C30B29/04 - алмаз — все патенты категории

Способ кристаллизации углерода

№-117544 Класс 12с, 2 48Ê 11в2 СССР П 11Å 111ОТЕХЫЧЕЦЫЯ "У БИБЛИОТЕ1 А ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ6СТВУ А. В. Шубииков и А, П. Сизов СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ УГЛЕРОДА Заявлено 23 апреля 1947 г. за № 1263с в Бюро по делам изобретательства Министерства геологии Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 2 за 1%9 г. Изобретение относится к способам и конструкции для по...

117544

Способ получения электропроводного алмаза

Способ получения электропроводного алмаза, включающий облучение его нейтронами и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения заданного электросопротивления в диапазоне 1011 - 10-1Ом см независимо от природы исходного алмаза, облучение ведут флюенсом нейтронов 3 1019 - 1,5 1021 нейтрон/см2 с энергией более 0,5 МэВ при температуре 70 - 500oC, а отжиг при давлении 10-1 - 1...

1137788

Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления

Изобретение относится к кристаллизации алмаза из газовой фазы, и может быть использовано в электронике, приборостроении, лазерной и рентгеновской технике и обеспечивает повышение скорости роста слоев. Способ включает выращивание слоев из газовой фазы, содержащей углеводороды и водород при общем давлении 0,01 - 1 зтм Рост ведут на подложке, расположенной на подложкодержатепе , наг...

1577400

Способ получения алмазоподобных пленок

Изобретение относится к микроэлектронике, оптике, физике тонких пленок, может быть использовано, например, для получения защитных покрытий зеркал, обеспечивает получение однофазных, бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению. Способ включает распыление мишени из графита импульсным ТЕА CO2 - лазером с плотностью мощности излучения 1107-5108Вт/cм2. Пары осаждают на подложку, располо...

1610949

Способ получения алмазов

Изобретение относится к получению искусственных твердых материалов методом взрыва и может быть использовано для получения алмазов как промышленных так и ювелирных Обеспечивает повышение эффективности взрыва и удешевление процесса Способ включает загрузку углеродсодержащего материала с добавкой 9 , - Z ;ч } .- S j ( у fН катализатора в капсулу ее &акуумИфоЈаняе герметизаци...

1644996

Термостойкое покрытие

Использование: в сварке для покрытия сопл или мундштуков сварочных горелок и плазмотронов. Покрытие выполнено в виде алмазоподобной пленки углерода толщиной 1000 А, содержащей области из гексагонального алмаза, имеющего форму, близкую к эллипсоиду вращения с осями величиной 9-10 А и 5-6 А, а граничные участки между ними представляют собой совокупность одиночных тетраэдров (Т). Об...

1737035

Способ упрочнения кристаллов

Использование: обработка свер хтеердых кристаллических материалов, в частности природных и синтетических алмазов и д-ругах вн ых материалов, для увеличения объемной прочности. Сущность изо-: бретения: кристаллы облучают лазером с длиной нояны луча, при которой они являются оптически прозрачными. Плотность мощности излучения оДределяется из зашеимоетй. К S , где S - максимальный л...

1813126

Способ выращивания алмазов

Предлагается способ выращивания алмазов осаждением углерода из газовой фазы на нагретую подложку. Способ состоит в том, что диссоциированную газовую смесь, содержащую углерод и водород, получают при давлении 100 - 300 мм рт. ст. и затем смесь подают в вакуумную камеру с давлением в ней 10-6-10-9 мм рт. ст, формируя узконаправленный газовый факел в направлении поверхности закрепленной подл...

2006538

Способ эпитаксиального выращивания алмаза

Использование: для увеличения размеров кристаллов алмаза. Сущность изобретения: на затравочные кристаллы алмаза наносят слой металла - катализатора. В ампулу помещают эти кристаллы и исходный углерод - сажу, ампулу вакуумируют и осуществляют эпиксиальное выращивание. Выращенные кристаллы имеют высокие оптические характеристики. 1 табл. Изобретение относится к способам выращивания алмаза н...

2008258

Способ осаждения алмазных покрытий в плазменной струе

Изобретение относится к методам химического газофазного осаждения покрытий, в частности в струе термической плазмы. В способе для осаждения алмазного покрытия используют в качестве газа-носителя воздух, а углеводород добавляют в область взаимодействия струи с подложкой. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к методам химического газофазного осаждения покрытий, в частности к использова...

2040600

Способ синтеза алмаза

Изобретение относится к получению синтетических алмазов, имеющих большое народнохозяйственное значение. Цель изобретения создание низкотемпературного и низкобарического способа синтеза кристаллов алмаза особой чистоты (безметальных и безазотных) и совершенной структуры для микроэлектроники и лазерной техники, а также значительное упрощение способа синтеза алмаза. Сущность способа заключа...

2042748

Способ синтеза алмазов

Изобретение относится к производству синтетических алмазов и может быть использовано в машиностроения. Способ состоит в том, что алмаз синтезируют из смеси простых газообразных соединений типа CO2 и CH4, CO и C2H2, CH4 и CX4, где X CL, Br, в которых углерод находится в разновалентном состоянии. Процесс ведут на затравку при 200-350°С и давлении 200-2500 ат, достигают упрощения и удешевлен...

