C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00)

Способ выращивания кристаллов из расплава

№ 116935 Класс 12с, 2 СССР инсан 1" I БИБЛИОТЕК 1» ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. Б. Земцов и Б. В. Витовский ,СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 7 февраля 1953 г. за ЛЪ 3396/576607/23 в Министерство химической промышленности СССР Известные способы выращивания кристаллов из расплава имеют ряд недостатков: медленный рост кристаллов,...

116935

Способ выращивания монокристаллов

М 122478 Класс 12с, 2 СССР IlK%IK gj) ф(tf.i. г g 54ць ь «, и/ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ У. Г. Муратов СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Заявлено 13 января 1959 г. за № 616708/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 18 за 1959 г. Известные в настоящее время способы выращивания неорган...

122478

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Рй 132613 Класс 12с 2 СССР С СОЮЗИАЯ 1 ГЛ ..:; вЂ”.;:0 Т . 11H.. гг1 nq Брб 1 0 rвд ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕ .ТЕПЬСТВУ Поописнпя грг1ппа М 89 H. Н, Шефталь, И. В. Степанов, M. А, Васильева и В. Я, Хаимов-Мальков УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСКОРЕННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 25 ноября 1959 г. за No 645071/23 в Комитет по делам изобретений н открытий пр...

132613

Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Ю Д26 Класс 12с, 2 ГСЕСС Д."1, ; g СССР ГЛТЕ1,, 0 1.....,, "- ° - - ° ОПИСАНИЕ ИЗОБАТЕ 1»ЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подпаснал "pgnna Л3 89 Н. Н. Шефталь, И В. Степанов, М. А. Васильева и В. Я. Хаимов-Мальков УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСКОРЕННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛСВ ИЗ РАСПЛАВА Заявлено 25 ноября 1959 г. за 7Га 645071/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министр...

132614

Аппарат для выращивания монокристаллов и зонной очистки высокотемпературных разлагающихсясоединений

l63759 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ OeNo Сеевтенн1 Вецнелнетннвенне Реенублне Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 40д, 1/30 Заявлено 24.VI.1963 (М 843679/22-2) с присоединением заявки № Приоритет МПК С 22(УДК Квмнтет пе aeneas неееретвннй н етермтнй ерн Oeeete Мнннетрее Опуб.тиковаио 28.V.1969. Бюлл..тень № 18 Заявитель Всесоюзный научно-исследовательский...

163759

Устройство для направленного отвода тепла

Оn ИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистииеских Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 14, Х1.1963 (№ 865830/22-2 ) с присоединением заявки ¹ Кл. 40d, 1щ Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР МПК С 221 УДК 621.789:548.55(088.8) Приоритет Опубликовано 17.111.1965. Бюллетень ¹ 7 Дата опубликования описания...

169795

Патент ссср 174171

О П И С А Н И Е l7417I ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соаетских Социалистических Республик Зависимое от авт, свидетельства № Заявлено 10.Х1.1963 (№ 864930/26-25) Кл. 12с, 2 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 27Х111.1965. Бюллетень № 17 Дата опубликования описания 8.Х.1965 Государствейный комитет по делам изобретений и открытий СССР МПК В Old Ъ...

174171

Патент ссср 289665

289665 ОП ИСА НИ Е ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹â€” Заявлено 16.|.1969 (№ 1297604/22-1) с присоединением заявки «¹â€” ПриоритетвЂ” Опубликовано 06.1.1971. Бюллетень X 3 Дата опубликования описания 21.IV.1971,ЧПК В 011 17/08 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС...

289665

Тигель для высокочастотной индукционной нлавки

Сок(а Советскиз Социалистических О П И С А Н И Е 29)736 изоьеитиния Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельства X(Заявлено 22.1Ъ .1969 (№ 1326740 22-1) с присосдпnenneм 3 (явки,х, П р иор и l eт Опт оликовано 06.1.1971. Бюл !OTenb .,х!о 4.ЧПК В Olj17,!06 Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССР УДК 66.042.212.9(088.S) Дата оп...

291736

Устройство для выращивания монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, контактирующего с газообразным реагентом, включающее герметичную камеру с неподвижно установленным нагревателем и тиглем, перемещаемым по вертикали при помощи введенного снизу полого штока, и расположенный вне камеры источник реагента, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности воздействия реаген...

