ОВЧАРЕНКО В.И.

  Комплексное соединение медч (II) с тиосемикарбазоновым производным стабильного нитроксильнрго радикала имидазолина общей формулы H2N ( ;CU-H,O Н )J С1 ЩС V . проявляющее противоопухолевую активность .. . I " ИБЛ ":ATEÊÀ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЛ И ASTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ЯЯВ ФФЗЮЯ%асяар Д Ф H)N С-S ф Со К О Ы! ч СН, НС . с н, Н,С N "4 О ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ re ИЗОБРЕТ1-.Н...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого и второго диэлектрических слоев из двуокиси и нитрида кремния и первого слоя фоторезиста, формирование в них отверстий, легирование через отверстия примесью первого типа -проводимости приповерхностного слоя полупроводниковой подложки, удаление...

  ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Q изолированным электродом затвора, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы высоколегированные области стока, истока второго типа проводимости , которые соединены областью канала -то го же типа проводимости, концентрация основных носителей в которой меньше, чем в областях истока и стока, и расположенной под диэлек...

  - г If J. 0 HIIBLHiro>IBH QJQHhndLеи аниш урныrrdcad IJamorfi(ILQLaitLOOO >r tmahotifx ?Гоц и 1чнанипэч90 ыиэлицохен олоньий -л.еи ehgrfoLo ологгжея Urifidz HodoLII u уоайац ил.ыиец яазьк Яойол.оибнвйл xitlti -4явнииоце6 H>IOLQ кыал.ицохвн олоньий л.ви аниш ионоаЙПе иа1по(Аял.зл.аял.ооз х лнаьшсгя?гоц и 1чиани>гач.90 auaLицоявн ияойл.з nolf>rce>r ццЛйл nodoLH и ионйзц ил.киец я...

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в постоянном 3 aпo инaroщeм устройстве на МДП-транзисторах, программируемых технологически. Цель изобретения повьпиение надежности элемента памяти - достигается тем, что расстояние между краями первой и третьей полупроводниковых областей составляет 0,3-0,4 от расстошшя между краями первой и второй полупровод...

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в постоянных запоминающих устройствах. Целью изобретения явля-; ется повышение выхода годных матричного накопителя для постоянного запоминающего устройства. Поставленная цель достигается тем что матри щый накопитель .содержит дополнительную адресную шину и электрически программируемьте ячейки памяти, образ т...

  Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, и может быть использовано для изготовления матричного иакопителя электрически перепрограммируемого постоянного запоьшнающего устройства. 1Гёлью изобретения является повьтгение быстродействия матричного накопителя. Преимуществом матричного накопителя явля...

  Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. Целью изобретения является повышение выхода годных за счет уменьшения подтрзпливакия второго и третьего диэлектрических слоев и над краями поликремниевых электродов. За счет подачи высоких положительных напряжений на управляющие затворы и стоки выбранных...

  союз сов тсних ссаиллистич усни х щспуьлин (51}5 G 11 С 11/ ОПИСАИИЕ ИЗОБРЕТЕ1-1ИЯ К А ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В3 РМГЛФ ФКВЧС2ЬФ Й Фч тсъ .Ф: | ° 1 jjgp 47г0 1 ОСУДАРСТВЕННЬ1Й ИОМИТ1:Т по изоБретел1иям и Отнрцтилм Г11 и гннт сса {46) 23.09.92. Бюл. 1. - 35 (2I} 4720211 /24 (22) 18.07.89 (71) Научно-исследонательскии институт "Восток" (72) В.И.Овчаренко (53) 681.327.66(08...

  Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении матричного накопителя для электрически перепрограммируемого постоянного запоминай ще го устройства сохраняющего информацию при отключении источника питания , на лйвинно-инжекциоиных транзисторах с плавающими и управляющими затворами, перепрограммяруемыми импульсами напряжения. Целью изобрете...

  Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем, и может быть использовано для изготовления матриц - кого накопителя длл электрически перепрограммируемого ПЗУ, сохраняющего информацию при отключении источника питания, на лавинно-ннжекционных транзисторах с плавающими и управляю-- щими затворами, перепрограм...

  Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в постоянном технологически программируемом запоминающем устройстве на МДП-транзнсторах. Целью изобретения является упрощение и сокращение длительности изготовления матричного накопителя для ПЗУ. Поставленная цель достигается размещением в приповерхностном слое полупроводниковой подложки 1 под вторым...