлектрического преобразования энергии. Пресс-заготовку из термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы нагревают до температуры экструзии 370-470°С пропусканием через нее переменного униполярного импуль...

Изобретение относится к производству термоэлектрических материалов. Сущность: для получения стержней термоэлектрического материала на основе твердых растворов Bi2Te3-Bi2Se n-типа проводимости с эффективностью ZT>1,2 и механической прочностью не менее 150 МПа осуществляют механоактивационный синтез тройного твердого раствора Bi2Te2,85Se0,15 n-типа проводимости из исходных компонентов. В качест...

Изобретение относится к области получения термоэлектрических материалов, применяемых для изготовления термостатирующих и охлаждающих устройств, систем кондиционирования и в других областях техники. Сущность: способ включает механоактивационную обработку в планетарной шаровой мельнице твердых растворов, содержащих теллуриды висмута и сурьмы с добавлением размольного агента, и последующее спекание...

Изобретение относится к наноструктурному термоэлектрическому материалу. Материал содержит теллурид сурьмы в виде тройного твердого раствора состава ВixSb2-xТе3, где х имеет значения от 0,4 до 0,5, и дисперсный наполнитель, выполненый из ультрадисперсного алмаза со средним размером частиц от 3 до 5 нм. Концентрация частиц ультрадисперсного алмаза составляет от 0,2 до 15% от объема тройного твердо...

Изобретение может быть использовано при получении материалов для электронной промышленности, в частности для литий-ионных аккумуляторов. Способ получения титаната лития включает получение смеси, содержащей соединения титана и лития, и термообработку полученной смеси с последующим обжигом продукта термообработки. Перед получением указанной смеси раствор тетрахлорида титана подвергают солевому гид...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к производству термоэлектрических материалов (ТЭМ) n-типа проводимости на основе тройного твердого раствора Mg2Si1-xSnx. Может использоваться при изготовлении среднетемпературных термоэлектрических генераторов возобновляемой энергии, работающих в диапазоне температур 300÷600°C. Смесь порошков исходных компонентов и легирующей примеси с...

Изобретение относится к гидрометаллургии лантаноидов, а именно к получению кристаллических нанопорошков оксидов лантаноидов. Способ получения порошков индивидуальных оксидов лантаноидов включает осаждение соли лантаноидов из азотнокислых растворов твердой щавелевой кислотой при непрерывном введении полиакриламида, отделение ее, промывку, сушку, термообработку полученного осадка и последующую обр...

Изобретение относится к получению материала для электронной промышленности, в частности, для литий-ионных аккумуляторов. Способ получения нанопорошков композита на основе титаната лития Li4Ti5O12/C включает смешивание диоксида титана, карбоната лития и крахмала и термическую обработку полученной смеси до получения материала с 100% структурой шпинели. Карбонат лития берут в 10÷15 мас.% избытке от...

Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с бидоменной структурой и может быть использовано в нанотехнологии и микромеханике при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, лазерных резонаторов, а также при юстировке оптических систем. Способ заключается в образовании в пластине монокристалла сегнетоэлектрика двух монодо...

Изобретение относится к радиоизотопным механо-электрическим генераторам с пьезоэлектрическим кантилевером. Устройство включает отдельно расположенный радиоизотопный источник постоянного напряжения в виде плоскопараллельного конденсатора, одна обкладка которого, закрепленная на первой металлической плате и содержащая пленку радиоактивного изотопа, является эмиттером, а вторая коллектором. Также пре...

Изобретение относится к устройствам для проведения рентгенодифракционных исследований материалов. Дифрактометр содержит источник рентгеновского излучения, размещенные за ним последовательно по ходу рентгеновского луча первую щелевую диафрагму, первый гониометр, вторую щелевую диафрагму, второй гониометр, а также детектор излучения, дополнительно содержит отдельный съемный блок. Данный блок имеет э...