ЭЛЕМЕНТ СИКС ЛИМИТЕД (GB)

Изобретение относится к технологии получения слоя декоративно окрашенного монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), который может быть использован, например, для изготовления украшений. Способ получения слоя окрашенного монокристаллического алмаза включает стадию подготовки алмазной подложки, имеющей поверхность, которая, по существу, не содержит дефектов кристаллич...

Изобретение относится к технологии получения легированных бором монокристаллических алмазных слоев методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), которые могут быть использованы в электронике, а также в качестве ювелирного камня. Сущность изобретения: в указанном слое суммарная концентрация бора однородна. Слой образуется в одном секторе роста, или толщина слоя превышает 100 мкм, или объем...

Изобретение относится к области получения цветных алмазов, используемых, например, в декоративных целях. Способ преобразования цветного монокристаллического алмаза в другой цвет включает стадии, на которых цветной монокристаллический алмаз получают методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) и осуществляют термическую обработку полученного алмаза при температуре от 1200 до 2500°С...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала и может быть использовано в оптике для изготовления оптических и лазерных окон, оптических рефлекторов и рефракторов, дифракционных решеток и эталонов. Алмазный материал получают методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) в присутствии контролируемого низкого уровня азота, что позволяет контролировать р...

Изобретение относится к технологии получения пластин из монокристаллического алмаза, выращенного методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) на подложке. Выращенный алмаз делят поперек поверхности подложки с получением пластины, главные поверхности которой расположены поперек поверхности подложки. В результате получают пластины большой площади, которые, по существу, не имеют дефектов пове...

Изобретение относится к технологии маркировки алмазного материала. Способ встраивания производственной марки или идентификационной метки в монокристаллический алмазный материал, полученный методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), включает подготовку алмазной подложки и исходного газа, диссоциацию исходного газа, посредством чего обеспечивают процесс гомоэпитаксиального роста алмаза,...

Изобретение относится к изготовлению слоя бесцветного алмаза (монокристаллического и поликристаллического) химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ-алмаза), который может быть использован, например, для оптических применений или в качестве драгоценных камней. Способ включает подготовку подложки, использование атмосферы ХОПФ-синтеза, содержащей азот в концентрации более 300 частей на миллиард (...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического бесцветного алмаза химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ), который может быть использован для оптических и ювелирных применений. Способ включает подготовку подложки, использование атмосферы синтеза ХОПФ-алмаза, содержащей азот в концентрации в пределах от 300 частей на миллиард (ppb) до 30 частей на миллион (ppm), и добавлени...

Изобретение относится к технологии получения цветных алмазных материалов, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности. Монокристаллический алмазный материал, который был выращен методом CVD и имеет концентрацию одиночного замещающего азота менее 5 ppm облучают, чтобы ввести изолированные вакансии V в, по меньшей мере, часть предусмотренного CVD-алмазного материала так, чтоб...

Изобретение относится к технологии производства синтетического алмазного материала, который может быть использован в электронных устройствах. Алмазный материал содержит одиночный замещающий азот ( N s 0 ) в концентрации более примерно 0,5 ч/млн и имеющий такое полное интегральное поглощение в видимой области от 350 нм до 750 нм, что по меньшей мере примерно 35% по...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала для электроники и ювелирного производства. Способ включает выращивание монокристаллического алмазного материала методом химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) на главной поверхности (001) алмазной подложки, которая ограничена по меньшей мере одним ребром <100>, длина упомянутого по меньше...

Изобретения могут быть использованы в химической и ювелирной промышленности. Алмазный материал, легированный азотом, полученный по технологии CVD, или представляющий собой монокристалл или драгоценный камень, проявляет различие абсорбционных характеристик после воздействия излучения с энергией по меньшей мере 5,5 эВ, в частности УФ-излучения, и термической обработки при температуре 798 К. Дефект...

Изобретение относится к области плазменной обработки материалов. Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от основания до в...

Изобретение может быть использовано при получении ювелирных алмазов. Способ введения NV-центров в монокристаллический CVD-алмазный материал включает следующие стадии: облучение CVD-алмазного материала, который содержит одиночный замещающий азот, для введения изолированных вакансий в концентрации по меньшей мере 0,05 ppm и самое большее 1 ppm; отжиг облученного алмаза для формирования NV-центров...

Изобретение относится к технологии производства окрашенных алмазных материалов, которые могут найти применение в качестве драгоценных камней или режущих инструментов. Способ включает этапы выращивания монокристаллического алмазного материала по CVD-технологии, причем алмазный материал имеет концентрацию одиночных замещающих атомов азота [Ns 0] менее 1 ppm, исходный CVD-алмазный материал являетс...

Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонато...

Изобретение относится к производству монокристаллического алмазного материала химическим осаждением из газовой фазы (CVD), который используется в оптических, механических, люминесцентных и/или электронных устройствах. Алмазный слой содержит сетку непараллельных взаимно пересекающихся дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной мето...

Изобретение относится к способу управления концентрацией и однородностью распределения легирующей примеси в синтетическом CVD-алмазном материале, используемом в электронных устройствах и датчиках. Алмазный материал получают в микроволновом плазменном реакторе, содержащем плазменную камеру 102, в которой расположена(ы) одна или более подложек-областей поверхности роста 105, поверх которой(ых) ос...

Изобретение относится к технологии обработки монокристаллического CVD-алмазного материала. Описан способ введения NV-центров в монокристаллический CVD-алмазный материал. Одна стадия способа включает облучение алмазного материала, который содержит одиночный замещающий азот Ns 0, для введения изолированных вакансий в алмазный материал в концентрации 0,05-1 ppm. Другая стадия включает отжиг облуче...