H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Способ получения омического контакта металла с кремнием

М 118909 .Класс 21g, 13,1 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. Г. Мельник и И. Г. Мельник СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА МЕТАЛЛА С КРЕМНИЕМ Заявлено 17 февраля 1958 г. за № 592463/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 7 за 1959 г. Известные способы создания омического ко...

118909

Патент ссср 160779

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАН И Е И З О Б РЕТЕН И.Я К АВТОРСКОМУ СВИ,Ь,ETEAbCTBV № 160779 Класс 21@, 32 21@, 11 МПК Н 02с Н 011 Заявлено 18.1.1963 (J% 814114/24-7) ГОСУДАРСТВЕННЫ И КОМИТЕТ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИИ СССР Опубликовано 26.11.1964. Бюллетень М Б УДК г рл" E.. Подипсная груипа М 82 A. У. Кручинин СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМО- и МЕХАНИЧЕСКИ...

160779

Способ изготовления полупроводниковогоприбора

фР r. фуесоюзнан П 1в.у1уоеф, х. и.ческая О П И"б"Ж ЙОГЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 06Х.1966 (№ 1074403,26-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 08 V.1970. Бюллетень ¹ 16 Дата опубликования описания 1.IX.1970 Кл. 21g, 11 02 Комитет по делом изобретений и открыти...

253933

Патент ссср 325908

88е

325908

Способ получения р—/г-перехода

Р3 cc =, (-,, -о, "т, С А Н- И Е 348I29 О П СОюз СОРетских Социалистических Республик ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 05.IV.1971 (№ 1646126/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано ОЗ.Х.1973. Бюллетень № 39 Дата опубликования описания 4.II.1974 М. Кл. Н 011 7/02 Гасударственныи камите1 Совета Министров ССС...

348129

Электропроводящая паста

357627 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 08.1Ч.1970 (№ 1431306/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 31.Х.1972, Бюллетень № 33 Дата опубликования описания 31.1.1973 M. Кл. Н Oll 7/02 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрав СССР УДК 62...

357627

Способ создания контакта

Союз Советских Социалистимеских Республик ОП ИСАЫИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСе ВУ (11) 447108 (61) Дополнительное к авт. свил-вуЫ (51) М. Кл, Н 0I Ь 21/20 (22) Заявлено 01.11.73(21) 1964351/26-25 с присоединением заявке ¹Н 01 4 21/26 Гасударственный комитет Совета Министроо CCCP ио делам изобретений н отирмтий (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 05.08.783эюллете...

447108

Способ изготовления кремниевых многоэмиттерных транзисторов

(19) SU (и) 533157 Al (51) 5 Н01ЕИ 28 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) к лвтогскомх свидкткльству (21) 2184222/25 (22) 2?.10.75 (46) 30.1 0.93 Бал. Na 39-40 (?2) Булгаков С.С.; Велиара ГА; Ивановский ГФ.; Лобов И.Е; Майшев ЮП (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 533157 Изобрете...

533157

Способ многоуровневой металлизации больших интегральных схем

О, A. И,.(;„,фС И Е И ЗОБ РЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социал исти иеских Республик ()598458 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 02.0?.76 (21) 2385220/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” (51) M. Кл, Н 01 L21/28 Государстоенный коинтет ссср оо делам нзооретеннй н открытий Опубликовано 25.07.79. Бюллетень № 27 Дата опу...

598458

Способ изготовления устройств с жидкими кристаллами

Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ >637ЮЗ (61) Дополннтел)н ый к патен-.;вЂ” (22) Заявлено 26.09.74 (21) 2062486 )8-25! 51) М.Кл. - Н 01 L 21 28 (23) ПриоритетвЂ” 2- ОО вЂ”,,.>-; .0;./д Государственинй комитет (31) 401234 (33) США (43) Опубликовано 05.1= .78. Бю.-. -втек, " 45 (45) Дата опубликоза. 01;tic:.;::.:я t)5.1".7 ло делам изоб...

637103

"способ создания контактов к полупроводниковым приборам

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик

664244

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов к полупроводниковым структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактног...

757048

Способ изготовления диодов оптического диапазона

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 7867 l3 о Сова Соеетсхих Социадистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 16.07.79 (21) 2794891/18-25 (51) М.Кл.а Н 01 L 21/28 с присоединением заявкивЂ” (23) ПряоритетвЂ” (43) Опубликовано 23.12.81. Бюллетень № 47 1осударстеенный комитет СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382.002...

786713

Способ создания омических контактов к кремнию

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, за...

795321

Способ получения прижимных микро-kohtaktob между металлическимиэлектродами

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (iii834803 Ф 1 .м . / (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 12. 12. 79 (21) 2854094/18-25 (5 I ) M. Кл. Н 01 1. 21/28 с присоединением заявки М Гооударотееииый комитет (23) Приоритет ио делам иаобретеиий и открытий Опубликовано 30. 05. 81, Бюллетень .% 20 (53) УДК 631.382...

834803

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500...

865065

Способ создания силицидов металлов

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5...

884481

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количеств...

1025287

Способ создания металлизации свч-транзисторов

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно...

1069571

Способ изготовления выпрямительных элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий нанесение на поверхность вьшрямительного элемента слоя алюминия или сплавов на основы алюминия и его соединение с электродом из серебра или сплавов на основе серебра, отличающийся тем, что, с целью повышения качества выпрямительных элементов, соединение выпрямительного элемента с электродом осуществляют путем диффузионной с...

1114253

Способ создания многослойных контактных систем

(19)SU(11)1195849(13)A1(51) МПК 5 H01L21/28(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Изобретение относится к полупроводниковой технике/ в частности к способам создания многослойных контактных систем. Цель изобретения - повышение точнос...

1195849

Полупроводниковый прибор и способ его изготовления

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м. 2. Способ изготовления полупроводниковог...

1225426

Способ создания металлизации интегральных микросхем

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществл...

1241937

Способ изготовления алюминиевого контакта большой площади

Способ изготовления алюминиевого контакта большой площади на кремниевой пластине, включающий подготовку поверхности пластины шлифовкой, нанесение слоя алюминия на пластину, нагрев и охлаждение пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта за счет улучшения адгезии алюминия к пластине, снижения переходного сопротивления и снижения разброса по толщине, кремниевую плас...

1263140

Способ изготовления мдп интегральных схем

Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отлич...

1268001

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Патенты в этой категории