БУРАВЦЕВ АНАТОЛИЙ ТИХОНОВИЧ
Изобретатель БУРАВЦЕВ АНАТОЛИЙ ТИХОНОВИЧ является автором следующих патентов:
![Устройство химической обработки изделий Устройство химической обработки изделий](https://img.patentdb.ru/i/200x200/66df3ee6483b139d496f534fc62e70fc.jpg)
Устройство химической обработки изделий
О П И С Л НИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6!) Зависимое от авт. свидетсльс-,ва— (22) Заявлено 05.10.72 (21) 1833561/26-21 (51) Ч. Кл. Н 051< 3/06 С 23g 3/00 Н Olrl 7 68 с присоединением заявки— (32) Приоритет— Опубликовано 25.06.75. Бюллетень ¹ 23 Дата опубликования описания 12.01.7б Государственный комитет Совет...
474961![Установка для термической обработки полимерных пленок на плоских подложках Установка для термической обработки полимерных пленок на плоских подложках](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2e2cde613d3b44e106aef61434c1efac.jpg)
Установка для термической обработки полимерных пленок на плоских подложках
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ л11 g)934/ Сева Советских Саллллиотических Ресиублик (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 27.12.73 (21) 1980571/24-6 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 30.04.76. Бюллетень ¹ 16 Дата опубликования описания 04.06.76 (51) М, Кл. - Е 26В 3 30 В 05D 3/02 F 26В 15/04 Государственный комитет Совета...
512349![Вентиль тонкой регулировки Вентиль тонкой регулировки](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d72115c9272eda0caa297cbd9a369966.jpg)
Вентиль тонкой регулировки
k ! Союз Советсиих Соцмвлмстимеских Республин ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И 1 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11) 601502 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено12.07.76 (21) 2386970/25-08 с присоединением заявки № (51) М. Кл. F 16 К 1/02 Гасударственнн|й каинтвт Самта Инннстрав СССР по долам изобретений н ITKpblTNN (23) Приоритет (43) Опублнковано05.04.78 Бюллетень ¹ 1 Я (53)...
601502![Устройство для дозировки и выдачи фоторезиста Устройство для дозировки и выдачи фоторезиста](https://img.patentdb.ru/i/200x200/94090d290104a0087a710f926746d1bb.jpg)
Устройство для дозировки и выдачи фоторезиста
627331 Изобретение показано на чертеже. На фиг. 1 — схема устройства н режиме циркуляции фотореэиста; на фиг. 2устройство в момент выдачи дозы фоторезиста. Ус тройс тв о содержит . корпус 1, к dторий разделен на дне полости: расходную 2 и дозирующую 3 при помощи первого тарельчатого клапана 4, закрывающегося под дейстнием пружины 5. Доэирующая полость 3 имеет боковое слив...
627331![Вентиль Вентиль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ac4965dfc50ef4b0f6df0de3d0b6da01.jpg)
Вентиль
(61) Дополиительиое к авт. евид-ву (22) Заявлеио 15.07.77 (21) 2509233/25 — 08 е присоединением заявки ¹ Гащдервтввнай емпвт СССР в явим «зебрами и аткритяй ОпУблиповаио 25,05,79. Бязллетеиь 34 1 (72) Авторы изобретения {71) Заявитель (54) ВЕК 1 ИЛЬ Изобретение относится к венпшям расхода газовых сред и может найти широкое применеwe в областях техники, где требуется плавная...
663925![Вентиль Вентиль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/362258f4f2a5334033530e9e03b554b9.jpg)
Вентиль
яз.Tr.м.; . ; .. . - . сиi.ä б. д ио1в . а М Е> 4. вентиля и повышения его эксплуатационных каа инертная жидкость в полости 1 выгибает честв, компенсационная мембрана выполнена наружу компенсационную мембрану 3, что обес- за одно целое с герметизирующей, между мемпечивает постоянный объем полости. Пружина 7 бр!!нами и крышкой образована полость, заполпо-прежнему остается разг...
663929![Вентиль Вентиль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ecdf86b8d12f2495c3a0f38407a76bbd.jpg)
Вентиль
А (11,769163 ОПИС НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 22.01.79 (21) 2714934(25-08 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.10.80. Бюллетень № 37 (45) Дата опубликования описания 07.10.80 (51) М. Кл. F 16К 7(16 F 16К 39(00 Государственный комитет (53) УДК 62...
769163![Устройство для захвата изделий Устройство для захвата изделий](https://img.patentdb.ru/i/200x200/db0ad33cf01b8de7759929c7919def46.jpg)
Устройство для захвата изделий
ОГ1 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сокзэ Советских Социалистических Реслублик (ii)86764> (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 25.01.80 (21) 2887158/25-08 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл. В 25 J 15/04 Гвеудвротвениык комитет Опубликовано 30.09.81. Бюллетень № 36 Дата опубликования описания 30.09.81 (53) УДК 621.229.....
