H01L29/786 - тонкопленочные транзисторы — все патенты категории

Тонкопленочный полевой триод

! О и-МИГСА Я И И ИЗОБРЕТЕМ ЙЯ Союз Советских COljH3RHCTM×ÅÑÊИХ Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹ Кл. 21g, 11/02 Заявлено 25.1V.1967 (№ 1153098/26-25) с присоедцнеш1ем заявки № МПК H 011 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Приоритет УДК 621.382.322 (088.8) Опубликовано 12 Õ1IË969. Бюллетень Хо 2 за 1970 Дата опубликования опнса;шя 24.1...

259283

Всесоюзная пдтекгко-]1хш?'/гка1библиотека

29l626 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Реепублик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 06.Х.1969 (№ 1363843/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 26Х!1.1971. Бюллетень № 23 Дата опубликования описания 12.Х,1971 МПК Н Oll 11/14 Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР УДК 621.382...

291626

Двухфазный прибор с зарядовой связью

Двухфазный прибор с зарядовой связью, выполненный в виде многослойной проводящей структуры, содержащей в каждой ячейке электроды хранения и электроды переноса, соединенные посредством контактных окон, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов с ячейкой переноса минимального размера при сохранении высокой управляющей способности, электроды хранения каждой фа...

1217208

Полевой нанотранзистор

Использование: наноэлектроника и микроэлектроника, в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в полевом нанотранзисторе, содержащем слой полупроводникового материала, в котором выполнен проводящий канал, сло...

2250535

Полевой транзистор

Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 1018/см3 и в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных...

2358355

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 1012/см3 до 1018/см3, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере...

2369940

Полевой транзистор, имеющий канал, содержащий оксидный полупроводниковый материал, включающий в себя индий и цинк

Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga,...

2371809

Полевой транзистор

Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем активный слой и изолирующую затвор пленку, активный слой содержит слой оксида, содержащего In, Zn и Ga, аморфную область и кристаллическую область, и при этом кристаллическая область отделена от первой поверхности раздела, которая является пове...

2390072

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: аморфное оксидное соединение, имеющее состав, который при нахождении указанного соединения в кристаллическом состоянии описывается формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 представляет собой Mg или Са, М3 представляет собой В, Al, Ga или Y, 0≤Х≤2, 0≤Y≤1, и m представляет собой 0 или натураль...

2399989

Полевой транзистор, использующий оксидную пленку для передачи информации, и способ его изготовления

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, включающем в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором концентрация одного из водорода или дейтерия в истоковой части и в стоковой части превышает таковую в канальной части. Изобретение позволяет установить св...

2400865

Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: в аморфный оксид, состав которого изменяется в направлении толщины слоя, содержит соединение, имеющее в кристаллическом состоянии состав, представленный формулой In2-XM3XO3(Zn1-YM2YO)m, где М2 - элемент группы II с атомным номером меньше, чем у Zn (например, Mg или Са), М3 - элемент группы...

2402106

Устройство памяти на тонкопленочной структуре кремния на стекле

Изобретение относится к полупроводниковым приборам оптоэлектроники и устройствам памяти. Сущность изобретения: в устройстве памяти, включающем подложку с нанесенными тонкими слоями оксида церия и кремния, и металлическими электродами для записи и стирания информации, подложка выполнена из стекла, подвергнутого предварительной очистке ацетоном, изопропиловым спиртом, на которую нанесен слой оксида...

2402107

Способ изготовления инвертора и инвертор

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем. Сущность изобретения: способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои которых состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранн...

2433504

Тонкопленочный транзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки тонкопленочного транзистора. Сущность изобретения: тонкопленочный транзистор содержит первый конденсатор, содержащий область, в которой первый электрод конденс...

2471266

Полупроводниковое устройство

Изобретение относится к полупроводниковому устройству со схемой защиты от электростатического разряда. Полупроводниковое устройство включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом. Тонкопленочный диод включает в себя полупроводниковый слой с первой, второй и канальной областями, электрод затвора, первый электрод, соединенный с первой областью и электродом затвора, и второй э...

2488191

Полупроводниковое устройство и способ его изготовления

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же про...

2503085

Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора

Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного...

2546725

Туннельный полевой транзистор на основе графена

Изобретение относится к области наноэлектроники. В туннельном полевом транзисторе с изолированным затвором, содержащем электроды истока и стока, выполненные из монослойного графена и лежащие на изолирующей подложке в одной плоскости, а также затвор, выполненный из проводящего материала и расположенный над областями истока, туннельного перехода и стока, электроды истока и стока ориентированы друг...

2554694

Оксид р-типа, получение оксидной композиции р-типа, способ получения оксида р-типа, полупроводниковый прибор, индикаторное устройство, аппаратура воспроизведения изображения и система

Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе. Оксид р-типа является аморфным соединением и представлен следующей композиционной формулой: xAO∙yCu2O, где x обозначает долю молей AO и y обозначает долю молей Cu2O, x и y удовлетворяют следующим условиям: 0≤x<100 и x...

2556102

Способ изготовления высокоэффективных и стабильных в электрическом отношении полупроводниковых слоев оксидов металлов, слои, изготовленные по этому способу, и их применение

Настоящее изобретение касается способа изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя первый и второй слои оксида металла, а также слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла располагается между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика и имеет толщину равную или менее 20 нм. Первый и второй слои оксида металла соответственно формируют из первой и из второй жидкой фаз...

2601210

Тонкопленочный транзистор, подложка матрицы и панель дисплея

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем, слой омического контакта, распол...

2627934

Полевой транзистор, элемент отображения, устройство отображения изображений и система

Изобретение относится к полевому транзистору и устройству отображения изображений. Полевой транзистор включает в себя основу, пассивирующий слой, изолирующий слой затвора, сформированный между ними, электрод истока и электрод стока, которые формируются находящимися в контакте с изолирующим слоем затвора, слой полупроводника, который сформирован между по меньшей мере электродом истока и электродом...

2630708

Полевой транзистор и способ изготовления полевого транзистора

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом...

2631405

Тонкопленочный транзистор из низкотемпературного поликристаллического кремния и способ его изготовления

Настоящее изобретение относится к тонкопленочному транзистору из низкотемпературного поликристаллического кремния, который обладает определенными электрическими характеристиками и надежностью, и к способу изготовления такого тонкопленочного транзистора. Тонкопленочный транзистор из низкотемпературного поликристаллического кремния включает по меньшей мере подзатворный слой, которым является компози...

2634087

Переключающий тпт и способ его изготовления

Настоящее изобретение предлагает переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), который включает затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены...

2634088

H01L29/786 - тонкопленочные транзисторы

Патенты в этой категории