2046842

Устройство для выращивания кристаллов из газовой фазы

Сущность изобретения: устройство состоит из камеры для получения парогазовой смеси, вакуумной камеры и разделительного клапана между ними. Эффективность процесса осаждения кристаллов на подложке повышается за счет того, что в канале, соединяющем камеры, размещена форсунка, обеспечивающая формирование газового потока в виде узконаправленного газового факела в направлении подложки, выполнен...

2049830

Способ получения изотопически чистых алмазных пленок

Данное изобретение направлено на получение монокристаллического алмаза, состоящего из изотопически чистого углерода-12 или углерода-13. Изотопически чистый монокристаллический алмаз выращивают на монокристаллическом субстрате непосредственно из изотопически чистого углерода-12 или углерода-13. Способ включает стадии введения в реакционную камеру монокристаллической подложки, нагревают ее...

2054056

Способ получения алмазов

Сущность изобретения: адиабатическое сжатие смеси двух грамм-молекул ацетилена с одной грамм-молекулой углекислого газа с катализатором магнием и окисью магния в резиновой емкости, обмазанной изнутри "жидким" стеклом. В результате химической реакции смесь нагреется до 1530oС, а давление повышается до 1000 ат. Газообразный углерод десублимируется в монокристалл с выделением энергии, получе...

2063797

Способ улучшения качества метаморфических алмазов

Использование: обработка алмазов. Сущность изобретения: метаморфические алмазы с несовершенной структурой облучают рентгеновскими лучами при нормальных условиях, судят о качестве алмазов по появлению на дифрактограммах контрольных образцов недостающих и увеличению относительных интенсивностей рефлексов плоских сеток (220), (311), (400) и уменьшению количества аморфной фазы, 3 ил. Изобрете...

2080289

Способ выращивания алмаза из графита

Предлагается способ выращивания алмаза из графита в камере высокого давления, воздействуя импульсно-периодическим лазерным излучением на границу алмаз-графит через одну из прозрачных для лазерного излучения стенок камеры. В камере типа алмазной наковальни поддерживается давление от 5 до 50 ГПа, зависящее от возможностей камеры, а импульс лазерного излучения нагревает очень узкий скин-слой...

2083272

Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах. Сущность изобретения: техническим результатом, достигаемым в изобретении, для способа синтеза монокристаллов алмаза и реактора для его реализации является обеспечение синтеза монокристаллов алмаза большой каратнос...

2102542

Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА), в том числе с полупроводниковыми свойствами. Реактор содержит корпус 1, выполненный в виде обечайки 2 с крышкой 3 и днищем 4, узел загрузки 13 шихты, узел слива продуктов реакции 16, узел 20 нагрева шихты, узел 27 подачи углеродсодержащих (углеводородных), азотсодержащих и легирующих веществ и узел 50 (форсунки) ввода в...

2106437

Способ получения алмазоподобных покрытий

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания изолирующих, защитных и маскирующих покрытий, а также в других областях техники для создания механически прочных и износостойких покрытий . Изобретение направлено на повышение качества покрытия, заключающееся в повышении адгезии покрытия к подложке. Способ получения алмазоподобных покрытий включает соз...

2111292

Способ получения искусственных кристаллов алмаза особо крупных размеров

Использование: получение искусственного алмаза. Поставленная задача выполняется с помощью наработки жидкого расплава углерода между углеродсодержащими электродами, один из которых расположен в горизонтальном положении, а другой установлен вертикально. Наработанный в горизонтально расположенном электроде определенный объем жидкой ванны расплава углерода транспортируют в жидкий углеводородн...

2118562

Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации

Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений в ходе протекания физико-химических цепных реакций в гетерогенных силикатных средах при высоких температурах. Техническим результатом, достигаемым в изобретении для способа синтеза МКА и реактора для его реализации, является обеспечение синтеза монокристаллов алмаза больш...

2118672

Способ получения поликристаллических алмазных слоев

Область применения: изготовление промышленных алмазов, а точнее в способах изготовления поликристаллических алмазных слоев, используемых в электронной промышленности, точной механике, микротехнологии. Технический результат: удешевление и упрощение процесса изготовления, уменьшение трудоемкости процесса. Сущность изобретения: собирают пакет из слоев графитосодержащего вещества и теплопрово...

2118997

Способ получения искусственных алмазов

Использование: в синтезе искусственных алмазов. Способ заключается в импульсном воздействии на образец из графита и металла давлением и нагревом, по которому давление и нагрев осуществляют ударной волной взрыва внешнего заряда ВВ. Параметры заряда ВВ выбирают из условия получения давления и температуры ударной волны в образце, достаточных для реализации фазового перехода графита в алмаз....

2122050

Способ получения искусственного сверхтвердого материала на основе углерода

Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы. Техническим результатом изобретения является снижение стоимости получаемого продукта. Сущность предложенного способа заключается в использовании кавитационного генератора для создания температурного и барометрического воздействия на углеродсодержащую массу с целью превращения ее в сверхтвердый матери...

2123972

C30B29/04 - алмаз

Патенты в этой категории