867648![Устройство для термообработки изделий на газодинамической подушке Устройство для термообработки изделий на газодинамической подушке](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b2384370d6b9885fabc36f3e022d7d4b.jpg)
Устройство для термообработки изделий на газодинамической подушке
Союз Соеетсиик Социаинстичесиик Респ ОЛMC;> ;ßÈЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 898244 К йВТОРСНОМУ СВИДЕ1ЕЛЬСТВУ (61 ) Допол н и тел ьное к а вт. с вид-ву (22) Заявлено 15. 02. 80 (21) 2881700/22-02 с присоединением заявки И (23) Приоритет Опубликовано 15 ° 01 ° 82. Бюллетень М 2 Дата опубликования описания 18 . 0 1. 82 (53)M. Кл. F 27 В 9/20 Государственный квинтет СССР но делам изобретен...
898244![Распределительное устройство для нанесения резистивных покрытий Распределительное устройство для нанесения резистивных покрытий](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6019e24ed710e15ea88a918ad04759f6.jpg)
Распределительное устройство для нанесения резистивных покрытий
ОПИСЛНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических Республик «»966497 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 1б. 03. 81 (21) 3262914/18-10 (И)М.Кп з G 01 F 11/00 H 01 L 21/00 с присоединением заявки ¹ Государственный комитет СССР по делам изобретениИ и открытий (23) Приоритет Опубликовано 15.10.82.Бюллетень ¹ 38 Дата опубликования...
966497![Уплотнение Уплотнение](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1191ed2e381a368956e646301b960f3b.jpg)
Уплотнение
Изобретение может быть использовано в уплотнениях, используемых в газовых системах при физико-термической обработке. Цель изобретения - повышение надежности уплотне нияь Ниппели I, 2 охвачены накидной гайкой 4 и втулкой 5. На торцовой поверхности ниппелей I, 2 выполнены тороидальные выступы 6, 7. Центри рующее кольцо 6 установлено между торцовыми поверхностями гайки 4 и втулки 5...
1634903![Фильтр Фильтр](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b1a44608bc50d525404e1e0391cef900.jpg)
Фильтр
Изобретение относится к сменным мембранным фильтрам, предназначено для микроочистки любой среды (газов, жидкостей) в процессах микроэлектроники, может быть использовано и в любых других областях и позволяет повысить производительность фильтра. Фильтр, содержащий горизонтальный корпус и установленные последовательно по ходу движения потока рассекатель и два фильтрующих элемента, сн...
1662634![Клапан Клапан](https://img.patentdb.ru/i/200x200/11e782018aeaeac25e994c4dd8dbcd14.jpg)
Клапан
Изобретение м.б использовано в трубопроводной арматуре для физико-термического оборудования. Цель изобретения повышение надежности клапана за счет улучшения условий фильтрации. В корпусе 1 с входным и выходным каналами 3 и 4 установлен запорный орган 6, управляемый приводом. В канале 4 выполнена выточка с расширяющейся и сужающейся частями в форме двух усеченных конусов 7 и 8 с о...
1687979![Устройство для отделения газа от жидкости Устройство для отделения газа от жидкости](https://img.patentdb.ru/i/200x200/db9f35be99e899b7b78f74c396c60717.jpg)
Устройство для отделения газа от жидкости
Изобретение относится к устройствам отделения газа от пара и жидкости в технологическом оборудовании для производства интегральных схем, преимущественно для процессов диффузии, эпитаксии, напыления и др. Целью изобретения является повышение эффективности очистки газа. а Устройство содержит корпус 1 с патрубком 2 ввода газожидкостной смеси и патрубками 3 и 4 вывода газа и жидкости...
1724310![Фильтр Фильтр](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4034f93e20ce3e8ae39264a84171cdc3.jpg)
Фильтр
Использование: к области микрофильтрации газообразных и других сред в процессах микроэлектроники и других областях. Сущность изобретения: выполнение вкладыша с кольцевой проточкой обеспечивает возможность растекания газа по поверхности вставки , а выполнение вставки кольцевой и газопроницаемой позволяет производить равномерную подачу газа на фильтрующие элементы, независимо от об...
1755894![Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d7d3083c15fd1092fbc9e7d64251684f.jpg)
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого установлен подложкодержатель (ПД). ПД выполнен в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами вдиске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. На стороне сателлитов, обращенной к диску, выполнены также газотранспортные канавки. Их форма и угловое расположение аналогич...
1768675![Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d0f3eb969f391f5992f68027529cf9d8.jpg)
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого размещен подложкодержатель, выполненный в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами в диске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. В устройстве имеются средства ввода и выводи газа. В диске соосно сателлитам выполнены кальцевые проточки, соединенные с началом га...
1784668![Расходомер Расходомер](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f251971d8cc005af35387db85416d917.jpg)
Расходомер
Использование: для измерения расхода потока жидкости или газа. Сущность изобретения: в расходомере, содержащем корпус со сквозными каналами с размещенными в них параллельными участками U-образной трубки, с расположенными на них термочувствительными элементами, включенными в мостовую схему , изогнутая часть U -образной измерительной трубки дополнительно заключено и повторяющие ее...
1809312![Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6c946972dd532baa2fca3f0a20470fcb.jpg)
Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов
Использование: в электронной промышленности при производстве микросхем. Устройство содержит вертикальный реактор. В нем установлен полый подложкодержатель, внутри которого размещены подложки . Под подложкодержателем установлена перфорированная перегородка. В нижней части реактора по его оси размещены коаксиальные трубки для ввода парогазовой смеси (ПГС). По центру перфорированной...
1813819