C30B25/16 - управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05)

Способ автоматического управления п получения чистых материалов из газо'п п.ft jh-'•':•••,:оцм?ед>&мй1ой фазы" '

l90 580 ОП ИСАН ИЕ ИЗОБ РЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 09Х!!.1964 (№ 904753/22-1) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 29.Xll.1966. Бюллетень ¹ 2 Дата опубликования описания 6.11.1967 Кл, 40а, 61/00 МП1(С 22Ь . у Д1(621,3,077:669.1-498.8 (088.8) Комитет по цвлаь изобретен...

190580

Способ автоматического! управления процессом роста нитевидных кристаллов нитрида кремния

:союзнлЯ TFXHHq CKJER ПИСАНИЕ ЗОБРЕТ ЕНИЯ АВТОР СИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ имое от авт. свидетельства ¹ ено 05.VII.1971 (№ 1682545!23-26) М. Кл. В 01 j 17,,32 G 05d 11 02 оед«нен (ei(заявк« ¹ итет иковано 15Л .1973. Б(Ьллетень М 21 УДК 669.782.094.1, 2.661. .96:65.011.56:62-98 (088.8) опубликования описания 2Л I I I.1973 Авторы изобретения А. Г. Творожников, В. М. Бирюков, A. В. З...

380344

Способ получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. Способ включает нагрев множества кремниевых стержней-затравок, помещенных в реакционную печь, с последующим осаждением на поверхностях кремниевых стержней-затравок поликристаллического кремния с помощью сырьевого газа, испускаемого из газовыпускных отверстий, расположенных во внутренней нижней части реакционной...

2475570

Аппарат для получения и способ получения поликристаллического кремния

Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отвер...

2495164

Монокристаллический, полученный хогф, синтетический алмазный материал

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического, полученного химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), синтетического алмазного материала, который может быть использован в качестве квантовых датчиков, оптических фильтров, частей инструментов для механической обработки и исходного материала для формирования окрашенных драгоценных камней. Алмазный материал имеет общую концент...

2575205

Полученные химическим осаждением из паровой фазы монокристаллические синтетические алмазные материалы, имеющие однородный цвет

Изобретение относится к технологии производства цветных алмазов, которые могут быть использованы в оптике и для ювелирных целей. Монокристаллический CVD-синтетический алмазный материал содержит множество слоев, которое включает, по меньшей мере, две группы слоев, различающиеся по их составу дефектов и цвету, причем тип дефектов, концентрация дефектов и толщина слоев для каждой из упомянутых, по...

2595671

Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии. В качестве материала подложки могут использова...

2618279

C30B25/16 - управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05)

Патенты в этой категории