C23C16/24 - осаждение только кремния — все патенты категории

Способ осаждения пленок гидрогенизированного кремния

Изобретение относится к технологии нанесения пленок и может быть использовано для изготовления тонкоплепочных кремниевых солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев. Способ осаждения пленок гидрогенизированного кремния заключается в том, что рабочий газ из источника подают в вакуумную камеру для создания...

2100477

Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной оптоэлектронике и интегральной оптике для создания тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев. Сущность изобретения заключается в том, что в способе нанесения пленки аморфного кремния путем осаждения на нагретую подл...

2165476

Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния. Предложен способ получения пленок аморфного кремния, основанный на осаждении продуктов разложения силансодержащей газовой смеси на нагретую подложку. Разложение газовой смеси происходит в плазме ВЧЕ-разряда вне камеры осаждения с последующим формированием из продуктов разложения сверхзвуковых струй, истекающих в вакуум...

2188878

Способ формирования слоев поликристаллического кремния

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем. Способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор, подачу моносилана при температуре роста слоя аморфного кремния, осаждение слоя аморфного кремния, повышение температуры до температуры роста слоя поликристаллического кремния и осаждение его до заданной толщины, подачу в реактор инер...

2191847

Способ формирования диоксида кремния

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния. 2 с. и 4 з.п.ф-лы. Областью применения изобретения является микроэлектроника, а им...

2191848

Способ и устройство для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку

Изобретение относится к способу и устройству для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку и может быть использовано в различных отраслях машиностроения. Генерируют плазму и подложку подвергают воздействию кремнийсодержащей текучей среды-источника и вспомогательной текучей среды, обладающей способностью вытравливать некристаллически связанные атомы кремния. Н...

2258764

Способ формирования слоев поликристаллического кремния

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до пр...

2261937

Установка плазменного осаждения и способ получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к способу и установке для получения поликристаллического кремния и может найти применение при изготовлении солнечных элементов. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния включает камерное средство для осаждения, средство для поддерживания подложки-мишени (104), имеющей поверхность осаждения (106) и множество горелочных средств (102) с индукти...

2404287

Повышение производительности осаждения поликремния в реакторе химического осаждения из паровой фазы

Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы. Технический результат - повышение производительности производства поликремния. Реактор включает опорную систему, снабженную опорами для накальных элементов, и оболочку, прикрепляемую к упомянутой опорной системе с формированием осадительной камеры. Устройство также содержит...

2442844

Реактор для поликристаллического кремния и способ получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к технологии производства поликристаллического кремния. Реактор содержит установленный внутри него кремниевый затравочный стержень, нагреваемый посредством подачи электричества, патрубки 6 для подачи газообразного исходного материала, установленные в нижней части 2 реактора, сопла 10 для подачи газообразного исходного материала, которые проходят снизу вверх от патрубков 6, о...

2470098

Способ получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. Способ включает нагрев множества кремниевых стержней-затравок, помещенных в реакционную печь, с последующим осаждением на поверхностях кремниевых стержней-затравок поликристаллического кремния с помощью сырьевого газа, испускаемого из газовыпускных отверстий, расположенных во внутренней нижней части реакционной...

2475570

Аппарат для получения и способ получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отвер...

2495164

Способ регулирования проницаемости стыков между частями реторты в оснастке для силицирования изделий

Изобретение относится к области производства конструкционных материалов, работающих в условиях высокого теплового нагружения и окислительной среды, в установке для силицирования паро-жидкофазным методом. Между частями реторты установки для силицирования в местах расположения стыков со стороны ее наружной поверхности формируют плавкий затвор. Плавкий затвор формируют в торцевом углублении, а в ка...

2520171

Способ получения поликристаллического кремния и реактор для получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к технологии получения поликристаллического кремния путем осаждения на кремниевой электродной проволоке методом Siemens. Способ включает первую стадию с относительно низкой подачей газа, последнюю стадию с относительно высокой подачей газа и промежуточную стадию, на которой количество подаваемого газа увеличивают от величины подачи на первой стадии до величины подачи на по...

2581090

Способ получения покрытия из аморфного кремния на внутренней поверхности металлического субстрата

Настоящее изобретение относится к способу получения покрытия из аморфного кремния на внутренней поверхности металлического субстрата и может быть использовано в газоносных системах отбора и хранения проб природного газа для подготовки субстрата, например сосуда для хранения газа или подводящего трубопровода, в системах контроля качества продукции в нефтяной и газовой промышленности, в коммерческих...

2606690

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использова...

2618279

Способ нанесения тонкого слоя аморфного кремния

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной микроэлектронике, оптоэлектронике и интегральной оптике для создания интегральных схем, тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев. Способ нанесения тонкого слоя аморфного кремния на подложку включает обеспечение контакта пов...

2635981

Способ формирования тонких пленок аморфного кремния

Изобретение относится к способу формирования тонких пленок аморфного кремния и к устройству для его осуществления. Способ основан на осаждении продуктов разложения силансодержащей газовой смеси на нагретую подложку, которое выполняют в плазме ВЧЕ-разряда в разрядной камере изолированно от камеры осаждения с последующим формированием из продуктов разложения сверхзвуковых струй, истекающих в...

2650381

Способ гидрофобизации субстрата

Настоящее изобретение относится к способу гидрофобизации поверхности субстратов и может быть использовано в газоносных системах отбора и хранения проб природного газа для подготовки субстрата, например сосуда для хранения газа и подводящего трубопровода, в системах контроля качества продукции в нефтяной и газовой промышленности, в химико-аналитических лабораториях, при производстве аналитических п...

2661320

C23C16/24 - осаждение только кремния

Патенты в этой категории