342395

Устройство для плавки немагнитных материалов

О П И С А Н И Е 35I574 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ вьтскиа стическиа Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 02.|Х.1969 (№ 1358804 23-26) М. Кл. В 011 17/06 Н 05Ь 5 02 с присоединением заявки Ip Приоритет Опубликовано 21.1Õ.1972. Бюллетень ¹ 28 Дата опубликования описания 28.IX,1972 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Иинистров СССР...

351574

Способ очистки веществ направленной кристаллизацией расплава

ОП АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (и) 422450 Союз Советских Социалистических Республик К ЛВтОИСКОМ Г СВИДЕтИЛЬСтВ Г (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 31.12.71 (21) 1733345/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет Опубликовано 05.04.74. Бюллетень ¹ 13 Дата опубликования описания 05.09.74 (5l) Л!. Кл. В 01j 17/06 С 22I> 9/02 Государственныи комитет Совета Министров С...

422450

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛ И СТИЧ Е С КИХ РЕСПУБЛИК (5!)5 С 30 В 11/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21 ) 1903621/26 (22) 02.04.73 (46) 23.01.93. Бюл. " 3 (72) Б.И ° Бирман, Н.П.Иванов, Н.Н.Смирнов и Л,Л.Нагорная (56) Авторское свидетельство СССР 136614, кл. В 01 .1 17/06, 1959. (5")(57) 1. УСТРОЙСТВО...

575807

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие пред...

666700

Устройство для термической обработки веществ

Устройство для термической обработки веществ в контролируемой атмосфере, включающее рабочую камеру с вертикально расположенным цилиндрическим нагревателем, стопу тиглей чашеобразной формы, установленную на подвижной по вертикали опоре, загрузочную и разгрузочную камеры, отделенные от рабочей камеры шиберами, и транспортные средства для перемещения тиглей, отличающееся тем, что, с целью со...

683064

Устройство для разделения и очистки веществ

УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗДЕЛЕНИЯ -И ОЧИСТКИ ВЕШЕСТВ направленной кристаллизацией расплава, содержащее .герметичный трубчатый контейнер с очищаемым веществом, установленный с возможностью вращения вокруг оси, и нагреватель, отличающеес я тем, что, с целью повышения эффективности разделения и очистки веществ за счет уменьшения поверхности загрязнения растущего кристалла, контейнер снабжен центрифу...

693575

Устройство для выращивания кристаллов

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыков...

850765

Устройство для выращивания кристаллов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку по авт. св. N 850765, отличающееся тем, что, с целью повышения его надежности за счет исключения вытекания расплава из тигля при его переворотах, торец первого стакана с затравкодержателем в месте разъема тигля выполнен с выемкой, имеющей внутреннюю цилиндрическую и внешнюю коническую форму, высота выемки с конической формой меньше высоты...

946266

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят...

948170

Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена и способ его получения

1. Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и механической прочности и улучшения структурного совершенства, он дополнительно содержит хлоранил в концентрации (0,2 - 1,2) 10-2 мол.%. 2. Способ получения сцинтиллятора на основе монокристалла стильбена, включающий направленную кристаллизацию его расплава на ориентированной затравке...

948171

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава в ампуле, включающее вертикально расположенные нижнюю и верхние камеры с нагревательными элементами, принудительно охлаждаемую кольцевую диафрагму, расположенную в верхней камере, и системы стабилизации температур нагревательных элементов, каждая из которых состоит из температурного датчика, задающего средства, регулятора и исполнитель...

989912

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРА(ЦИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОШСЛОВ, включающее камеру роста, размещенные в ней экраны, прутковый нагреватель сопротивления, имеющий верхние полувитки и нижние, число которых превьшает число верхних, неохлаждаемые токоподводы, соединенные с концами нагревателя посредством клиньев, и лодочку, установленную с возможностью перемещения в полости нагревателя...

1031256

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем. Изобретение относится к технике выращивания кристаллов направле...

1107589

Устройство для выращивания монокристаллов

1. Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающий двухзонную вертикальную печь с диафрагменной перегородкой и установленную внутри печи ампулу для расплава в герметичном кожухе, выполненную в виде цилиндра с коническим дном, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов из щелочно-галоидных материалов, дно ампулы размещено на...

1122012

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава

Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фро...

1262998

Подкатегории

Патенты в этой категории